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任妙娟

作品数:19 被引量:22H指数:3
供职机构:济南大学理学院更多>>
发文基金:博士科研启动基金国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域:理学一般工业技术电子电信电气工程更多>>

文献类型

  • 12篇期刊文章
  • 3篇专利
  • 2篇会议论文
  • 1篇学位论文

领域

  • 6篇一般工业技术
  • 6篇理学
  • 4篇电子电信
  • 4篇电气工程
  • 1篇金属学及工艺

主题

  • 5篇输运
  • 4篇导体
  • 4篇溅射
  • 4篇半导体
  • 4篇磁控
  • 4篇磁特性
  • 4篇磁性半导体
  • 3篇输运特性
  • 3篇固溶
  • 3篇固溶度
  • 3篇光谱
  • 3篇磁控溅射
  • 2篇电子输运
  • 2篇原子尺度
  • 2篇隧道结
  • 2篇自旋
  • 2篇纳米
  • 2篇禁带
  • 2篇宽禁带
  • 2篇宽禁带半导体

机构

  • 12篇山东大学
  • 8篇济南大学

作者

  • 18篇任妙娟
  • 10篇陈延学
  • 8篇季刚
  • 7篇梅良模
  • 6篇张仲
  • 5篇颜世申
  • 5篇宋红强
  • 5篇赵朋
  • 2篇李峰
  • 2篇刘宜华
  • 2篇张云鹏
  • 2篇张军
  • 2篇李晓
  • 2篇赵鹏
  • 1篇孙尚倩
  • 1篇张海鹍
  • 1篇周城
  • 1篇唐海马
  • 1篇苏燕
  • 1篇张林

传媒

  • 4篇济南大学学报...
  • 3篇微细加工技术
  • 1篇光谱实验室
  • 1篇物理学报
  • 1篇人工晶体学报
  • 1篇功能材料与器...
  • 1篇科技创新导报
  • 1篇第四届全国磁...

年份

  • 1篇2010
  • 1篇2008
  • 3篇2007
  • 3篇2006
  • 3篇2005
  • 4篇2004
  • 3篇2003
19 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
TiN基磁性薄膜的研究被引量:6
2004年
用射频磁控溅射技术制备了TiN掺Co的薄膜样品。400℃真空退火后,振动样品磁强计测量(VSM)表明,样品在室温下具有显著的铁磁性。其饱和磁化强度为2.93×108A/m,饱和磁场强度约160kA/m,矫顽力32kA/m。超导量子干涉仪(SQUID)测量M-T曲线得出其居里温度在360K以上,X射线衍射实验表明样品具有TiN样品的衍射峰。利用四探针测试仪测量电阻率得出ρ=4.824×10-5Ω·m。
宋红强陈延学任妙娟季刚张云鹏
关键词:磁控溅射TIN磁性薄膜自旋电子学
掺Nd钒酸盐晶体热导率的拉曼光谱研究
2006年
运用晶格动力学观点推导了热导率与积分拉曼散射强度的关系,测量了Nd:YVO4(简称NYV)和Nd:GdVO4(简称NGV)不同配置下的高温拉曼光谱和其a、c向的热导率,理论与实验非常吻合。
赵朋张海昆鸟苏燕周城任妙娟张仲
关键词:拉曼光谱热导率
数学物理方法的渗透式教学被引量:5
2010年
数学物理方法教学中运用渗透式教学有着重要的意义。本文从生活与数学物理方法之间的渗透,物理与数学之间的渗透,内容与思维方法之间的渗透,以及教学手段对学生的影响几个方面阐述了如何在数学物理方法教学中运用渗透式教学。
任妙娟赵朋张仲
关键词:渗透式教学数学物理方法
磁控溅射制备Co/Al_2O_3/FeNi磁隧道结被引量:1
2003年
利用磁控溅射设备和光刻技术,采用金属等离子体氧化法,设计制作了10μm×15μm的Co/Al2O3/FeNi磁隧道结,并在77K下对其输运特性进行了研究。测得了11%的隧道磁电阻。随着外加电压增加,隧道结的磁电阻单调减小。测量了样品的I-V特性曲线,发现随着外加电压的增加,曲线逐渐偏离线性,电阻变小,这与理论相符合。电阻随温度变化曲线表明电阻随温度升高而减小,而且在210K处有一个拐点。表现出典型的隧穿过程的特征。
任妙娟陈延学季刚宋红强梅良模
关键词:磁控溅射磁隧道结输运特性磁电阻
亚纳米复合法制备氧化锌基磁性半导体材料的方法
亚纳米复合法制备ZnO基磁性半导体薄膜材料的方法,属于电子材料技术领域。利用磁控溅射、分子束外延、激光脉冲沉积或者激光分子束外延方法在衬底上将亚纳米厚度的过渡金属和ZnO宽禁带半导体层交替沉积,在原子尺度进行复合形成磁性...
梅良模颜世申陈延学任妙娟季刚
文献传递
利用Raman光谱计算铌酸锂晶体中Li的含量被引量:1
2006年
根据商群对称性分析法对LiNbO3(简称LN)晶体的Raman光谱做了理论计算。测量了LN不同配置下的室温Raman光谱。利用155cm-1处的峰的半波宽计算了LN中Li的含量。结果证明我们所用LN样品是近化学计量比晶体。
赵朋孙尚倩张仲任妙娟
关键词:RAMAN光谱LINBO3晶体商群化学计量
磁控溅射制备Co/Cu/FeNi三端结器件
2003年
用磁控溅射及光刻工艺制成了5μm×5μm的Co/Cu/FeNi三端结器件,测量了不同注入电流下样品的输出电压与外磁场的关系,发现其输出电压与外磁场的关系曲线表明样品具有自旋相关的双极输出信号,双极输出信号可达17μV。测量了输出电压与注入电流的关系,发现二者在电流比较小时呈线性变化,当电流比较大时偏离线性。
任妙娟季刚陈延学宋红强梅良模刘宜华
关键词:磁控溅射双极性输出自旋晶体管
H_2分子器件电子输运性质的模拟计算
2007年
理论计算H2分子在一维Pt链电极间形成的分子桥的伏安特性和电导,结果表明在两端金属电极作用下,H2分子的能隙减小,使得体系导电性能提高。
赵朋张仲李峰任妙娟李晓
关键词:分子电子学电子输运
(ZnO/Co)<,n>的制备、结构和物性
目前研究磁性半导体的主要方法是对半导体进行过渡金属元素掺杂.这种搀杂方法可能通过二种不同的机制来实现载流子的自旋极化:其一是以O离子为中介,使得其近邻的搀杂过渡族磁性离子之间形成双交换作用,而得到可迁移的自旋极化的载流子...
任妙娟
关键词:磁性半导体磁特性输运特性光学特性
文献传递
Co/Al_2O_3/FeNi隧道结的中间层厚度对其输运特性的影响
2005年
制备了不同Al2O3厚度的Co/Al2O3/FeNi隧道结,并在77K温度下测量了其输运特性。发现随着厚度的增加,TMR下降。但是当Al2O3厚度降为2nm时,磁电阻不再出现典型的双峰曲线,而是呈现高阻和低阻两个状态。测量了隧道结的TMR随外加电压的变化、伏安特性曲线、电阻随温度的变化曲线,综合所有因素,在文中制备条件下,Al2O3厚度为4nm时,隧道结性能最好。
任妙娟陈延学张海鹍
关键词:凝聚态物理隧道结输运特性
共2页<12>
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