南开大学电子信息与光学工程学院电子科学与工程系
- 作品数：6 被引量：5H指数：2
- 相关机构：天津商业大学理学院更多>>
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- 相关领域：电气工程自动化与计算机技术电子电信天文地球更多>>
- 基于神经网络的非侵入式电机故障检测方法被引量：2
- 2022年
- 为了克服传统电机故障检测方法的准确率低、测量过程为侵入式、严重依赖先验知识的缺点,提出了一种基于卷积神经网络的非侵入式电机故障检测方法。通过将电机与其他设备共同工作时的总电源信号作为检测样本,实现检测过程的非侵入式,并基于残差优化卷积网络结构进行神经网络训练,最终实现电机超载、单相短路及相间短路故障的非侵入式检测与分类。结果表明,本文提出的方法可以使故障识别准确率达到96.79%,能够更加快速准确并稳定地实现电机的非侵入式故障诊断。
- 刘琦昊许盛之许盛之赵二刚杨松泽赵二刚
- 关键词：卷积神经网络电机故障诊断
- 基于超声喷涂法FAPbI3钙钛矿太阳电池及组件的研究
- 有机无机杂化钙钛矿优异的光电性能使其作为光吸收材料在光伏领域引起了广泛的关注。在钙钛矿太阳电池商业化进程中亟需一种制备工艺将实验室阶段通过旋涂方式制备的高效太阳电池拓展到大面积的制备上。喷涂技术具有制备速度快、节省材料、...
- 徐铁蔡宏琨倪牮李娟张建军
- 基于热光伏电池GaSb多晶薄膜的可控生长（英文）被引量：2
- 2015年
- 采用物理气相沉积(PVD)法在ITO透明导电衬底上制备GaSb多晶薄膜.研究了衬底温度及薄膜厚度对GaSb薄膜结构特性、电学特性以及光学特性的影响.在一定条件下生长的GaSb薄膜择优取向由GaSb(111)晶向转变为GaSb(220)晶向,这是在玻璃衬底上生长GaSb薄膜没有发现的现象.择优取向改变为(220)晶向的GaSb薄膜具有更高的霍尔迁移率.因为这种薄膜材料具有更少的晶粒间界和更少的缺陷.经优化后的GaSb薄膜的光学吸收系数在104cm^(-1)以上,适用于热光伏薄膜太阳电池中.
- 蔡宏琨李涛吴限量张德贤倪牮张建军
- 不同金属掺杂的五氧化二钒在水系锌离子电池中的应用
- 2024年
- 随着新能源的不断发展,对新型储能设备需求不断增加。可充电水系锌离子电池(ZIBs)因价格低廉、储量丰富和绿色环保等优点备受关注。五氧化二钒具有独特的层状结构,利于锌离子的嵌入/脱出。通过水热法制备V_(2)O_(5)、Ag_(0.3)V_(2)O_(5)(AVO)、Mg_(0.25)V_(2)O_(5)(MVO)并应用于水系锌离子电池中,XRD、SEM、TEM等测试分析了材料形貌和结构,金属Ag和Mg元素的掺杂有效改善了五氧化二钒纳米线形貌结构,并取得优异的电化学性能。深入探究电池内部反应机理,发现了Zn_(2)(V_(3)O_(8))2中间相形成对材料性能产生的影响。不同价态的离子掺杂对钒基氧化物形貌和电化学性能产生了不同的影响,体现的金属离子“支柱效应”显著改善了电池的容量和寿命。
- 孙庆贺胡靓蔡宏琨倪牮张建军
- 关键词：反应机理
- 单层1T-VS_(2)的电子结构和量子电容性质研究
- 2024年
- 以石墨烯为代表的低维材料由于费米能级附近有限的态密度,导致量子电容较低,限制了其作为电极材料的超级电容器双电层电容的提升.采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,以1T-VS_(2)为例,研究具有类石墨烯结构的准二维材料的量子电容的微观机理及其性能调控.研究结果表明,铁磁性的本征和含V空位缺陷的1T-VS_(2)在零偏压处的量子电容为~300μF/cm^(2),远高于石墨烯.此外,含有V空位缺陷体系在负偏压区的高量子电容区间更加扩展,可以匹配更宽工作电压窗口的电解质材料,有利于提高能量密度.
- 李雯婷王维华
- 关键词：电子结构本征缺陷第一性原理计算
- 基于GaSb/CdS薄膜热光伏电池的器件设计被引量：1
- 2015年
- 基于Ga Sb薄膜热光伏器件是降低热光伏系统成本的有效途径之一,本文主要针对Ga Sb/Cd S薄膜热光伏器件结构进行理论分析.采用AFORS-HET软件进行模拟仿真,分析Ga Sb和Cd S两种材料各自的缺陷态密度、界面态对电池性能的影响.根据软件模拟可以得知,吸收层Ga Sb的缺陷态密度以及Ga Sb与Cd S之间的界面态密度是影响电池性能的重要因素.当Ga Sb缺陷态增加时,主要影响电池的填充因子,电池效率明显下降.而作为窗口层的Cd S缺陷态密度对电池性能影响不明显,当Cd S缺陷态密度上升4个数量级时,电池效率仅下降0.11%.
- 吴限量张德贤蔡宏琨周严倪牮张建军
- 关键词：锑化镓硫化镉
