广州大学桂花岗校区物理系
- 作品数：9 被引量：30H指数：4
- 相关作者：刘翠红更多>>
- 相关机构：番禺职业技术学院机械与电子系仲恺农业技术学院计算机科学与工程学院华南师范大学信息光电子科技学院量子电子学研究所更多>>
- 发文基金：广东省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学哲学宗教文化科学核科学技术更多>>
- Morse势阱中子带间的光吸收(英文)被引量：5
- 2003年
- 研究了Morse势阱中子带间的光吸收 ,并且利用密度矩阵算符理论和迭代方法 ,推导出了线性和三阶非线性子带间的光吸收系数的解析表达式 ,然后以GaAs/AlGaAsMorse势阱为例进行数值计算。结果表明 ,线性吸收系数是正的 ,为总吸收系数作出积极的作用 ,而三阶非线性吸收为负 ,抵消了一部分线性吸收 ,进而得到总的吸收系数 ;吸收系数随着入射光强度的增大而减小 ,即出现吸收饱和现象 ;当势阱参数a增大时 ,吸收系数增大 ,即阱宽较窄时 ,系统吸收的能量较多。若要获得较大的光学吸收系数 ,就要输入较小的光场强度 ,并选择适当的势阱参数a和入射光频率。
- 于凤梅郭康贤谢洪鲸俞友宾
- 关键词：MORSE势阱迭代方法
- 物理学习中的性别差异分析被引量：13
- 2001年
- 对男女性别的差异在中学物理学习中所造成的影响进行了分析。一系列的调查数据表明 ,男女学生在物理学习上的差异除了来自生物学因素 ,更重要的但往往又为人们所忽略的是心理社会学的因素。后一原因造成的差异是可以通过教育加以纠正的 。
- 刘翠红陈卫旗
- 关键词：物理学习性别差异教育
- 施加电场的半抛物量子阱中束缚态的能级结构被引量：4
- 2004年
- 采用位移谐振子与数值求解相结合的方法,研究和讨论了施加电场的半抛物量子阱中束缚态的能级结构,得到了体系的本征能量与本征函数的表达式.数值结果显示,随着电场强度的增大,束缚态的能量几乎线性地下降,电场对半抛物束缚势频率较低的系统以及系统的高能级的影响较大,相邻能级间隔也随着电场强度的增大而减小,这与施加电场的抛物量子阱中的情况明显不同.
- 张立谢洪鲸
- 关键词：能级结构电场
- 电动力学with Maple——一门广东省九五规划重点教材
- 2001年
- 介绍《电动力学withMaple》的主要内容和特色 。
- 郭冰莹
- 关键词：电动力学教学改革计算机代数系统MAPLECAI课件
- Morse势阱中的光检波效应(英文)被引量：1
- 2002年
- 利用量子力学中的密度矩阵算符理论和迭代方法 ,得到Morse势阱中的光检波系数的解析表达式。并以典型的GaAs/AlGaAs莫尔斯量子阱为例进行数值计算。研究结果表明 ,较大的光检波系数与系统的非对称性有关 ,系统的非对称性越大 ,光检波系数越大。
- 于凤梅郭康贤王光辉张立俞友宾
- 关键词：MORSE势阱密度矩阵方法GAAS/ALGAAS砷化镓
- 一种特殊的非对称量子阱中的电光效应(英文)
- 2004年
- 运用密度矩阵方法推导出了特殊非对称量子阱中电光系数的解析表达式 ,并以典型的GaAs/AlGaAs非对称量子阱为例进行了数字计算。计算结果表明 ,量子阱的非对称性随着参数a的增大而增强 ,随着参数V0 的增大而减小。电光系数的最大值也随着参数a的增大而增大 ,随着参数V0 的增大而减小 ,表明电光系数将随着量子阱非对称性的增大而增大。在取不同的参数a和不同的参数V0 时 ,电光系数和入射光子能量的关系分别被绘制成曲线图。在图中分别有三个不同的峰 ,而且系统的非对称性越大 ,峰值就越大。随着量子阱非对称性的增大 ,曲线中的峰向能量低的方向移动。另外 ,在这种量子阱中得到了比较大的电光系数 ,大约在 1 0 -6m/V量级。随着近来纳米制作技术的进步 ,使得在实验上制作这种特殊非对称量子阱并得到较好的非线性材料成为可能。
- 俞友宾郭康贤于凤梅
- 关键词：电光效应非对称量子阱电光系数
- 一种特殊的非对称量子阱中的光整流效应被引量：2
- 2003年
- 运用量子力学密度矩阵算符理论,推导出在一种特殊非对称量子阱中的光整流系数的解析表达式。最后利用典型的GaAs/AlGaAs非对称量子阱进行数值计算,得到了系统的非线性光整流效应和量子阱的非对称性以及入射光子能量之间的变化规律,并在此特殊量子阱中得到了较大的光整流系数,从而为实验上制作较好的非线性材料提供了一种可行的途径。
- 俞友宾郭康贤于凤梅
- 关键词：非线性密度矩阵光整流效应
- 多普勒展宽和多普勒频移在光谱分析中的应用被引量：1
- 2002年
- 分析了多普勒展宽和多普勒频移区别 ,讨论了高斯拟合和弦积分线形分布的差异。利用多道光学分析仪 (OSMA)测量HT 6M托卡马克限制器前Hα 线形分布 。
- 徐伟方自深
- 关键词：多普勒频移光谱分析等离子体限制器
- Morse势阱中线性和三阶非线性光折射率的改变被引量：4
- 2005年
- 利用量子力学中的密度矩阵算符理论和迭代方法,导出莫尔斯(Morse)势阱中线性和三阶非线性光折射率改变的解析表达式,并以典型的GaAs/A lGaAsMorse势阱为例进行数值计算。数值结果表明,随着入射光强度增强,总的折射率改变将减少;随着势阱参数a的增大,总的折射率改变将减小;而随着载流子浓度的增加,总的折射率改变将增加。结果表明要获得较大的折射率改变,则需选取较小的入射光强度,较小的参数a,较大的载流子浓度,从而为实验研究提供理论依据。
- 于凤梅郭康贤王克强
- 关键词：非线性光学MORSE势阱密度矩阵方法
