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电子科技大学IC设计中心

作品数：126 被引量：342H指数：11
相关作者：熊富贵唐新伟罗卢杨衡草飞武洁更多>>
相关机构：南京邮电大学光电工程学院桂林电子科技大学信息与通信学院中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金模拟集成电路国家重点实验室开放基金国防科技技术预先研究基金更多>>
相关领域：电子电信电气工程自动化与计算机技术机械工程更多>>

合作机构

文献类型

  • 85篇期刊文章
  • 41篇会议论文

领域

  • 103篇电子电信
  • 24篇电气工程
  • 5篇自动化与计算...
  • 2篇机械工程
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 29篇击穿电压
  • 24篇电路
  • 19篇LDMOS
  • 16篇耐压
  • 15篇RESURF
  • 13篇SOI
  • 12篇电源
  • 12篇集成电路
  • 12篇变换器
  • 11篇新结构
  • 10篇高压器件
  • 10篇表面电场
  • 9篇电阻
  • 9篇开关电源
  • 8篇电荷泵
  • 8篇耐压分析
  • 8篇SOI高压器...
  • 7篇导通
  • 7篇导通电阻
  • 6篇调制

机构

  • 126篇电子科技大学
  • 4篇中国电子科技...
  • 3篇南京邮电大学
  • 2篇中国电子科技...
  • 1篇桂林电子科技...
  • 1篇河北半导体研...
  • 1篇中国科学院
  • 1篇中国人民解放...
  • 1篇西南科技大学
  • 1篇中国电子科技...
  • 1篇微电子有限公...

作者

  • 58篇李肇基
  • 15篇方健
  • 13篇罗萍
  • 11篇李琦
  • 9篇郭宇锋
  • 8篇罗小蓉
  • 7篇段宝兴
  • 4篇牛全民
  • 4篇李强
  • 4篇陈万军
  • 3篇肖志强
  • 3篇李泽宏
  • 3篇刘勇
  • 3篇熊富贵
  • 3篇唐新伟
  • 3篇衡草飞
  • 2篇杨舰
  • 2篇乔明
  • 2篇叶鹏
  • 2篇张波

传媒

  • 30篇微电子学
  • 25篇Journa...
  • 9篇中国电工技术...
  • 7篇04’全国电...
  • 6篇中国集成电路
  • 4篇固体电子学研...
  • 3篇物理学报
  • 3篇电子元器件应...
  • 3篇’02学术年...
  • 2篇电子科技
  • 2篇现代电子技术
  • 2篇电子设计应用
  • 2篇2009四川...
  • 2篇第十四届全国...
  • 1篇半导体技术
  • 1篇电气时代
  • 1篇电子与信息学...
  • 1篇电子质量
  • 1篇电力电子技术
  • 1篇中国电机工程...

年份

  • 1篇2013
  • 1篇2012
  • 4篇2011
  • 3篇2009
  • 4篇2008
  • 12篇2007
  • 36篇2006
  • 24篇2005
  • 33篇2004
  • 2篇2003
  • 6篇2002
共 126 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
Power MOSFET栅电荷分析及结构改进被引量：8
2004年
本文从驱动电路设计者的角度对MOS器件的输入电容和密勒电容进行了详细分析,并从器件基本原 理上,对决定栅电荷的寄生元件在不同的栅电压下对栅电荷的作用进行了系统的阐述。最后总结了当前国际 上为降低栅电荷提出的最新MOS器件结构。
衡草飞向军利李肇基张波罗萍
关键词：MOS器件MOSFET驱动电路电容电荷分析
一种高性能电流调节器的设计
2007年
基于0.5μm CMOS工艺,设计了一种能够在较大范围内工作的电流调节器。该电路通过适当地利用NMOS和PMOS差分输入对的各自特性,以及改进的差分结构,实现了工作范围的扩展和共阴极LED的驱动。该电流调节器采用的运算放大器都是一级的自补偿结构,从而简化了电路的稳定性设计,提高了物理实现的成功率。仿真结果表明,该电流调节器在整个工作范围内的精度可以达到80%以上。
周泽坤陈志军石跃张波
关键词：电流调节器自补偿CMOS集成电路
一种用于H桥电机驱动的电流采样电路
介绍了电流采样电路工作原理，采用自主研发的CD工艺，利用负反馈结构，设计了一种电流采样电路，此采样电路具有结构简单、精度高、工作电压高等特点，可结合功率管应用于H桥功率集成驱动电路中。在Cadence环境下对电路进行仿真...
向莉方健王凯尹德杨关旭黎育煌
关键词：集成电路电流采样电路
文献传递
一种自偏置电流CMOS基准源的分析与设计被引量：8
2006年
采用了一种结构新颖的CMOS基准源结构,该电路结构利用带隙基准结构产生的高精度PTAT电流作为内部OPAMP的自偏置电流,从而省去了PTAT电流产生电路,使芯片面积更小,基准电流更加接近理想的PTAT电流。该电路结构产生的带隙基准电压温漂达到18.8PPM/℃,PTAT电流几乎与电源电压无关。
张超罗萍杨永豪
关键词：带隙基准电压运算放大器温度系数
一种新型电流极限比较电路
2011年
本文主要介绍一种新型电流极限比较电路。该电路提供过流,限制流过LDMOS上的电流,同时根据负载状况调节电流极限值,从而达到调整占空比的作用。分析了该新型电流极限比较电路的电路结构与工作原理。采用1μmCMOS工艺,通过HSPICE进行电路仿真和流片测试,证明本文提出的电流极限比较电路正确可行。
柏文斌李曼
关键词：比较器
高散热变k介质埋层SOI高压功率器件被引量：1
2006年
针对常规SOI器件纵向耐压低和自热效应两个主要问题,提出了变k介质埋层SOI(variablekdielectricburiedlayerSOI,VkDSOI)高压功率器件新结构.该结构在高电场的漏端采用低k介质以增强埋层电场,在高电流密度的源端附近采用高热导率的氮化硅埋层,从而器件兼具耐高压和降低自热效应的优点.结果表明,对于k1=2,k2=7·5(Si3N4),漂移区厚2μm,埋层厚1μm的器件,埋层电场和器件耐压分别达212V/μm和255V,比相同厚度的常规SOI器件的埋层电场和耐压分别提高66%和43%,最高温度降低52%.
罗小蓉李肇基张波
关键词：SOI纵向电场击穿电压自热效应
界面电荷耐压模型:SOI高压器件纵向耐压新理论被引量：2
2006年
基于求解二维Po isson方程,分析了具有埋氧层界面电荷的SO I结构纵向击穿特性,提出了界面电荷耐压模型。该模型通过埋氧层界面电荷来调制硅层和埋氧层电场,获得极高击穿电压。进一步提出临界界面电荷面密度概念,给出其工程化应用的近似公式。并对文献中的不同结构SO I器件的纵向耐压进行计算。解析结果和试验结果或M ED IC I仿真结果吻合良好。
郭宇锋张波方健杨舰李肇基
关键词：绝缘体上硅界面电荷击穿电压
全耗尽型浮空埋层LDMOS的耐压特性
2008年
提出了一种新的全耗尽型浮空埋层LDMOS(FB-LDMOS)结构.全耗尽n型埋层在器件的体内产生新的电场,该电场调制了漂移区电场,使得在降低漂移区漏端电场的同时提高了源侧和中部电场REBULF效应.分析了埋层的浓度、厚度、长度等对器件击穿电压的影响.借助二维仿真软件MEDICI,该新结构的击穿电压由传统LDMOS的585.8V提高到886.9V,提高了51.4%.
成建兵张波李肇基
关键词：LDMOSRESURF击穿电压
开关型DC-DC变换器的跨周期调制
本文提山跨周期调制SCM（Skip Modulation）调制度的概念,给出了SCM DC-DC变换器输出功率与调制度的关系,通过对变换器的效率和输出电压的纹波这两个主要参数的分析,得出跨周期调制的效率与负载无关,输出电...
罗卢杨罗萍季晓宇李肇基杨舰
关键词：调制度
文献传递
体硅Double RESURF器件表面电场解析模型及优化设计(英文)被引量：1
2006年
提出了体硅double RESURF器件的表面电场和电势的解析模型.基于分区求解二维Poisson方程,获得double RESURF表面电场的解析表达式.借助此模型,研究了p-top区的结深,掺杂浓度和位置,漂移区的厚度和掺杂浓度,及衬底浓度对表面电场的影响;计算了漂移区长度,掺杂浓度和击穿电压的关系.从理论上揭示了获得最大击穿电压的条件.解析结果、验证结果和数值结果吻合良好.
李琦李肇基张波
关键词：体硅DOUBLERESURF表面电场优化设计
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