上海交通大学微纳米科学技术研究院微米纳米加工技术国家级重点实验室
- 作品数：312 被引量：1,113H指数：14
- 相关作者：黎滨洪茅昕辉倪智萍高峰蔡玉丽更多>>
- 相关机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所南昌大学机电工程学院同济大学理学院物理系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划上海市科委纳米专项基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术理学一般工业技术更多>>
- 光子晶体几何结构设计对LED出光效率影响的研究被引量：2
- 2009年
- 利用禁带理论、等效介质理论分析了增透机理,研究了一种参数设计方法。采用FDTD方法计算了表面覆盖ITO层的六角排列圆形光子晶体出光效率。计算该结构参数的光子晶体的LED出光效率,结果表明加入ITO层的光子晶体能提高GaN基蓝光LED出光效率2倍,该参数设计思路也为光子晶体设计提供了参考依据。
- 殷子豪王庆康
- 关键词：光子晶体FDTD出光效率LED
- 基于ARM和FPGA的微加速度计数据采集系统设计被引量：9
- 2010年
- 基于常用的MEMS惯性器件微型加速度计,介绍一种采用ARM和FPGA架构来采集加速度数值的设计方案,微加速度计的模拟输出信号经A/D芯片转换后由FPGA进行处理和缓存,然后ARM接收FPGA的输出数据并对数据进行显示和存储,对如何用FPGA实现该数据采集系统的传输控制和数据缓存,以及FPGA与A/D转换芯片和ARM的接口设计给出了说明,实现了加速度数值的采集、传输、显示和存储,该方法配置灵活、通用性强,可以较好地移植到相关器件的数据采集系统中。
- 秦奎张卫平陈文元
- 关键词：数据采集微加速度计FPGAARM
- UV-LIGA中光源波长和曝光量对SU-8光刻胶微结构的影响
- 本文基于UV-LIGA技术采用SU-8光刻胶制备了高深宽比微结构,最高深宽比达20:1.研究了改变光源的波长和曝光量对SU-8光刻胶成形的影响,揭示了在一定范围内线宽随曝光量非线性变化的规律.从聚合度和聚合所得高分子结构...
- 张晔陈迪张金娅朱军刘景全
- 关键词：UV-LIGA技术SU-8光刻胶倒角曝光量
- 文献传递
- Pyrex玻璃金属化凹坑的湿法腐蚀被引量：5
- 2008年
- 为在Pyrex玻璃基片上湿法腐蚀出易于金属化(如电镀等)的深凹坑(或凹槽),选用HF:HNO3:H2O为腐蚀液,分别以Cr/Au(30nm/300nm,溅射)加光刻胶(15μm)和Cr/Pt(30nm/300nm,溅射)加光刻胶(15μm)作为掩膜进行腐蚀实验。实验发现在Cr/Pt/光刻胶掩膜下,Pyrex玻璃的腐蚀凹坑横向钻蚀小(钻深比1.34:1),侧壁倾斜光滑,并在凹坑(深约28μm)内成功地电镀了焊盘。该实验结果对要求高深宽比沟槽的微流体器件的制造也有一定参考意义。
- 崔峰肖奇军吴校生张卫平陈文元赵小林
- 关键词：湿法腐蚀掩膜凹坑电镀
- 一种快速提取基因组DNA的方法被引量：10
- 2008年
- 采用氧化硅超顺磁性纳米磁珠和自己设计的试剂体系及提取流程，建立了一种基因组DNA的快速提取方法，该方法以氧化硅磁珠为固相吸附载体，盐酸胍、β-巯基乙醇和SDS为主要裂解吸附试剂。以全血或培养细胞为实验材料进行基因组DNA的提取结果显示建立的方法提取100μl小鼠抗凝血，可得2～3μg基因组DNA，OD260／OD280为1．8±0．05，其纯度可满足后续的酶切和PCR生物操作要求。该方法整个提取过程只需12分钟，不需特殊实验条件同时可省略蛋白酶K的消化过程和离心操作，适用于一般实验室的需求，是一种操作简便、快速高效的提取方法。
- 卢瑛刘照关徐宏古宏晨
- 关键词：基因组DNA全血培养细胞
- 夹心结构FeNi/Cu/FeNi多层膜巨磁阻抗效应研究被引量：2
- 2006年
- 采用MEMS技术在玻璃基片上制备了夹心结构FeNi／Cu／FeNi多层膜，并在1～40MHz范围内研究了它的巨磁阻抗效应。纵向巨磁阻抗效应先随着外加磁场的增大而迅速增加，在某一磁场下达到最大值后随磁场的增加而逐渐减小。在频率为5MHz时，Hext为0．8kA／m时巨磁阻抗效应最大值达到32．06％。另外，夹心结构多层膜表现出较大的负巨磁阻抗效应，在频率5MHz，Hext=9．6kA／m时，负最大巨磁阻抗效应可达-24．50％。
- 商干兵周勇余先育丁文周志敏曹莹
- 关键词：巨磁阻抗效应MEMS技术
- 一种新型双稳态微机电系统电磁微继电器的研制被引量：3
- 2006年
- 介绍了一种基于微机电系统(MEMS)技术的新型双稳态电磁微继电器的设计及其制作工艺,并对其主要性能进行了测试.利用换向脉冲电流驱动高效的“三明治”式电磁驱动结构,带动电接触刷的运动来控制外电路的通断;辅助设计的永磁稳定结构使器件在脉冲间歇能够保持稳定状态而无需额外功耗.测试结果表明,这种新型电磁微继电器具有体积小,功耗低,响应速度快,接触电阻小等优点.
- 付世丁桂甫王艳
- 关键词：微机电系统双稳态
- 不连续电流模式DC/DC建模的简单方法
- 2008年
- 提出了一种对不连续电流模式(DCM)下的DC/DC进行建模的简单方法,推导了此方法得出的系统环路特性与精确DCM模型结果之间的数值关系,并且通过建模仿真实例得到了验证。这种方法避免了DCM模型的复杂计算,并且为工作在边界模式(BCM)下的DC/DC建模提供了一条有效途径。
- 褚洪涛戴庆元范正国
- 关键词：直流-直流转换器
- 高分辨X射线成像器件——微间隙室(MGC)的研究
- 2007年
- 详细讨论了微间隙室的基本结构、特性及其主要研究内容;并在此基础上,探讨了微间隙室采用金刚石薄膜作为阳极电极微条和阴极电极微条之间的极间绝缘材料的可能性和有效性。为在第三代同步光源上实现具有良好时间和空间分辨的成像实验或衍射实验,提供了一种潜在的辐射成像探测器。
- 龙沪强王芸徐东谢宽仲卞建江
- 关键词：金刚石薄膜
- 一种基于LDO稳压器的带隙基准电压源设计被引量：8
- 2009年
- 设计了一种结构简单的基于LDO稳压器的带隙基准电压源。由于目前LDO芯片的面积越来越小,所以在传统带隙基准电压源的基础上,对结构做了简化及改进,在简化设计的同时获得了高的性能。该带隙基准使用三极管作为运算放大器的输入,同时省去了多余的等效二极管,并将此结构应用于LDO结构中。对带隙基准的仿真结果表明,在5 V的电源下,产生25×10-6/℃温度系数的带隙基准电压。低频时电源抑制比为138dB。将该带隙基准结合缓冲器应用于LDO稳压器中,对LDO的仿真结果表明,负载特性良好,相位裕度为63.3度。线性负载率也符合要求。此电路简单可行,可适用于各种LDO芯片中。
- 金梓才戴庆元黄文理
- 关键词：带隙基准电压源低压差线性稳压器误差放大器
