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重庆大学物理学院结构与功能研究所

作品数:7 被引量:5H指数:2
相关作者:郭平波张慧力更多>>
相关机构:西华师范大学物理与电子信息学院理论物理研究所西华师范大学物理与电子信息学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金重庆市自然科学基金重庆大学研究生科技创新基金更多>>
相关领域:理学天文地球更多>>

文献类型

  • 7篇中文期刊文章

领域

  • 6篇理学
  • 1篇天文地球

主题

  • 2篇第一性原理
  • 1篇电荷
  • 1篇电荷屏蔽
  • 1篇电子俘获
  • 1篇电子结构
  • 1篇定域性
  • 1篇双量子点
  • 1篇中子
  • 1篇子结构
  • 1篇耦合双量子点
  • 1篇量子
  • 1篇量子点
  • 1篇晶格
  • 1篇晶格动力学
  • 1篇晶体
  • 1篇快中子
  • 1篇核合成
  • 1篇肥皂泡
  • 1篇
  • 1篇JONES

机构

  • 7篇重庆大学
  • 1篇西华师范大学

作者

  • 7篇王少峰
  • 5篇王锐
  • 4篇郭平波
  • 4篇张福州
  • 4篇叶金琴
  • 3篇吴小志
  • 2篇刘瑞萍
  • 2篇张慧力
  • 1篇张洁
  • 1篇焦健

传媒

  • 3篇四川大学学报...
  • 2篇物理学报
  • 2篇原子与分子物...

年份

  • 2篇2010
  • 2篇2009
  • 3篇2008
7 条 记 录,以下是 1-7
排序方式:
稀有气体晶体的广义层错能计算
2010年
本文采用Lennard-Jones对相互作用势计算了Ne,Ar,Kr和Xe四种稀有气体晶体密排面的广义层错能,对〈112〉和〈110〉两个对称方向的广义层错能曲线上的层错能作了比较,得出密排面沿〈112〉方向滑移更为容易.此外,运用Fourier级数拟合了密排面〈112〉方向的层错能曲线,得到了其解析表达式,并以氙晶体为例作出广义层错能面(γ-面).
焦健王少峰张慧力刘瑞萍王锐吴小志
耦合双量子点的磁序与电子结构
2009年
耦合双量子点中电子间静电相互作用对电子在系统中隧穿效应具有重要影响.考虑电子隧穿,交换及Hubbard关联作用后,在单态近似下,本文求解了耦合双量子点二电子问题,讨论了铁磁基态及Mott局域化态出现的条件.这里的结果表明电子的隧穿不利于铁磁基态的形成,Hubbard关联越强越有利于Mott局域化态的形成,并且在交换作用下Mott局域化态会转变为铁磁基态.此外,外场可以诱导磁序相的改变.
王锐王少峰
关键词:耦合双量子点
锯齿型单壁碳纳米管的广义层错能计算被引量:2
2008年
基于密度泛函理论的第一性原理方法,计算了两种不同半径的锯齿型单壁碳纳米管以及单层石墨的广义层错能曲线.对小位移处广义层错能曲线进行斜率拟合所得切变模量与其它文献值一致.对三条广义层错能曲线的对比可知,锯齿型碳纳米管与单层石墨的广义层错能曲线相近,锯齿型单壁碳纳米管的曲率效应不明显.
张福州王少峰张慧力刘瑞萍郭平波叶金琴
关键词:第一性原理
肥皂泡筏中的力律与肥皂泡半径的关系
2008年
利用肥皂泡之间的吸引排斥相互作用和Peierls切割粘合方案研究了不同半径泡筏边界上的肥皂泡所受的回复力与位移的关系曲线.计算得到回复力达到最大值的位置与Bragg所获得的结果一致,结合曲线的物理特征,给出一个新的函数形式来描述此力律曲线,从而得到肥皂泡筏中的力律与肥皂泡半径的关系.
郭平波王少峰吴小志张福州叶金琴王锐
晶体中退耦合晶面的波速与体波速的关系
2008年
基于晶格动力学理论,通过分析晶体体波速与原子间相互作用力的关系,在只考虑原子间的短程中心力相互作用下,给出了晶体中退耦合晶面的波速与体波速及晶格结构的关系.其目的是为了建立起位错方程中离散效应修正项系数与实验上可测量的物理量之间的联系.如果考虑原子间的非中心力部分的修正,该关系近似成立.最后由不同的晶格结构验证了该关系的可靠性.
叶金琴王少峰王锐郭平波张福州
关键词:波速晶格动力学
广义层错能的定域性分析被引量:2
2009年
用基于密度泛函理论的第一性原理方法计算了金属铝中<112>方向的广义层错能曲线,并用其详细讨论了广义层错能的定域性,结果表明广义层错能主要来自于滑移面上、下最近邻原子层的贡献。此外,(111)面上广义层错能具有周期性,用傅立叶级数对其拟合,得到广义层错能的解析表达式并作出广义层错能面(γ面)。
张福州王少峰吴小志郭平波叶金琴王锐
关键词:第一性原理定域性
电荷屏蔽对快中子俘获过程的影响被引量:2
2010年
本文计算在初生中子星中微子驱动的星风环境中弱电荷屏蔽对质子电子俘获反应的影响.结果表明电荷屏蔽对星风中核子的比加热率、熵等物理参量基本没有影响.但是可以明显提高电子丰度,而这种提高有力地支持了最新的快中子俘获核合成结果.
张洁王少峰
关键词:电子俘获核合成电荷屏蔽
共1页<1>
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