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台湾力士科技公司

作品数：1 被引量：2H指数：1
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合作机构

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇开关
  • 1篇控制开关
  • 1篇高频

机构

  • 1篇同济大学
  • 1篇台湾力士科技...

作者

  • 1篇吴启迪
  • 1篇许维胜
  • 1篇王翠霞
  • 1篇陈炬

传媒

  • 1篇半导体技术

年份

  • 1篇2009
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
高频控制开关用沟槽MOSFET的研究被引量：2
2009年
高频控制开关用功率器件要同时具备极低的导通电阻和栅漏电荷值,从而降低导通损耗和开关损耗。基于器件与工艺模拟软件TsupremIV和Medici,研究了工艺参数和设计参数对沟槽MOSFET器件击穿电压、比导通电阻和栅漏电荷的影响,优化设计了耐压30V的开关用沟槽MOSFET器件。对栅极充电曲线中平台段变倾斜的现象,运用沟道长度调制效应给出了解释。
王翠霞许维胜谢福渊陈炬吴启迪
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共1页<1>
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