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安内华株式会社

作品数：33 被引量：0H指数：0
相关机构：长州产业株式会社东陶机器株式会社日本发条株式会社更多>>

合作机构

文献类型

  • 33篇中文专利

主题

  • 10篇基板
  • 6篇热膨胀
  • 6篇热膨胀系数
  • 5篇真空室
  • 5篇基底
  • 4篇液晶
  • 4篇排气
  • 4篇处理系统
  • 3篇真空压力
  • 2篇氮化硅
  • 2篇氮化硅薄膜
  • 2篇氮化硅膜
  • 2篇等离子
  • 2篇等离子体
  • 2篇等离子体处理
  • 2篇电板
  • 2篇电功
  • 2篇电功率
  • 2篇电介质
  • 2篇调节设备

机构

  • 33篇安内华株式会...
  • 4篇长州产业株式...
  • 2篇三菱电机株式...
  • 2篇日本发条株式...
  • 2篇东陶机器株式...

年份

  • 1篇2011
  • 2篇2008
  • 5篇2007
  • 7篇2006
  • 8篇2005
  • 2篇2004
  • 8篇2003
共 33 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
液晶注入装置中使用的液晶皿
液晶皿(10)具有储存液晶(20)的槽部(10D)，当将槽部的液晶注入到液晶显示面板内部时，避免脱泡工序中的液体断裂状态，从而可以提高昂贵的液晶材料的利用效率。对形成沟槽的内面的侧面和底面实施处理，形成亲水性得到了提高的...
佐佐木直记土井嘉幸青山聪
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静电吸附台和基底加工装置
本申请公开了一种ESC台结构，其中吸附电极被吸附在缓和层和覆盖层之间。缓和层与覆盖层具有在电介质板和吸附电极之间的热膨胀系数。本申请还公开了一种ESC台结构，其中吸附电极被吸附在缓和层与覆盖层之间，该缓和层与覆盖层具有与...
佐护康实金子一秋冈田拓士池田直义立川俊洋井口忠士茅本隆司
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氮化硅膜制作方法及氮化硅膜制作装置
本发明的目的在于提供一种能以很好的再现性堆积成所需膜质的氮化硅膜的薄膜制作装置及其制作方法。它是在连接有排气系统和气体供给系统的真空容器内，配置发热体和基板，维持该发热体在预定温度，分解或活化由上述气体供给系统供给的原料...
森崎仁史神谷保志野村秀二户塚正裕奥友希服部亮
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基板处理装置及处理方法
本发明是一种基板处理装置及处理方法，其可抑制利用载体所致处理室环境的污染，且可连续进行稳定搬送及高品质的基板处理，其目的在于提供一种可对应今后不断进展的大型基板，并可对应各种基板尺寸具有高通用性的基板处理装置及处理方法，...
中河原均井川诚一畦原吉史
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表面处理装置
本发明提供一种表面处理装置，实现可有效地对需要温度控制的部分进行冷却或加热、并在所需的温度下均匀地进行控制的热交换器，由此可连续地进行稳定的处理。在具有排气机构和气体导入机构的处理室的内部，具备放置基板的基板放置台和气体...
佐护康实池田真义金子一秋冈田拓士
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氮化硅膜制作方法及氮化硅膜制作装置
本发明的目的在于提供一种能以很好的再现性堆积成所需膜质的氮化硅膜的薄膜制作装置及其制作方法。它是在连接有排气系统和气体供给系统的真空容器内，配置发热体和基板，维持该发热体在预定温度，分解或活化由上述气体供给系统供给的原料...
森崎仁史神谷保志野村秀二户塚正裕奥友希服部亮
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绝缘膜刻蚀装置
提供一种有效防止微粒附着在基板上的性能好的绝缘膜刻蚀装置。基板(9)保持在处理室(1)内的基板支架(2)上，由气体导入系统(3)导入刻蚀用气体。在等离子体形成装置(4)中由装置形成等离子体，通过等离子体中活性种和离子的作...
佐护康实小河原米一宫前昌典
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静电吸盘组件和冷却系统
提供一种用于半导体制造装置的静电吸盘组件，其可用水冷却，并且不发生穿透泄漏。通过调节Cu基复合材料中的具有大的热膨胀系数的Cu和Ni以及具有小的热膨胀系数的W和Mo的比，可以得到具有与用于静电吸盘的氧化铝材料相同的热膨胀...
建野范昭宫地淳佐护康实池田真义金子一秋高村富夫平山唯志池村芳之田丸正彦
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液晶注入装置中使用的液晶皿
液晶皿(10)具有储存液晶(20)的槽部(10D)，当将槽部的液晶注入到液晶显示面板内部时，避免脱泡工序中的液体断裂状态，从而可以提高昂贵的液晶材料的利用效率。对形成沟槽的内面的侧面和底面实施处理，形成亲水性得到了提高的...
佐佐木直记土井嘉幸青山聪
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射频等离子体处理方法和射频等离子体处理系统
本发明公开了利用两个不同频率的射频波的射频等离子体处理的技术，在其中能够充分并且稳定地生成和保持等离子体。第一频率是用于通过引起放电来生成等离子体，第二频率是用于在被处理的基片上生成自偏电压。在施加第一频率的射频波以后通...
土屋信昭佐护康实池田真义
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