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移除氮化硅层的方法
一种移除氮化硅层的方法,此方法系首先提供一晶圆,其中晶圆上已形成有一氮化硅层,且氮化硅层系暴露出部分晶圆。之后,将晶圆置于一蚀刻反应槽中,且此蚀刻反应槽中系注入有一含氧化能力之化学反应物,以移除晶圆上氮化硅层。其中在移除...
张庆裕
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化学泄漏自动除污装置
一种用以清除液态物质的自动除污装置,该自动除污装置位于一推车上,该装置包括:一用以提供该自动除污装置的动力来源的泵系统;一用以收集该液态物质的清理系统,其与该泵系统耦接,并由该泵系统控制其关闭与启动;一与该清理系统耦接的...
蔡宏庆
郑圭菁
王斌豫
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非易失性存储器及其读取方法
本发明公开了一种非易失性存储器及其读取方法。读取方法包括:擦除存储单元串的多个存储单元;设定存储单元中的目标存储单元,设定初始电压,依据步阶值以递增初始电压来产生多个编程电压,并使目标存储单元分别依据编程电压以依序执行多...
林昱佑
李峰旻
李明修
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在绝缘体随机存取存储器上的单一晶体管存储单元
本发明公开了一种在绝缘体随机存取存储器上的单一晶体管存储单元。一种制造于绝缘体上硅(SOI)的硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅SONOS型元件(或是BE-SONOS)以实施非易失性的操作。一层超薄的隧穿氧化层可被用来提供超...
吕函庭
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4F平方自对准侧壁主动相变化存储器
本发明公开了一种存储单元阵列、存储单元阵列装置,以及其制造方法。所述的存储单元包括自对准侧壁存储构件,该自对准侧壁存储构件包括一主动可编程电阻材料。在较佳实施例中,此存储单元的面积为4F<Sup>2</Sup>,F为用以...
龙翔澜
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用于扩展存储器操作裕度并减小第二位效应的方法
本发明描述用于在具有多个存储单元的电荷陷入存储器中增大存储器操作裕度的方法和结构,前述多个存储单元中每一存储单元能够储存多个位。在本发明的第一观点,描述在单一存储单元二位的存储器中增大存储器操作裕度的第一方法,其通过施加...
吴昭谊
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一种改良的感测放大器
本发明提供一种感测放大器,以产生一感测延迟。该感测放大器包括一参考数据线,以耦接至模拟单元电流的小阵列。该感测放大器并分离预充电路径与感测路径,且以共栅极的MOS(Metal OxideSemiconductor)对分别...
李育威
徐晓阳
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形成存储单元及周边电路的方法
本发明是有关于一种形成存储单元及周边电路的方法,是先提供一衬底,此衬底具有周边电路区及存储单元区。然后,在衬底上依序形成衬垫层和掩膜层,以便在存储单元区定义数个沟道区,再在周边电路区定义主动区。之后,在主动区间形成场氧化...
金锺五
刘承杰
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金属内连线的制造方法
一种金属内连线的制造方法,此方法是在基底上形成一层介电层,并在介电层中形成一开口。然后,在基底上形成一层金属层以填满开口。接着,以电化学法在金属层的表面形成一保护层后,移除开口以外的保护层与金属层,以完成金属内连线工艺。...
郑志贤
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减少工作电压与温度所造成的影响的推动电压产生器
一种减少工作电压与温度所造成的影响的推动电压产生器,包括一延迟线电路与一电压推动电路。延迟线电路用于根据一起始推动信号而做时间延迟,并产生一控制信号;以及,电压推动电路用于根据控制信号以做电压提高的工作。
许献文
林俞伸
洪俊雄
刘和昌
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