2024年8月27日
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上海蓝光科技有限公司
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范曼宁
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中国电子科技集团第十三研究所
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一种提高铝酸锂衬底上非极性a面GaN薄膜质量的方法
一种提高铝酸锂(302)面衬底上非极性a(11-20)面GaN薄膜质量的方法,在金属有机物化学气相淀积(MOCVD)系统中,在铝酸锂(LiAlO<Sub>2</Sub>)(302)面衬底上,在N<Sub>2</Sub>保...
周健华
潘尧波
颜建锋
郝茂盛
周圣明
杨卫桥
李抒智
马可军
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能使LED的P-GaN层表面粗化的制作方法
本发明公开了一种能使LED的P-GaN层表面粗化的制作方法,其首先在半导体衬底上依次生长出N-GaN层、量子阱层、P-GaN层、及非掺杂的粗化GaN层,然后采用ICP或离子干法刻蚀所述非掺杂的粗化GaN层以使所述非掺杂的...
郝茂盛
周健华
张楠
陈诚
潘尧波
文献传递
蓝宝石图形衬底及其制备方法和发光二极管的制造方法
本发明提供一种蓝宝石图形衬底及其制备方法和发光二极管的制造方法,先于蓝宝石衬底表面制作周期为3.9~4.1μm、间距为0.9~1.1μm、直径为2.9~3.1μm、高度为2.1~2.8μm的圆柱体光刻胶图形;然后采用感应...
袁根如
郝茂盛
陶淳
张楠
朱广敏
陈诚
杨杰
李士涛
文献传递
发光二极管及其制作方法
本发明提供一种发光二极管及其制作方法,其中该制作方法是利用金属有机化学气相沉积技术在半导体衬底上依次生长出缓冲层及外延层,所述外延层包括N-GaN层、量子阱、及P-GaN层,及成长在所述P-GaN层上的氮化铝层,然后,利...
张楠
周健华
朱广敏
郝茂盛
文献传递
倒装发光二极管的制备方法
本发明公开了一种倒装发光二极管的制备方法,包括如下步骤:1)先在衬底表面制造出周期性排列的微结构图形;2)在具有微结构图形的衬底表面制备发光二极管结构,之后分别制备P电极和N电极;3)从衬底的背面采用激光照射衬底,使衬底...
颜建锋
郝茂盛
李淼
周健华
潘尧波
袁根如
陈诚
李士涛
张国义
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自对准工艺制作凸形图形衬底的方法
本发明公开了一种用于氮化物外延生长的凸形图形衬底的制作方法-自对准工艺制作凸形图形衬底的方法。该方法通过高温处理将蓝宝石衬底上用薄光刻胶制作的多个凸形图形微结构碳化;再在其上涂覆一层厚光刻胶层,以碳化的凸形图形微结构作为...
袁根如
郝茂盛
陈诚
文献传递
发光二极管器件结构及其制作方法
本发明公开了一种发光二极管器件结构,由下到上依次包括如下各层:蓝宝石衬底、缓冲成核层、未掺杂的GaN层、N型GaN层、多量子阱层、掺Al和Mg的GaN层和掺Mg的GaN层,所述N型GaN层分为位于下面的第一掺Si的GaN...
付小朝
黄宝亿
季辉
丁晓民
朱广敏
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一种发光二极管及其制造方法
本发明提供一种发光二极管及其制造方法,于半导体衬底上依次形成N‑GaN层、量子阱层、P‑GaN层,然后刻蚀出多个直至N‑GaN层的孔道并制备绝缘内壁,同时在所述P‑GaN层上制备绝缘层,并刻蚀出桥接各该孔道的绝缘结构,接...
张楠
郝茂盛
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一种发光二极管绝缘层的制备方法
本发明提供一种发光二极管绝缘层的制备方法,包括:1)于透明基板正面形成包括N型层、量子阱层及P型层的发光外延结构;2)形成贯穿至所述透明基板一预设深度的V型槽;3)通过光刻及刻蚀工艺形成N型层平台;4)形成覆盖于所述V型...
朱广敏
郝茂盛
齐胜利
张楠
陈耀
杨杰
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一种含背镀反射层的发光二极管的切割方法
本发明提供一种含背镀反射层的发光二极管的切割方法,属于半导体照明领域。该切割方法先在半导体衬底上制作多个发光二极管单元,然后于减薄后的所述半导体衬底背面制作背镀反射层,采用砂轮切割的方法去除与各该发光二极管单元相应的背镀...
杨杰
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