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新日铁住金高新材料株式会社

作品数：79 被引量：0H指数：0
相关机构：日铁住金新材料股份有限公司新日铁住金株式会社本田技研工业株式会社更多>>
相关领域：金属学及工艺化学工程电子电信更多>>

合作机构

文献类型

  • 79篇中文专利

机构

  • 79篇新日铁住金高...
  • 34篇日铁住金新材...
  • 15篇新日铁住金株...
  • 2篇本田技研工业...
  • 1篇住友化学株式...

年份

  • 2篇2019
  • 16篇2018
  • 20篇2017
  • 16篇2016
  • 14篇2015
  • 6篇2014
  • 5篇2013
共 79 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
碳化硅单晶晶片的内应力评价方法和碳化硅单晶晶片的翘曲预测方法
本发明提供评价碳化硅(SiC)单晶晶片的内应力的方法、以及评价晶片的内应力来预测研磨完成后的SiC单晶晶片的翘曲的方法。在SiC单晶晶片面内的两点测定拉曼散射光的波数位移量，通过其差量来评价内应力。另外，翘曲的预测方法是...
小岛清中林正史下村光太永畑幸雄
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半导体用铜合金接合线
本发明的目的是提供一种材料费便宜、在高湿高温环境下的PCT可靠性优异，而且热循环试验的TCT可靠性、球压接形状、楔接合性、环路形成性等也良好的半导体元件用铜系接合线。本发明的半导体用铜合金接合线，其特征在于，是将铜合金拉...
宇野智裕寺岛晋一山田隆小田大造
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半导体装置用接合线
本发明提供能够减少异常环路的发生的接合线。所述接合线的特征在于，具备：芯材，其含有超过50mol％的金属M；中间层，其形成于所述芯材的表面，包含Ni、Pd、所述金属M和不可避免的杂质，所述Ni的浓度为15～80mol％；...
宇野智裕萩原快朗小山田哲哉小田大造
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碳化硅单晶晶片、和碳化硅单晶锭的制造方法
提供一种SiC单晶晶片，其是从采用升华再结晶法生长出的SiC单晶锭制作出的SiC单晶晶片，在作为器件制作用晶片的情况下实现了高的器件性能和器件制作的成品率。一种SiC单晶晶片，其特征在于，表面的基底面位错密度为1000个...
中林正史下村光太永畑幸雄小岛清
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用于形成平坦化膜的涂敷液和带有平坦化膜的金属箔卷材
提供能够采用辊对辊(Roll to Roll)工艺形成电子器件的带有平坦化膜的金属箔卷材。将能够短时间固化的用于形成平坦化膜的涂敷液以2.0μm以上5.0μm以下的膜厚在金属箔卷材上成膜，所述用于形成平坦化膜的涂敷液，是...
山田纪子山口左和子能势幸一
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蓄电装置容器用钢箔、蓄电装置用容器和蓄电装置及蓄电装置容器用钢箔的制造方法
一种蓄电装置容器用钢箔，具备：厚度为200μm以下的轧制钢箔；形成于所述轧制钢箔的表层、且包含Ni以及Fe的扩散合金层；和在所述扩散合金层上形成的铬系表面处理层，所述扩散合金层中的轧制方向的反极图的＜111＞极密度为2....
茨木雅晴能势幸一石冢清和后藤靖人长崎修司海野裕人
柔性显示器用不锈钢箔的制造方法
本发明提供一种能够制作卷曲和弯曲后的形状复原性优良的显示器用TFT基板、并且表面平滑性高的柔性显示器用不锈钢箔，其特征在于，其厚度为20μm～200μm，表面粗糙度Ra为50nm以下，并且具有卷绕成直径为30mm的圆筒后...
山田纪子小仓丰史久保祐治长崎修司
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基材用金属箔
本发明涉及一种基材用金属箔，其具有厚度为10～200μm的钢层、在所述钢层上生成的含有Fe和Al的合金层、以及在所述合金层上配置的含Al金属层，其中，当将所述含Al金属层表面的切断线作为轮廓曲线，并将对所述轮廓曲线进行近...
寺岛晋一小林孝之田中将元藤岛正美黑崎将夫真木纯须田秀昭长崎修司
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半导体装置用接合线及其制造方法
本发明为了同时抑制倾斜不良和弹回不良，提供一种半导体装置用接合线，其特征在于，(1)在包含线中心、并与线长度方向平行的截面(线中心截面)中，不存在长径a与短径b之比a/b为10以上且面积为15μm<Sup>2</Sup>...
山田隆小田大造大石良榛原照男宇野智裕
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半导体装置用接合线
本发明的课题是提供实现球接合部的充分且稳定的接合强度，即使在低环时也不会发生颈损伤，倾斜特性良好，FAB形状良好的以Ag为主成分的半导体装置用接合线。为了解决所述课题，本发明涉及的半导体装置用接合线，其特征在于，含有总计...
小田大造大壁巧榛原照男山田隆小山田哲哉宇野智裕
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