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长江先进存储产业创新中心有限责任公司

作品数：355 被引量：0H指数：0
相关机构：中国科学院大学长江存储科技有限责任公司中国科学院微电子研究所更多>>
相关领域：自动化与计算机技术电子电信金属学及工艺文化科学更多>>

合作机构

文献类型

  • 353篇专利
  • 2篇期刊文章

领域

  • 162篇自动化与计算...
  • 25篇电子电信
  • 6篇金属学及工艺
  • 4篇经济管理
  • 4篇文化科学
  • 2篇理学
  • 1篇石油与天然气...
  • 1篇电气工程
  • 1篇建筑科学
  • 1篇交通运输工程

主题

  • 242篇存储器
  • 172篇相变存储
  • 162篇相变存储器
  • 98篇相变
  • 57篇半导体
  • 40篇堆叠
  • 40篇选通
  • 37篇电极
  • 36篇存储阵列
  • 30篇地址线
  • 27篇导体
  • 27篇叠层
  • 27篇半导体结构
  • 27篇半导体器件
  • 24篇制作方法
  • 24篇相变材料
  • 22篇选择器
  • 22篇介质层
  • 21篇外围电路
  • 21篇键合

机构

  • 355篇长江先进存储...
  • 2篇中国科学院微...
  • 2篇中国科学院大...
  • 2篇长江存储科技...

作者

  • 1篇杨涛

传媒

  • 2篇物理学报

年份

  • 55篇2024
  • 44篇2023
  • 81篇2022
  • 149篇2021
  • 26篇2020
共 355 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
用于以较低成本形成垂直3D X-POINT存储器的新颖集成方案
一种三维交叉点存储堆叠包括多个纵向延伸的垂直柱，所述柱包括与电介质层垂直交替的金属层，所述金属层提供字线。该架构还包括沿柱的横向侧面垂直延伸的位线。纵向方向垂直于垂直方向，并且横向方向垂直于垂直方向和纵向方向。
刘峻
相变存储器及其制作方法
本公开实施例公开了一种相变存储器及其制作方法，所述相变存储器包括：相变存储阵列，位于衬底上，包括沿垂直于衬底方向设置的第一导电线、存储叠层和第二导电线；第一导电线和第二导电线平行于衬底且彼此垂直，存储叠层与第一导电线及第...
刘峻
文献传递
存储器及其制作方法
本发明实施例提供了一种存储器及其制作方法，所述方法包括：形成层叠设置的多个第一地址线、多个第一相变存储单元及多个第二地址环；第一地址线沿第一方向延伸，第二地址环沿垂直于第一方向的第二方向延伸，第一相变存储单元与第一方向以...
刘峻张恒刘国强
相变存储器单元的操作方法及系统、计算机可读存储介质
本发明提供了一种相变存储器单元的操作方法及系统、计算机可读存储介质，利用相变材料层在不同操作脉冲下具有不同的晶化比例，且在不同的晶化比例下，相变存储器单元具有不同的阻态，不同的阻态可以表示不同的数据的特性，对相变存储器单...
杨海波刘峻彭文林
文献传递
三维相变存储器器件及其形成方法
一种三维(3D)存储器器件包括：多条位线，多条位线横向延伸；公共板，公共板横向延伸；多条字线，多条字线横向延伸并且设置在多条位线与公共板之间；以及多个存储器单元，每个存储器单元设置在多条位线中的一条相应的位线与多条字线中...
刘峻
一种相变存储器及其制造方法
本申请实施例公开了一种相变存储器及其制造方法，所述方法包括：形成半导体结构，所述半导体结构包括多个结构相同且彼此独立的相变存储阵列，其中，所述相变存储阵列具有相变存储层；选择所述半导体结构中的至少一个所述相变存储阵列作为...
刘峻
文献传递
相变存储器及其控制电路
本发明提供了一种相变存储器及其控制电路。通过使第一位线控制电路和第一字线驱动模块沿着位线的延伸方向布置，第二位线控制电路和第二字线驱动模块沿着位线的延伸方向布置，从而可允许在第一字线驱动模块和第二字线驱动模块的上方空间中...
王晓娟雷威锋张曙李建平刘威刘峻
文献传递
采用CPU向3D XPOINT芯片键合的新颖集成方案
将3D交叉点存储器键合至中央处理单元芯片。通过将3D交叉点引入到VM系统和NVM系统两者当中实现了具有更高效率的更快数据处理和传输。存在CPU与3D交叉点芯片的直接键合以及主机系统与SSD的键合。与常规系统相比缩短了电路...
程卫华刘峻
2叠层3D PCM存储器的分布式阵列和CMOS架构的编程和读取偏置方案
一种用于访问三维存储器的存储器单元的方法，三维存储器包括：多个底部单元块、多个顶部单元块、被耦合到底部单元块的多个底部单元位线、被耦合到顶部单元块的多个顶部单元位线以及被耦合到位于字线之下的底部单元块和位于字线之上的顶部...
刘峻
文献传递
一种确定用于对存储器执行操作的参考电压的方法
本申请提供一种确定用于对存储器执行操作的参考电压的方法，其中所述存储器包括多个存储器单元，包括：从所述多个存储器单元中选择预定的存储器单元，其中所述预定的存储器单元具有多个处于晶态的存储单元和多个处于非晶态的存储单元；将...
张德玉董祖奇李建平付祥王颀刘峻鞠韶复
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