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台湾茂矽电子股份有限公司

作品数：67 被引量：0H指数：0
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合作机构

文献类型

  • 67篇中文专利

领域

  • 2篇文化科学

主题

  • 19篇半导体
  • 16篇蚀刻
  • 12篇电路
  • 12篇集成电路
  • 11篇多晶
  • 11篇基板
  • 10篇晶体管
  • 9篇多晶硅
  • 9篇栅极
  • 9篇存储器
  • 8篇电池
  • 8篇太阳能电池
  • 8篇绝缘
  • 8篇绝缘层
  • 7篇电极
  • 7篇场效应
  • 6篇离子注入
  • 6篇场效应晶体管
  • 6篇存储器结构
  • 5篇氧化物半导体

机构

  • 67篇台湾茂矽电子...
  • 1篇茂德科技股份...
  • 1篇科技公司

年份

  • 3篇2024
  • 2篇2021
  • 1篇2020
  • 1篇2017
  • 1篇2016
  • 3篇2015
  • 1篇2014
  • 1篇2013
  • 2篇2012
  • 1篇2011
  • 4篇2010
  • 4篇2009
  • 4篇2008
  • 1篇2007
  • 3篇2006
  • 4篇2005
  • 1篇2004
  • 5篇2003
  • 2篇2002
  • 8篇2000
共 67 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
非挥发性存储器结构及其制造方法
在本发明的非挥发性存储器中，选择闸是形成于浮动/控制闸堆叠的侧壁上方的自对准间壁，利用同一个遮罩(1710)可以进行从源极线(144)上方移除选择闸层、蚀刻在源极线区域内的沟槽绝缘层、掺杂源极线等步骤，这种存储器可以形成...
段行迪李立钧汤姆斯·东隆·张梁仲伟
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非挥发性存储器结构及其制造方法
在本发明的非挥发性存储器中，选择闸是形成于浮动/控制闸堆叠的侧壁上方的自对准间壁，利用同一个掩膜(1710)可以进行从源极线(144)上方移除选择闸层、蚀刻在源极线区域内的沟槽绝缘层、掺杂源极线等步骤，这种存储器可以形成...
段行迪李立钧汤姆斯·东隆·张梁仲伟
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二极管结构及其制造方法
本公开提供一种二极管结构及其制造方法。其结构包括第一金属层、第一型的导电性半导体层、第二型的导电性半导体层、沟渠部以及第二金属层。第一型的导电性半导体层形成于第一金属层之上。第二型的导电性半导体层形成于第一型的导电性半导...
翁宏达邱云贵朱建仲
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非挥发性内存及其制造方法
一种非挥发性内存及其制造方法，其中：一选择闸(140)形成于一半导体上。一介电层(810，1010，1030)形成于该选择闸上。一浮置闸层(160)形成于该选择闸上。自该选择闸的至少一部分上移除该浮置闸。一介电层(151...
丁逸
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具有倒T型栅极MOS晶体管的低度掺杂漏极的制造方法及其结构
本发明是关于一种具有倒T型栅极MOS晶体管的低度掺杂漏极(LDD)的制造方法及其结构。该倒T型栅极是由下层较长的第一硅化物(silicide)及上层较短的钨(tungsten)组成，其纵剖面呈倒T字型，藉以上两种材料的组...
夏良聚张东隆
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金属-氧化物-半导体场效应晶体管的栅极氧化层工艺
一种金属-氧化物-半导体场效应晶体管的栅极氧化层工艺，包括对栅极氧化层区表面的清洗，用以获得良好的表面特性；生成栅极氧化层；覆盖光致抗蚀层；曝光与显影，用以形成栅极氧化层；离子注入，用以调整该金属-氧化物-半导体场效应晶...
陈瑞琪陈汝政
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双面太阳能电池的制造方法
本发明关于一种双面太阳能电池的制造方法，利用热氧化层作为保护层以及扩散的屏障而形成选择性射极，以及使用背表面局部接触结构配合背表面氧化层的钝化效果取代背面整面的表面电场层，由此可降低太阳能电池的接触电阻以及减少表面再结合...
朱文毅
注入氟的多晶硅缓冲局部氧化半导体器件的制造方法
本发明为一种利用氟离子的注入以避免器件有源区形成凹洞的半导体器件的制造方法，其步骤包含有，形成衬垫层于硅基片上，在衬垫层上沉积一多晶硅缓冲层，注入氟离子至多晶硅缓冲层，沉积一氮化硅层，限定器件有源区，形成场氧化物层，去除...
庄敏宏王志贤倪诚聪
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高密度存储器结构
一动态随机存取存储器(DRAM)集成电路，包含一确定在一半导体基板内的凹陷区域。此凹陷区域具有自一底面延伸的基本上垂直的边侧。一场效三极管经确定以邻接于该凹陷区域。一包含有下电容器板、电容介电体及上电容器板的电容器结构，...
蔡南雄陈民良
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双面太阳能电池的制造方法
一种双面太阳能电池的制造方法，至少包含步骤：提供半导体基板；于半导体基板的第一表面上形成射极层，并于半导体基板与射极层间形成pn结；于射极层上形成第一抗反射膜；于半导体基板的第二表面上以网版印刷技术形成掺杂源层；于半导体...
沈昌宏罗珮婷游志成曾玉珠
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