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广辉电子日本株式会社

作品数：11 被引量：0H指数：0
相关机构：广辉电子股份有限公司友达光电股份有限公司更多>>

合作机构

文献类型

  • 11篇中文专利

主题

  • 11篇液晶
  • 11篇液晶显示
  • 11篇液晶显示装置
  • 11篇显示装置
  • 7篇掩模
  • 7篇扫描线
  • 6篇蚀刻
  • 5篇色调
  • 4篇接触点
  • 4篇光掩模
  • 3篇阳极
  • 3篇阳极氧化
  • 2篇低电阻
  • 2篇电极
  • 2篇电阻
  • 2篇钝化
  • 2篇氧化工序
  • 2篇配线
  • 2篇显像
  • 2篇象素

机构

  • 11篇广辉电子日本...
  • 8篇广辉电子股份...
  • 3篇友达光电股份...

年份

  • 1篇2010
  • 1篇2009
  • 1篇2008
  • 2篇2007
  • 1篇2006
  • 5篇2005
共 11 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
液晶显示装置及其制造方法
一种液晶显示装置及其制造方法，采用半色调图像曝光技术的1次照相蚀刻工序，形成沟道蚀刻型的绝缘栅极型晶体管半导体层与源极/漏极配线，将以往制造工序数删减的以往的制造方法中，会使制造容许值(余量)变小，源极/漏极配线之间的距...
川崎清弘
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液晶显示装置及其制造方法
本发明的目的在于克服在减少现有制造步骤数的制造方法中，通道长度变短时，制造宽裕度变小并导致良率降低的问题。本发明通过：由半色调曝光技术的导入而使信号线的形成步骤及像素电极的形成步骤合理化的新技术、将半色调曝光技术导入作为...
川崎清弘
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液晶显示装置及其制造方法
一种液晶显示装置及其制造方法，采用半色调图像曝光技术的1次照相蚀刻工序，形成沟道蚀刻型的绝缘栅极型晶体管半导体层与源极/漏极配线，将以往制造工序数删减的以往的制造方法中，会使制造容许值(余量)变小，源极/漏极配线之间的距...
川崎清弘
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液晶显示装置及其制造方法
液晶显示装置及其制造方法，采用半色调图像曝光技术，在1次的照相蚀刻工程上，形成信道蚀刻型的绝缘栅极型晶体管的半导体层以及源极/漏极配线，以往的制造方法企图删减制造工程数，结果，不但逐渐缩小制造上的容许度，源极/漏极配线间...
川崎清弘
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液晶显示装置及其制造方法
本发明涉及液晶显示装置及其制造方法。采用半色调图像曝光技术，在1次的照相蚀刻工序上，形成沟道蚀刻型的绝缘栅极型薄膜晶体管的半导体层以及源极/漏极布线，以往删减制造工序数的制造方法，不但会逐渐缩小制造上的余裕(Margin...
川崎清弘
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液晶显示装置及其制造方法
本发明涉及液晶显示装置及其制造方法。采用半色调图像曝光技术，在1次的照相蚀刻工序上，形成沟道蚀刻型的绝缘栅极型薄膜晶体管的半导体层以及源极/漏极布线，以往删减制造工序数的制造方法，不但会逐渐缩小制造上的余裕(Margin...
川崎清弘
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液晶显示装置及其制造方法
在削减现有的制造工序数的制造方法中，若信道长度变短，则制造余度(区域)变小且合格率降低。本发明提出了下列各种新技术：首先，进行蚀刻截止层的形成，其次通过导入网版曝光技术，使扫描线的形成工序和触点的形成工序合理化的新技术；...
川崎清弘
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液晶显示装置及其制造方法
在削减现有的制造工序数的制造方法中，若信道长度变短，则制造余度(区域)变小且合格率降低。本发明提出了下列各种新技术：首先，进行蚀刻截止层的形成，其次通过导入网版曝光技术，使扫描线的形成工序和触点的形成工序合理化的新技术；...
川崎清弘
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液晶显示装置及其制造方法
本发明提供一种液晶显示装置及其制造方法，其课题是针对减少已有制造步骤数的制造方法中，当沟道长度缩短时，制造余裕度(margin)变小而良率降低的情形而研发。本发明的解决手段是具备：通过半色调(halftone)曝光技术的...
川崎清弘
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液晶显示装置及其制造方法
本发明的目的在于克服在减少现有制造步骤数的制造方法中，通道长度变短时，制造宽裕度变小并导致良率降低的问题。本发明通过：由半色调曝光技术的导入而使信号线的形成步骤及像素电极的形成步骤合理化的新技术、将半色调曝光技术导入作为...
川崎清弘
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