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日立东部半导体株式会社
作品数:
16
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相关机构:
日立制作所
尔必达存储器股份有限公司
日立ULSI工程株式会社
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合作机构
日立制作所
尔必达存储器股份有限公司
日立ULSI工程株式会社
日立超大规模集成电路系统株式会...
日立原町电子工业株式会社
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年份
2篇
2007
1篇
2006
3篇
2005
5篇
2003
1篇
2002
1篇
2001
2篇
1997
1篇
1996
共
16
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半导体器件及其制造工艺
一种存储模块MM,其中的模块布线衬底5装配有用来任意转换待要输入到存储器1的功能转换脚FP0和FP1的功能转换信号的功能转换装置KK1和KK2。而且,利用这些功能转换装置KK1和KK2,功能转换信号被任意地从任何不连接、...
管野利夫
津久井诚一郎
常田健佑
文献传递
半导体器件和存储器模块
借助于将其背表面彼此层叠,二个各接受2位单元存储器存取的存储器芯片被装配成叠层结构,以便进行4位单元存储器存取。存储器模块被构造成其中二个各接受2位单元存储器存取的存储器芯片借助于将其背表面彼此层叠而被装配成叠层结构以便...
川村昌靖
中村淳
坂口良宽
木下嘉隆
高桥康
井上吉彦
文献传递
半导体器件制造方法和半导体器件的制造装置
一种减少生产步骤数目和进行流水线生产的半导体器件制造方法,该方法通过将芯片部件(22)和半导体切片(21)装配到经过检查的多单元基片(27)中包含的布线板(2)上,其中布线板(2),即在当对多单元基片(27)进行检查时发...
石津昭夫
高岛一寿
大场四郎
小林义彦
伊田勤
芳贺茂
高田进
神代岩道
荒井德长
挂川佑次
文献传递
半导体器件制造方法和半导体器件的制造装置
一种减少生产步骤数目和进行流水线生产的半导体器件制造方法,该方法通过将芯片部件(22)和半导体切片(21)装配到经过检查的多单元基片(27)中包含的布线板(2)上,其中布线板(2),即在当对多单元基片(27)进行检查时发...
石津昭夫
高岛一寿
大场四郎
小林义彦
伊田勤
芳贺茂
高田进
神代岩道
荒井德长
挂川佑次
文献传递
半导体集成电路
在由多个电子电路组成的半导体集成电路(这些电路分别配置了实现信号传输的接口电路并由多个独立的电源引线端供电)中配置了保护元件,它们分别具有在电源正常状态下使元件关闭的高阈值电压,并将避免静电击穿的一电阻和一二极管连到位于...
丹场裕子
长谷明广
冈崎孝男
文献传递
半导体集成电路
在由多个电子电路组成的半导体集成电路(这些电路分别配置了实现信号传输的接口电路并由多个独立的电源引线端供电)中配置了保护元件,它们分别具有在电源正常状态下使元件关闭的高阈值电压,并将避免静电击穿的一电阻和一二极管连到位于...
丹场裕子
长谷明广
冈崎孝男
文献传递
激光模块和使用它的光头、光学信息记录再现装置
本发明涉及装载半导体激光芯片和反射面的激光模块,为高精度确定半导体激光芯片的位置,同时缩短生产时间、实现小型化和低成本,使在硅基板上设置的反射面上具有台阶,通过将这些反射面作为出射激光的反射面和激光芯片的位置确定面,可高...
有川康之
橘进
重松和男
田口英夫
中村滋
友部哲哉
文献传递
批可擦除不挥发存储器装置和擦除方法
一个提供有存储单元可成批擦除的不挥发存储装置,通过程序操作,释放积累在浮栅上的电子电荷,适合执行擦除操作。执行次序为读擦除单位的存储单元,并在这些不挥发存储单元上执行预写操作;用相对大能量,对所说擦除单位的不挥发存储单元...
高桥正人
小田桐美智子
古野毅
古泽和则
和田正志
文献传递
适合宽频带的寄存器和信号发生方法
假设安装存储器装置数量的最大值,固定和设置外部延迟复制电路。要求的频带分为多个子频带,输出缓存器的延迟时间和内部延迟复制电路互相转换,使用每个子频带,从而设定内部延迟复制电路实际最大值和实际最小值。选择针能选择内部延迟复...
西尾洋二
船场诚司
柴田佳世子
管野利夫
池田博明
饭塚拓夫
反町正之
文献传递
适合宽频带的寄存器和信号发生方法
假设安装存储器装置数量的最大值,固定和设置外部延迟复制电路。要求的频带分为多个子频带,输出缓存器的延迟时间和内部延迟复制电路互相转换,使用每个子频带,从而设定内部延迟复制电路实际最大值和实际最小值。选择针能选择内部延迟复...
西尾洋二
船场诚司
柴田佳世子
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饭塚拓夫
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