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华夏光股份有限公司

作品数：75 被引量：0H指数：0
相关机构：财团法人成大研究发展基金会更多>>
相关领域：文化科学更多>>

合作机构

文献类型

  • 75篇中文专利

领域

  • 2篇文化科学

主题

  • 48篇发光
  • 39篇半导体
  • 36篇二极管
  • 36篇发光二极管
  • 25篇基板
  • 20篇电性
  • 16篇掺杂
  • 12篇电极
  • 11篇半导体装置
  • 10篇发光层
  • 6篇氮化物
  • 6篇基材
  • 5篇导电
  • 5篇电源
  • 5篇封装
  • 4篇蚀刻
  • 4篇柱体
  • 4篇封装方法
  • 4篇凹坑
  • 4篇并联

机构

  • 75篇华夏光股份有...
  • 11篇财团法人成大...

年份

  • 1篇2017
  • 17篇2016
  • 1篇2015
  • 18篇2014
  • 31篇2013
  • 7篇2012
共 75 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
照明装置
一种照明装置，包括至少一个发光源。发光源包括：基板；至少一个恒定电流元件；与至少一个发光芯片，设于该基板上，并且电性耦接于恒定电流元件以及中央直流电源。所述照明装置包括多个发光源，并且该多个发光源相互并联。其不需使用电解...
邵世丰张源孝杨适存
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发光二极管阵列及发光二极管芯片
本发明揭露一种发光二极管阵列，其包括基板、多个发光二极管单元、至少一导光结构及数条互联机。上述发光二极管单元位于基板且彼此电性隔离。每一发光二极管单元包括n侧氮化物半导体层、p侧氮化物半导体层及主动层。导光结构位于相邻二...
杨适存陈嘉南刘恒
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半导体发光装置及其制造方法
本发明为一种半导体发光装置及其制造方法。基板具有第一表面。图案化层形成于基板上，具有第二表面，其与第一表面之间形成一角度。第一掺杂层、发光层及第二掺杂层依次形成于基板及图案化层上，且延伸平行于第一表面。
谢炎璋
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半导体装置的形成方法
一种半导体装置的形成方法，包括：形成第一型掺杂层、第二型掺杂层及电性耦合于第一型掺杂层与第二型掺杂层之间的内部电性连接层。在一实施例中，使用四族元素前驱物(group IV based precursor)与氮基前驱物(...
谢炎璋许进恭刘恒李君超施雅萱陈嘉南
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发光二极管阵列
一种发光二极管阵列，包括第一发光二极管装置以及第二发光二极管装置，其中两个发光二极管装置形成于一基底上，且一间隙位于两个发光二极管装置之间。此间隙被填入一聚合物以及多个微结构，该微结构用以将两个发光二极管装置的侧向光折射...
洪瑞华卢怡安郭佩芸
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堆栈半导体装置及其制造方法
一种堆栈半导体装置及其制造方法。提供一第一半导体单元，其具有不是极化平面的第一表面。在第一表面上形成至少一凹坑，该凹坑具有第二表面，且第二表面的延伸方向与第一表面的延伸方向具有一夹角。在第二表面上形成一极化增强的隧穿结层...
许进恭赖韦志
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半导体发光装置及其制造方法
一种半导体发光装置的制造方法，包含：(a)提供一暂时基材；(b)形成一具有至少一个发光单元的多层发光二极管(LED)磊晶结构于暂时基材上，其中发光单元的一第一表面接触暂时基材，发光单元包含一N型层、一发光区、一P型层；(...
洪瑞华卢怡安刘恒
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半导体装置及其制造方法
一种半导体装置及其制造方法。形成第一磊晶结构在具有多个突起部的图案化基板上，且形成穿隧接面层在第一磊晶结构上。其中，第一磊晶结构因图案化基板而具有一特定数量的位错（dislocation），至少部份位错延伸向上而形成多个...
谢炎璋
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半导体装置
本发明提供一种半导体装置，包含p型掺杂层、n型掺杂层及内部电性连接层，其电性耦合于p型掺杂层与n型掺杂层之间。在一个实施例中，内部电性连接层包含四族元素与氮元素，且四族元素与氮元素的原子数占上述内部电性连接层总原子数百分...
谢炎璋许进恭刘恒李君超施雅萱陈嘉南
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发光二极管装置
一种发光二极管，包含至少一个发光二极管单元。每一个发光二极管单元包含至少一个发光二极管，其包含第一掺杂层、第二掺杂层及导电缺陷层。其中，导电缺陷层形成于第一或第二掺杂层上。导电缺陷层可位于两个迭加发光二极管之间，或者位于...
谢炎璋
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