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无锡华润上华半导体有限公司

作品数：917 被引量：50H指数：3
相关机构：无锡华润上华科技有限公司东南大学电子科技大学更多>>
发文基金：江苏省自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术文化科学金属学及工艺更多>>

合作机构

文献类型

  • 899篇专利
  • 16篇期刊文章
  • 1篇会议论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 87篇电子电信
  • 22篇自动化与计算...
  • 11篇文化科学
  • 10篇金属学及工艺
  • 9篇经济管理
  • 5篇化学工程
  • 5篇电气工程
  • 3篇轻工技术与工...
  • 2篇交通运输工程
  • 1篇机械工程
  • 1篇建筑科学
  • 1篇医药卫生
  • 1篇理学

主题

  • 195篇半导体
  • 130篇光刻
  • 106篇晶体管
  • 105篇刻蚀
  • 96篇氧化层
  • 83篇衬底
  • 74篇晶圆
  • 74篇半导体器件
  • 67篇多晶
  • 65篇掩膜
  • 60篇圆片
  • 59篇晶片
  • 53篇绝缘栅
  • 52篇多晶硅
  • 51篇外延层
  • 48篇电路
  • 48篇漂移
  • 43篇导电类型
  • 43篇电阻
  • 43篇介质层

机构

  • 917篇无锡华润上华...
  • 429篇无锡华润上华...
  • 5篇东南大学
  • 1篇电子科技大学
  • 1篇南京邮电大学
  • 1篇江南大学
  • 1篇微电子有限公...
  • 1篇苏州博创集成...

作者

  • 4篇孙伟锋
  • 1篇张波
  • 1篇李冰
  • 1篇王德进
  • 1篇赵野
  • 1篇成建兵
  • 1篇俞军军
  • 1篇聂卫东

传媒

  • 8篇中国集成电路
  • 2篇电子与封装
  • 1篇电子工艺技术
  • 1篇东南大学学报...
  • 1篇江苏锅炉
  • 1篇无线互联科技
  • 1篇无锡职业技术...
  • 1篇中国科学：信...
  • 1篇中国电器工业...

年份

  • 1篇2018
  • 64篇2017
  • 132篇2016
  • 147篇2015
  • 126篇2014
  • 83篇2013
  • 195篇2012
  • 147篇2011
  • 18篇2010
  • 1篇2009
  • 1篇2008
  • 1篇2006
  • 1篇2005
共 917 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
栅极及MOS晶体管的形成方法
一种栅极及MOS晶体管的形成方法。栅极的形成方法，包括：在半导体衬底上依次形成栅介电层和多晶硅层；在多晶硅层上形成硬掩膜层；对硬掩膜层进行干法刻蚀后，用湿法腐蚀法对硬掩膜层进行横向刻蚀，形成栅极目标图形；以硬掩膜层为掩膜...
匡金王乐张明敏邵永军
文献传递
静电放电保护装置
本发明提供了一种静电放电保护装置，在PNPN结构中引入静电放电(ESD)掺杂注入层，并且通过调整ESD掺杂注入层的注入能量及剂量以决定合适的触发电压，通过调整ESD掺杂注入层的尺寸以得到合适的维持电压，防止造成闩锁效应问...
代萌
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沟槽隔离形成方法
本发明公开了一种沟槽隔离形成方法，该方法包括：采用低压化学气相淀积工艺在半导体晶片表面上形成第一氧化硅层；在第一氧化硅层中刻蚀形成沟槽图形；以刻蚀后的第一氧化硅层为掩模在半导体晶片中刻蚀形成沟槽；去除第一氧化硅层；进行沟...
牟亮伟侯宏伟
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ROM器件及其制造方法
本发明实施例公开了一种ROM器件及其制造方法，所述方法包括：提供基底；在所述基底内形成埋层区；在具有埋层区的基底上形成栅极；在所述基底的埋层区上形成金属硅化物。本发明所提供的ROM器件制造方法，由于在所述基底的埋层区上形...
肖莉
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显影液浓度的验证方法
一种显影液浓度的验证方法，包括以下步骤：步骤一，将涂覆有光刻胶的圆片的曝光区域划分为多个小块，对每个小块依次使用递增或递减的曝光能量进行曝光，并记录下每个小块的曝光能量值；步骤二，使用被验证的显影液对所述光刻胶进行显影；...
吴小龙
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半导体结构形成方法
一种半导体结构形成方法，包括：提供衬底；向衬底注入离子，形成n埋层区域；在n埋层区域上形成n型外延层；在n型外延层内形成多个有源区和隔离区；在n型外延层内的部分有源区形成NSINK区，所述NSINK区与n埋层区域连通；在...
青云
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一种形成器件正面金属图形的方法
本发明提供一种形成器件正面金属图形的方法，包括：形成器件内部互连金属层；形成覆盖晶圆正面的第一光刻胶层；对第一光刻胶层实施无器件正面金属图形的曝光处理；形成覆盖第一光刻胶层的第二光刻胶层；实施有器件正面金属图形的曝光处理...
陈永南胡守时
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微电机系统制造工艺中聚酰亚胺刻蚀后去除光刻胶的方法
本发明涉及一种微电机系统制造工艺中聚酰亚胺刻蚀后去除光刻胶的方法，包括下列步骤：采用干法去胶机台在顶针顶起状态下对圆片的光刻胶表面进行预处理，包括用等离子体对所述光刻胶表面进行轰击；对所述光刻胶进行湿法去胶。本发明首先在...
章安娜李晓明贺亦峰许凌燕
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用于光刻机测试的套刻测试图形及光刻机的测试方法
本发明涉及一种用于光刻机测试的套刻测试图形，包括内侧图形区域和外侧图形区域，内侧图形区域包括两条内侧条状图形，外侧图形区域包括两条外侧条状图形，两条内侧条状图形各与两条外侧条状图形中的一条平行；内侧图形区域和外侧图形区域...
黄玮
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确定光刻机的最佳焦距的方法
本发明提供一种确定光刻机的最佳焦距的方法，包括如下步骤：提供具有测试标记的掩膜板，所述测试标记包括不对称的且具有尖锐结构的第二测试标记；将所述测试标记转移到基底上；测试不同焦距下光刻机的套刻偏移量值；找出最小的套刻偏移量...
黄玮
文献传递
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