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东莞市天域半导体科技有限公司

作品数：101 被引量：1H指数：1
相关机构：中国科学院瀚天天成电子科技(厦门)有限公司全球能源互联网研究院有限公司更多>>
相关领域：电子电信化学工程文化科学金属学及工艺更多>>

合作机构

文献类型

  • 96篇专利
  • 2篇会议论文
  • 2篇标准
  • 1篇期刊文章

领域

  • 11篇电子电信
  • 10篇化学工程
  • 6篇金属学及工艺
  • 6篇文化科学
  • 5篇经济管理
  • 5篇自动化与计算...
  • 1篇石油与天然气...
  • 1篇电气工程
  • 1篇水利工程
  • 1篇医药卫生
  • 1篇理学

主题

  • 27篇碳化硅
  • 20篇外延片
  • 18篇硅外延
  • 12篇抛光
  • 11篇石英管
  • 11篇碳化
  • 9篇抛光垫
  • 9篇高温
  • 8篇抛光设备
  • 8篇外延炉
  • 8篇密封
  • 8篇SIC
  • 7篇托盘
  • 7篇浓度场
  • 7篇磨抛
  • 7篇晶片
  • 6篇真空室
  • 6篇石英
  • 6篇外延层
  • 6篇密封结构

机构

  • 101篇东莞市天域半...
  • 3篇中国科学院
  • 2篇中国电子科技...
  • 2篇全球能源互联...
  • 2篇瀚天天成电子...
  • 1篇中国电子科技...
  • 1篇中国电子科技...
  • 1篇中国电子技术...
  • 1篇国网浙江省电...
  • 1篇株洲中车时代...
  • 1篇江苏卓远半导...
  • 1篇山东天岳先进...
  • 1篇国网经济技术...
  • 1篇芜湖启迪半导...

作者

  • 2篇韩景瑞
  • 1篇孙国胜
  • 1篇董林
  • 1篇张新和

传媒

  • 2篇2014`全...
  • 1篇电力电子技术

年份

  • 6篇2023
  • 32篇2022
  • 6篇2021
  • 8篇2020
  • 6篇2019
  • 3篇2018
  • 15篇2017
  • 1篇2016
  • 3篇2015
  • 6篇2014
  • 4篇2013
  • 7篇2012
  • 4篇2011
共 101 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种气缸加压式环刀型修盘器及其清洗抛光垫的方法
本发明涉及抛光设备技术领域，尤其涉及一种气缸加压式环刀型修盘器，包括：被吸附平台，开设在所述被吸附平台底部外围的环形刀口，及开设在所述被吸附平台底部的导流槽，所述环形刀口的高度为3mm～20mm、宽度为2mm～5mm，且...
卓俊辉孔令沂邓菁韩景瑞孙国胜李锡光
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一种碳化硅外延晶片生长用样品托上的复合涂层制备方法
本发明公开了一种碳化硅外延晶片生长用样品托上的复合涂层制备方法，包括步骤：S1、采用射频线圈加热型CVD设备，在石墨材质样品托上沉积一层SiC涂层；S2、采用羊毛毡吸附旋转打磨的方式，在SiC涂层上镶嵌金刚石微纳颗粒；S...
丁雄傑韩景瑞杨旭腾种涞源李锡光
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一种SiC雪崩光电二极管器件外延材料的制备方法
本发明公开一种SiC雪崩光电二极管器件外延材料的制备方法，其包括以下步骤：S001：将SiC单晶衬底放在反应腔内，将反应腔加热1550℃‑1700℃，同时通入氢气以清洁SiC单晶衬底表面，且同时蚀刻过SiC单晶衬底表面，...
张新河孔令沂韩景瑞刘丹孙国胜李锡光萧黎鑫
一种垂直式碳化硅高温氧化装置
本发明公开一种垂直式碳化硅高温氧化装置，其包括：双层石英管嵌套结构，其包括外层石英管及镶嵌于外层石英管中的内层石英管，其中，该内、外层石英管之间形成一环形空腔，双层石英管嵌套结构两端分别通过一密封结构固定装配，令内、外层...
孙国胜董林王雷赵万顺刘兴昉闫果果郑柳
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一种8英寸单片高温碳化硅外延生长室结构
本实用新型公开一种8英寸单片高温碳化硅外延生长室结构包括：外延生长室，其由感应加热材料制成，该外延生长室中形成有一矩形腔室，且该外延生长室于矩形腔室中设置有承载槽，藉由该承载槽承载用于装载SiC晶片的8英寸的托盘，该外延...
孙国胜杨富华宁瑾刘兴昉赵永梅王占国李锡光张新河
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一种碳化硅外延晶片硅面贴膜后的清洗方法
本发明公开了一种碳化硅外延晶片硅面贴膜后的清洗方法，其涉及半导体清洗工艺领域，其包括湿法清洗和气相清洗，所述气相清洗为使用氢气蚀刻去除晶片表面顽固的有机物，其中氢气的温度控制在900～1500℃；本技术方案的湿法清洗主要...
刘丹刘福成冯禹李锡光
一种高温大面积碳化硅外延生长装置及处理方法
本发明公开了一种高温大面积碳化硅外延生长装置及处理方法。该装置包括：不锈钢制作的密闭工作室、位于工作室内的石墨反应腔室、位于反应腔室的外围的加热组件；于反应腔室内设置有托盘槽，承载有碳化硅衬底的托盘放置于该托盘槽内；反应...
孙国胜董林王雷赵万顺刘兴昉闫果果郑柳
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一种超高温双层水冷石英管真空室用双密封结构
本发明公开一种该超高温双层水冷石英管真空室用双密封结构，其包括有一双层石英管嵌套结构及嵌套于其两端的不锈钢密封组件，该双层石英管嵌套结构包括：一外层石英管及内嵌于外层石英管中的内层石英管，其之间形成一环形空腔；该不锈钢密...
孙国胜董林王雷赵万顺刘兴昉闫果果郑柳
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一种SiC外延片的化学机械清洗方法及专用工具
本发明涉及一种SiC外延片的化学机械清洗方法以及该方法中的专用工具，该清洗方法包括：先将SiC外延晶片放置在基座上固定，晶片将通过基座实现旋转；其次，采用毛刷作为抛光刷，抛光刷自转并沿着晶片半径方向往复移动，对晶片的表面...
张新河孙国胜李锡光萧黎鑫刘丹谢建良范志颂
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一种SiC化学气相沉积设备反应腔配件清洁方法
本发明涉及SiC化学气相沉积技术领域，具体涉及一种SiC化学气相沉积设备反应腔配件清洁方法，包括如下步骤：(1)机械摩擦；(2)除尘；(3)超声清洗；(4)高温纯化：将配件置于高温炉中并通入气体进行纯化，控制高温炉的气压...
梁土钦孔令沂韩景瑞杨旭腾周泽成李锡光邹雄辉
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