上海太阳能电池研究与发展中心
- 作品数：122 被引量：56H指数：4
- 相关机构：中国科学院华东师范大学西安工业大学更多>>
- 发文基金：中国科学院知识创新工程重要方向项目上海市“科技创新行动计划”国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电气工程理学电子电信一般工业技术更多>>
- 磁控溅射制备Zr膜的应力研究被引量：2
- 2012年
- 为了研究磁控溅射方法制备的Zr膜的应力分布情况,采用探针轮廓仪测量镀膜前后基片在1维方向上的形变,根据镀膜前后基片曲率半径的变化和Stoney公式,用自编应力计算软件计算出薄膜的内应力。结果表明,Zr膜中主要存在的是压应力,且分布不均匀;工作气压对Zr膜内应力影响不大,但膜厚对Zr膜内应力影响较大,且随膜厚的增加,Zr膜中压应力减小。
- 曹鸿张传军王善力褚君浩
- 关键词：自支撑应力磁控溅射
- a-Si∶H/SiO_2多量子阱材料制备及其光学性能和微结构研究
- 2011年
- 利用等离子体增强化学气相沉积技术制备了a-Si:H/SiO2多量子阱结构材料.对a-Si:H/SiO2多量子阱样品分别进行了3种不同的热处理,其中样品经1100℃高温退火可获得尺寸可控的nc-Si:H/SiO2量子点超晶格结构,其尺寸与非晶硅子层厚度相当.比较了a-Si:H/SiO2多量子阱材料与相同制备工艺条件下a-Si:H材料的吸收系数,在紫外/可见短波段前者的吸收系数明显增大,光学吸收边蓝移,说明该材料具有明显的量子尺寸效应,验证了采用a-Si:H/SiO2多量子阱结构来提高太阳能电池光电转换效率的可行性.另外,尺寸可控的nc-Si:H/SiO2量子点超晶格结构的形成,为纳米硅新结构太阳能电池的研究和制备奠定了基础.
- 马小凤王懿喆周呈悦
- 关键词：多量子阱量子限制效应光学吸收
- CZTS薄膜太阳电池研究进展
- 锌黄锡矿结构的Cu2ZnSnS4(CZTS)材料不仅具有与黄铜矿结构的Cu(In,Ga)Se2(CIGS)材料相似的晶体结构和光电性质,而且CZTS组成元素储量丰富、无毒、成本低廉,因而被认为是很有发展前途的薄膜太阳能电...
- 陶加华孙琳杨平雄褚君浩
- 一种下层配置的n-i-p结构的CdTe薄膜太阳能电池
- 本发明公开了一种下层配置的n-i-p结构的CdTe薄膜太阳能电池，该电池包括：衬底，在衬底上依次生长有金属Mo复合背电极层、重掺杂p<Sup>＋</Sup>-CdTe层、i-CdTe层、n-CdS层、前电极透明导电氧化物...
- 张传军邬云华王善力褚君浩
- 文献传递
- 一种用于太阳能电池的铜铟硒硫薄膜的制备方法
- 本发明公开了一种用于太阳能电池的CuInSe<Sub>2-x</Sub>S<Sub>x</Sub>薄膜的制备方法。该方法是基于电化学共沉积前驱体薄膜、硫化或硒化处理两个步骤。本发明方法所涉及的制备设备简单、反应条件温和，...
- 左少华江锦春崔艳峰禇君浩
- 文献传递
- 一种禁带宽度可调的碲锌镉薄膜材料的制备方法
- 本发明公开了一种禁带宽度可调的碲锌镉薄膜材料的制备方法。该方法基于射频磁控溅射，采用复合结构生长Cd<Sub>1-x</Sub>Zn<Sub>x</Sub>Te复合薄膜。通过调节沉积的Zn膜的厚度，经过快速退火，使Cd、...
- 褚君浩曹鸿王善力江锦春邬云骅潘健亮张传军葛杰
- 单级式光伏逆变MPPT方法
- 本发明公开了无DC-DC变换的单级式光伏逆变MPPT方法，所述方法包括如下步骤：(1)最大功率点迁跃时启动MPPT算法；(2)基于正弦波单周期或半周期的MPPT控制算法。本发明使逆变系统达到要求的动态性能指标，获得很高的...
- 章伟康褚君浩
- 文献传递
- 集成薄膜太阳能电池组件的制备方法
- 本发明公开了一种集成薄膜太阳能电池组件的制备方法，该方法的特征是：在电池结构膜层依次镀膜结束后，再进行激光刻线来实现电池集成的。其优点是：这样既可减少两道清洗工艺，又可避免水汽、粉尘引起对组件性能的降低。虽然本方法额外增...
- 褚君浩赵守仁王善力张传军曹鸿邬云华潘建亮孙鹏超
- 硫代硫酸钠浓度对电沉积制备铜锌锡硫硒薄膜性质的影响(英文)被引量：3
- 2013年
- 采用后硒化Cu-Zn-Sn-S电沉积预制层的方法制备了铜锌锡硫硒薄膜,其中Cu-Zn-Sn-S预制层是通过含有不同浓度的硫代硫酸钠电解液电沉积而成的.实验发现,硒化前后薄膜的性质与硫代硫酸钠浓度密切相关.SEM,EDS,XRD,Raman和透射光谱分析表明,当硫代硫酸钠的浓度为5 mM时,沉积的薄膜形貌平整,晶粒明显,组分贫锌,具有单一的铜锌锡硫硒结构,且其带隙为1.11 eV;在浓度高于5 mM下沉积的薄膜形貌粗糙并产生杂相硒化锡;在浓度低于5 mM下沉积的薄膜组分严重贫锌并生成大量的Cu2SnSe3.
- 葛杰江锦春胡古今张小龙左少华杨立红马建华曹萌杨平雄褚君浩
- 不同退火条件对磁控溅射CdS薄膜性能的影响被引量：3
- 2013年
- 采用磁控溅射法,在衬底温度300℃制备CdS薄膜,并选取370℃、380℃、390℃三个温度退火,获得在干燥空气和CdCl2源+干燥空气两种气氛下退火的CdS薄膜.通过研究热处理前后CdS薄膜的形貌、结构和光学性能表明,CdS薄膜在干燥空气中退火,晶粒度、表面粗糙度和可见光透过率变化不明显,光学带隙随退火温度的升高而增大;在CdCl2源+干燥空气中退火,随退火温度的升高发生明显的再结晶和晶粒长大,表面粗糙度增大,可见光透过率和光学带隙随退火温度的升高而减小.分析得出:上述性能的改变是由于不同的退火条件对CdS薄膜的再结晶温度和带尾态掺杂浓度改变的结果.
- 张传军邬云骅曹鸿赵守仁王善力褚君浩
- 关键词：CDS薄膜磁控溅射热退火再结晶
