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北京时代华诺科技有限公司

作品数：17 被引量：0H指数：0
相关机构：北京燕东微电子有限公司苏州晶讯科技股份有限公司更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作机构

文献类型

  • 17篇中文专利

领域

  • 4篇电子电信

主题

  • 8篇导电类型
  • 7篇保护器件
  • 6篇浪涌保护
  • 6篇半导体
  • 6篇衬底
  • 5篇芯片
  • 4篇阴极
  • 4篇泄流
  • 4篇晶闸管
  • 4篇发射区
  • 4篇保护芯片
  • 3篇单胞
  • 3篇导体
  • 3篇端口
  • 3篇多端口
  • 3篇终端结构
  • 3篇静电放电
  • 3篇静电放电保护
  • 3篇扩散
  • 3篇浪涌保护器

机构

  • 17篇北京时代华诺...
  • 6篇北京燕东微电...
  • 4篇苏州晶讯科技...

年份

  • 3篇2024
  • 5篇2020
  • 2篇2019
  • 2篇2018
  • 1篇2016
  • 2篇2015
  • 2篇2013
共 17 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种双向对称过压防护器件
本实用新型提供一种双向对称过压防护器件。该器件包括第一保护单元，第二保护单元，引线框架和封装外壳，每一保护单元包括NPN晶体管及由其控制的NPNP晶闸管和PNP晶体管及由其控制的PNPN晶闸管，第一保护单元中的NPNP晶...
张守明淮永进刘伟唐晓琦杨京花赵小瑞杨显精薛佳
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一种双向对称高速过压防护器件
本发明提供一种半导体集成过压保护器件。该集成过压保护器件包括，NPN晶体管及由其控制的NPNP晶闸管组合和PNP晶体管及由其控制的PNPN晶闸管组合，其中，NPN晶体管的基极作为该器件的负向过压参考电位端口G<Sub>‑...
张守明淮永进刘伟唐晓琦杨京花赵小瑞杨显精薛佳
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一种MOS控制晶闸管芯片
一种MOS控制的晶闸管芯片，包括：单胞结构，包括多个并联连接的第一类型单胞和多个并联连接的第二类型单胞，第一类型单胞位于第二类型单胞外侧，第一类型单胞为开通单胞，且第二类型单胞为关断单胞；以及终端结构，位于单胞结构外围。
杨显精张守明李洪朋
一种半导体结构、浪涌保护器件和制作方法
本发明公开了一种半导体结构、浪涌保护器件和制作方法，所述半导体结构包括：第一导电类型衬底；设置在所述衬底上的第一子结构和第二子结构，第一子结构包括第二导电类型阱区，设置在第二导电类型阱区上的第二导电类型注入区和第一导电类...
杨显精 张守明 韩红岩 李洪朋
一种半导体结构、浪涌保护器件和制作方法
本发明公开了一种半导体结构、浪涌保护器件和制作方法，所述半导体结构包括：第一导电类型衬底；设置在所述衬底上的第一子结构和第二子结构，第一子结构包括第二导电类型阱区，设置在第二导电类型阱区上的第二导电类型注入区和第一导电类...
杨显精 张守明 韩红岩 李洪朋
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电压浪涌保护器件及其制造方法
本发明公开一种电压浪涌保护器件及其制造方法，包括：第一导电类型的衬底；第二导电类型的第一基区，从衬底的第一表面延伸进入衬底中；与第一基区相对的第二导电类型的第二基区，从衬底的与第一表面相对的第二表面延伸进入衬底中；多个第...
杨显精张守明淮永进刘伟唐晓琦杨京花李洪朋路和超
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一种多端口低容电压浪涌保护芯片及其制作方法
本发明提供了一种多端口低容电压浪涌保护芯片及其制作方法，其具有多端口的保护功能，整体泄流能力和稳定性好，保护响应速度快、应用范围广：其包括至少两个并排且相互反向设置的保护单元，包括：衬底，具有第一导电类型；基区，具有第二...
杨显精仇利民张守明戴剑吴月挺李洪朋俞鸿骥韩红岩
电压浪涌保护器件及其制造方法
本发明公开一种电压浪涌保护器件及其制造方法，包括：第一导电类型的衬底；第二导电类型的第一基区，从衬底的第一表面延伸进入衬底中；与第一基区相对的第二导电类型的第二基区，从衬底的与第一表面相对的第二表面延伸进入衬底中；多个第...
杨显精张守明淮永进刘伟唐晓琦杨京花李洪朋路和超
一种半导体结构、浪涌保护器件和芯片
本实用新型公开了一种半导体结构、浪涌保护器件和芯片，所述半导体结构包括：第一导电类型衬底；设置在衬底上的第一子结构和第二子结构，第一子结构包括第二导电类型阱区，设置在第二导电类型阱区上的第二导电类型注入区和第一导电类型注...
杨显精张守明韩红岩李洪朋
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一种多端口低容电压浪涌保护芯片
本实用新型提供了一种多端口低容电压浪涌保护芯片，其具有多端口的保护功能，整体泄流能力和稳定性好，保护响应速度快、应用范围广：其包括至少两个并排且相互反向设置的保护单元，包括：衬底，具有第一导电类型；基区，具有第二导电类型...
杨显精仇利民张守明戴剑吴月挺李洪朋俞鸿骥韩红岩
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