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上海先进半导体制造股份有限公司

作品数：333 被引量：48H指数：3
相关机构：上海交通大学上海理工大学复旦大学更多>>
发文基金：上海市浦江人才计划项目上海市教育委员会科技发展基金上海市科委纳米专项基金更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术经济管理电气工程更多>>

合作机构

文献类型

  • 295篇专利
  • 33篇期刊文章
  • 4篇会议论文

领域

  • 72篇电子电信
  • 10篇自动化与计算...
  • 7篇经济管理
  • 4篇电气工程
  • 2篇金属学及工艺
  • 1篇化学工程

主题

  • 54篇刻蚀
  • 47篇光刻
  • 45篇淀积
  • 45篇衬底
  • 40篇外延层
  • 40篇半导体
  • 34篇多晶
  • 32篇氧化层
  • 32篇掺杂
  • 27篇多晶硅
  • 26篇晶体管
  • 26篇二极管
  • 22篇电阻
  • 21篇腔体
  • 21篇晶圆
  • 20篇芯片
  • 20篇击穿电压
  • 18篇退火
  • 18篇阻挡层
  • 17篇光刻胶

机构

  • 332篇上海先进半导...
  • 5篇上海交通大学
  • 1篇复旦大学
  • 1篇上海理工大学

作者

  • 2篇黄其煜
  • 2篇陈志勇
  • 1篇蔡斌君
  • 1篇黄宜平
  • 1篇朱亦鸣
  • 1篇周嘉
  • 1篇江志斌
  • 1篇纪新明
  • 1篇张金英
  • 1篇尤美琳
  • 1篇李娜

传媒

  • 19篇集成电路应用
  • 3篇半导体技术
  • 2篇复旦学报（自...
  • 2篇电子与封装
  • 1篇工业工程与管...
  • 1篇电子技术（上...
  • 1篇仪表技术
  • 1篇电子工业专用...
  • 1篇材料科学与工...
  • 1篇人力资源管理
  • 1篇科学技术创新
  • 1篇2013年海...
  • 1篇第九届中国国...
  • 1篇2014汽车...

年份

  • 11篇2021
  • 24篇2020
  • 10篇2019
  • 14篇2018
  • 31篇2017
  • 17篇2016
  • 11篇2015
  • 55篇2014
  • 19篇2013
  • 76篇2012
  • 41篇2011
  • 11篇2010
  • 2篇2009
  • 6篇2008
  • 1篇2007
  • 2篇2006
  • 1篇2004
共 333 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
集成电路铜制程常见缺陷的分析
本文概述了集成电路晶圆加工过程缺陷的基本常识包括分类、影响及监控，讨论了铜制程常见缺陷的类型及成因，重点讨论了种子层及电镀相关过程对缺陷产生的影响及解决方法。
王海红
一种JFET器件及其形成方法
本发明公开了一种JFET器件及其形成方法。本发明通过对漂移区横向浓度进行线性优化，并结合具有一定角度的场氧结构和阶梯场板结构，在获得高的最大漏源电压（V(BR)DS）的同时，降低了寄生的漂移区电阻，实现了饱和漏极电流（I...
吕宇强杨海波
文献传递
瞬态电压抑制器的减压外延工艺研究被引量：5
2013年
瞬态电压抑制器是用于保护高频电路电压瞬变和浪涌防护的半导体器件,由低击穿电压的雪崩二极管和低电容二极管组成。低电容二极管需要在高掺杂的P型衬底上生长近似本征的超高电阻率的N型外延层。该工艺面临的难点在于如何减少P型自掺杂并稳定控制外延层的电阻率。文章利用扩展电阻测试方法重点研究了8英寸化学气相外延减压工艺中工艺参数对外延层质量的影响和对图形畸变的影响。
王海红
关键词：瞬态电压抑制器自掺杂SRP过渡区
倒角机自动供液系统的改进方法研究
2017年
以小型PLC控制器为主控制单元,配合启停按键,液位传感器,电磁阀,电动机等辅助元器件设计自动供液系统。该系统能够实现自动配置冷却清洗液,供应倒角机使用。改进后的系统节省配液时间、提高清洗质量,进而延长倒角机载台寿命,提高设备使用率和产品的良率,降低维护成本。
傅轶
关键词：可编程序控制器PLC控制逻辑
形成于绝缘体上硅中的自隔离式高压半桥结构
本发明提供一种形成于绝缘体上硅中的自隔离式高压半桥结构，包括高侧和低侧功率开关管，高侧功率开关管的输出极与低侧功率开关管的输入极相连接并一起引出形成输出端口；其中，高侧功率开关管中的P型体区与绝缘体上硅下层的埋氧化层相接...
吕宇强
文献传递
BCD集成工艺
本发明揭示了一种BCD集成工艺，在局部氧化隔离步骤之后增加沟槽光刻步骤；对于BCD集成工艺中的DMOS器件，该沟槽光刻步骤利用局部氧化隔离步骤中形成的氧化物和氮化物作为阻挡层，在形成的沟槽中生长栅极氧化层，并淀积多晶硅填...
永福龚大卫陈雪萌吕宇强
文献传递
重掺杂P型衬底上生长高阻N型外延层的方法
本发明提供一种重掺杂P型衬底上生长高阻N型外延层的方法，包括步骤：A.提供重掺杂P型衬底；B.在重掺杂P型衬底上生长低阻N型外延层；C.在低阻N型外延层上生长重掺杂N型界面层，在此过程中采用高温烘烤/低温变速赶气减少生长...
王海红史超何瑞徐雷军梁博
文献传递
等离子体设备、等离子体设备的腔体及其中心圈结构
本发明公开了一种等离子体设备、等离子体设备的腔体及其中心圈结构，所述中心圈结构包括圆环本体和挡板；所述圆环本体的内侧壁上具有沿着所述内侧壁一圈分布的拼接缝；所述挡板贴设在所述圆环本体的内侧壁上且遮盖住所述拼接缝。本发明通...
荣海洋
文献传递
芯片的划片及制造方法
本发明公开了一种芯片的划片及制造方法。该划片方法包括以下步骤：利用等离子蚀刻技术对芯片进行蚀刻，以形成深槽；在深槽的侧壁形成氧化层保护膜；采用填充材料将深槽的表面完全覆盖；对芯片进行接触孔蚀刻工艺以及金属化工艺；利用光刻...
张栋
文献传递
隔离腔体的制造方法
本发明提供一种隔离腔体的制造方法，包括步骤：提供硅基底，其上形成有基底保护层；刻蚀基底保护层和硅基底，形成多个浅槽；在基底保护层表面和浅槽的侧壁及底部淀积含易扩散元素的扩散层；将易扩散元素扩散至与扩散层相接触的硅基底中，...
张挺张艳红邵凯谢志峰
文献传递
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