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江门市奥伦德光电有限公司

作品数：47 被引量：0H指数：0
相关机构：五邑大学华南理工大学更多>>
发文基金：广东省重大科技专项国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术文化科学更多>>

合作机构

文献类型

  • 45篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 5篇电子电信
  • 2篇一般工业技术

主题

  • 21篇光效
  • 18篇光效率
  • 18篇发光
  • 14篇LED芯片
  • 11篇二极管
  • 9篇多量子阱
  • 9篇发光效率
  • 9篇出光
  • 9篇出光效率
  • 8篇发光二极管
  • 7篇缓冲层
  • 6篇芯片
  • 6篇纳米
  • 6篇光电
  • 6篇GAN基发光...
  • 5篇势垒
  • 5篇探测器
  • 5篇芯片结构
  • 5篇GAN
  • 5篇掺杂

机构

  • 46篇江门市奥伦德...
  • 23篇五邑大学
  • 1篇华南理工大学

作者

  • 1篇李国强
  • 1篇周仕忠
  • 1篇郝锐

传媒

  • 1篇半导体光电

年份

  • 7篇2023
  • 4篇2021
  • 25篇2018
  • 3篇2014
  • 6篇2013
  • 1篇2012
共 47 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种光电探测器及其制备方法
本发明公开了一种光电探测器及其制备方法，采用液相法生长的高质量单晶衬底为基础，制作的光电探测器结构简单，无需进行复杂的气相外延即可实现光电探测器的制备，工艺简单，有利于大幅度降低生产成本；设置于衬底层与Al金属反射层之间...
杨为家吴质朴何畏陈强
一种纳米管LED及其制作方法
本发明公开了一种纳米管LED及其制作方法，所述纳米管LED包括衬底和设置在衬底上的外延层，所述外延层垂直刻蚀有多个具有相同结构的纳米管，所述纳米管的内壁和/或外壁附着有金属纳米粒子。通过在外延层采用纳米管结构，通过纳米管...
杨为家吴质朴何畏陈强
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一种GaN基发光二极管外延结构及其制备方法
本发明公开了一种GaN基发光二极管外延结构及其制备方法，该GaN基发光二极管外延结构的复合多量子阱层包括顺序生长的第一势垒层、超晶格应力调制层、第二势垒层、高温浅量子阱层与低温发光量子阱层。低温发光量子阱层包括预覆盖层、...
杨晓良郝锐吴质朴
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一种新型P‑GaN薄膜结构的LED芯片及其制备方法
本发明公开了一种新型P－GaN薄膜结构的LED芯片及其制备方法，包括衬底、缓冲层、n型半导体层、量子阱和p型半导体层，所述衬底上依次设置缓冲层、n型半导体层、量子阱和p型半导体层，其中p型半导体层包含由Ag纳米粒子形成的...
杨为家吴质朴何畏陈强
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一种长条阵列式纳米发光二极管及其制备方法
本发明公开了一种长条阵列式纳米发光二极管及其制备方法，在制作过程中在掩膜板上预留激光轨道，能够避免了激光裂片处理时对纳米发光二极管的性能造成影响，提高了产品的优良率；另外，利用Ag纳米粒子的局域表面等离子体增强效应以及良...
杨为家吴质朴何畏陈强
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一种新型的GaN基发光二极管表面粗化方法
本发明涉及一种新型的可增加光提取效率的GaN基发光二极管表面粗化方法，该方法包括：在衬底上生长N型GaN材料，发光活化层、P型GaN材料；在P型材料上沉积一层用来欧姆接触的P型透明电极；在透明电极上制备一层SiO<Sub...
郝锐马学进吴质朴
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一种纳米管LED及其制作方法
本发明公开了一种纳米管LED及其制作方法，所述纳米管LED包括衬底和设置在衬底上的外延层，所述外延层垂直刻蚀有多个具有相同结构的纳米管，所述纳米管的内壁和/或外壁附着有金属纳米粒子。通过在外延层采用纳米管结构，通过纳米管...
杨为家吴质朴何畏陈强
一种多尺寸兼容的晶圆研磨设备及其研磨方法
本发明公开了一种多尺寸兼容的晶圆研磨设备及其研磨方法，其特征在于：包括用于放置待研磨晶圆的载盘，所述载盘上放置有与待研磨晶圆材质和厚度相同的小陪片，所述小陪片的上方设置有厚度测量装置，所述厚度测量装置包括正对于小陪片上方...
陈明辉吴质朴何畏陈强
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一种自支撑垂直结构LED芯片及其制备方法
本发明公开了一种自支撑垂直结构LED芯片及其制备方法，利用LiGaO<Sub>2</Sub>材料的物理特性，在进行快速退火期间，LiGaO<Sub>2</Sub>衬底会因热冲击从而自动破碎，直接促使LiGaO<Sub>2...
杨为家吴质朴何畏陈强
一种垂直结构ZnO基LED芯片及其制备方法
本发明公开了一种垂直结构ZnO基LED芯片及其制备方法，芯片结构包括：由下至上依次排列的作为p型电极的金属Al反射电极、p型Zn<Sub>x</Sub>Mg<Sub>1‑x</Sub>O衬底层、i型Al<Sub>2</S...
杨为家吴质朴何畏陈强
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