扬州华夏集成光电有限公司
- 作品数：15 被引量：25H指数：3
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- AlGaInP LED出光效率的模拟被引量：3
- 2009年
- 采用有限元法来模拟研究采用透明电极AlGaInP LED出光效率的影响因素和分布情况,并在此基础上对不透明电极进行优化以提高芯片的出光效率。研究发现,随着窗口层厚度的增加,顶面出光效率有所下降,侧面出光效率大大提高,总出光效率呈上升趋势,且总出光效率的最高分布区从芯片的四个直角区域向中央圆形电极边缘靠近。然而,随着芯片尺寸的增加,其变化趋势正好与之相反。在此基础上进一步对普通生产芯片进行模拟分析,得知其光提取效率最高区主要分布在芯片的四个直角区域,并以此为指导进行不透明电极形状的优化,进而对其条形电极的宽度进行优化,可使所获得的出光效率比传统圆形电极提高了62.85%,能够为实际生产提供一定的理论指导。
- 林岳明张俊兵曾祥华
- 关键词：ALGAINPLED出光效率有限元法
- 回旋式连续供料的晶体生长方法及其装置
- 本发明涉及一种回旋式连续供料的晶体生长方法及其装置，属于结晶工艺技术领域，所述的方法是装料的坩埚在旋转机构的带动下依次经过具有上/下装料区、预熔区、生长区和退火区完成晶体生长；所述装置由环形布置的上/下装料区、预熔区、生...
- 李红军徐军林岳明曾金穗
- 文献传递
- 高出光效率的LED发光二极管
- 本发明涉及一种高出光效率的LED发光二极管，属于电子发光器件技术领域，本发明是对现有LED发光二极管结构的改进，通过在LED发光芯片与透明树脂间设置光折射率介于其二者之间的透明过渡介质层，这种结构的改变一方面提高了芯片出...
- 林岳明曾金穗钟艳明
- 文献传递
- 一种发光二极管制作工艺
- 本发明涉及一种发光二极管制作工艺，属于LED技术领域，本发明为克服现有铝电极LED制程中所存在若干缺点，主要特点是以氧化铟锡N型导电物质做发光二级管的N电极，无需合金便与外延片具有较好接触，这样就使得可以在做完厚铝开图光...
- 曾金穗曾文煌薛宝林
- 文献传递
- GaN基不同电极形状的LED性能比较被引量：3
- 2011年
- 对前期工作中使用Crosslight APSYS软件模拟的6种优化电极的GaN基InGaN/GaN多量子阱蓝光LED芯片进行试制并测试分析,将实验结果与软件模拟结果进行比较,并进行可靠性分析。结果表明,优化电极的实验结果和软件模拟结果基本吻合,优化电极的光学、电学等特性的确有明显改善,芯片出光效率也有提升。对称型指形在光通量、光效和电压(电流为20 mA)等方面在这6种电极中最优;旋转形电极的寿命在预测中最高,为37 000 h,对称型指形位居第二;老化对优化电极的影响与未优化电极相差不多,所以综合考虑,对称型指形的性能最优。
- 董雅娟张俊兵林岳明金豫浙王书昶曾祥华
- 关键词：GAN发光二极管光电性能
- 一种发光二极管制作工艺
- 本发明涉及一种发光二极管制作工艺，属于LED技术领域，本发明为克服现有铝电极LED制程中所存在若干缺点，主要特点是以氧化铟锡N型导电物质做发光二级管的N电极，无需合金便与外延片具有较好接触，这样就使得可以在做完厚铝开图光...
- 曾金穗曾文煌薛宝林
- 文献传递
- GaN基LED电极优化的光效研究
- 通过有限元方法模拟GaN基蓝光LED的电极结构对载流子分布的影响,并利用光线追踪模型对出光效率进行模拟,最终得到不同的电极结构对光提取效率的影响,由于氮化镓材料中的极化效应会影响发光二极管量子阱内的载流子分布,进而影响器...
- 范玉佩林岳明张俊兵曾祥华
- 关键词：氮化镓极化效应电流分布光提取效率
- 文献传递
- 梯度型温度场发热体
- 本实用新型涉及一种梯度型温度场发热体，具体涉及到一种应用于晶体生长炉中可以有效建立合适的温度梯度场的发热体，属于结晶工艺技术领域，主要特点是将若干具有一定纵截面和横截面形状的发热片合理地组合在一起，形成一个或多个电流通路...
- 徐军曾金穗李红军董永军李明远林岳明
- 文献传递
- 梯度型温度场发热体
- 本发明涉及一种梯度型温度场发热体，具体涉及到一种应用于晶体生长炉中可以有效建立合适的温度梯度场的发热体，属于结晶工艺技术领域，主要特点是将若干具有一定纵截面和横截面形状的发热片合理地组合起在一起，形成一个或多个电流通路，...
- 徐军曾金穗李红军董永军李明远林岳明
- 文献传递
- 图形蓝宝石衬底GaN基发光二极管的研制被引量：12
- 2010年
- 采用抗刻蚀性光刻胶作为掩膜,并利用光刻技术制作周期性结构,进行ICP干法刻蚀C面(0001)蓝宝石制作图形蓝宝石衬底(PSS);然后,在PSS上进行MOCVD制作GaN基发光二极管(LED)外延片;最终,进行芯片制造和测试。PSS的基本结构为圆孔,直径为3μm,间隔为2μm,深度为864 nm,呈六角形分布。与同批生长的普通蓝宝石衬底(CSS)GaN基LED芯片相比,PSS芯片的光强和光通量比CSS分别提高57.32%和28.33%(20 mA),并可减小芯片的反向漏电流,且未影响芯片的波长分布和电压特性。
- 张俊兵林岳明范玉佩王书昶曾祥华
- 关键词：光提取效率ICP
