天津理工大学理学院
- 作品数:477 被引量:886H指数:13
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- 发文基金:国家自然科学基金天津市自然科学基金天津市高等学校科技发展基金计划项目更多>>
- 相关领域:理学电子电信机械工程文化科学更多>>
- 关于不等式组成立的概率下界
- 2005年
- 提出并证明了与柯尔莫哥洛夫不等式相类似的一个结论:即n维独立的正随机变量的不等式组:X1<λμ,X1X2<λμ2,…,X1X2…Xn<λμn成立的概率下界为1-1λ.
- 汤大林
- 关键词:依概率收敛下界
- ZnS:Er量子点材料制备及其受激发光特性研究被引量:2
- 2006年
- 在水性介质中,制备了ZnS:Er量子点,并对其的X射线(XRF)谱、X射线衍射(XRD)谱、透射电子显微镜(TEM)图像和光致发光(PL)谱进行了研究,确定了所制备的ZnS:Er量子点材料中Er的浓度,观测到ZnS:Er量子点呈粒径为4nm的近球型结构。利用LD激发,在LD不同电流强度下得到ZnS:Er量子点从波长1500nm到1650nm的宽谱发射,并随着电流强度的增加ZnS:Er量子点的发射强度明显增加,当电流强度达到1.5A时,1545nm波长处的发射峰更明显。
- 张晓松开桂云李岚李燕韩旭王志刘艳格董孝义
- 掺杂型Zn(BTZ)_2白色有机电致发光器件被引量:10
- 2004年
- 合成出近白色电致发光材料--2-(2-羟基苯基)苯并噻唑螯合锌(zn(BTZ)2),以该配合物作为具有电子传输性能的发光层主体,并在其中掺入不同含量的橙红色荧光染料Rubrene,制备出具有单一发光层白色OLED器件ITO/PVK:TPD/Zn(BTZ)2:Rubrene/Al.由其电致发光(EL)光谱图及相应色坐标值, 确定了Rubrene在Zn(BTZ)2中的最佳掺杂浓度比为0.05%.按此掺杂比制备的器件,色度随外加驱动电压在很大范围内(10-22.5 V)变化很小,其色坐标均非常接近于白色等能点.当电流密度为0.1 A/cm2, 驱动电压约为20 V,器件外量子效率最高值为0.63%,相应发光效率为4.05 cd/A,此时器件的色坐标为(x=0341,y=0.334),亮度为4048 cd/m2,器件综合性能达最优.文中还对上述掺杂型白光器件的发光和电学性能及发光机理进行了深入的研究和探讨.
- 郑加金华玉林印寿根冯秀岚吴晓明孙媛媛李永舫杨春和帅志刚
- 关键词:色坐标有机电致发光器件PVK电致发光材料TPD苯并噻唑
- 射频磁控溅射工艺参数对SiC薄膜发光性能的影响被引量:2
- 2006年
- 采用射频磁控溅射和后退火的方法在单晶Si(111)衬底上制备了SiC薄膜。采用红外吸收谱仪(FTIR)和X射线光电子谱仪(XPS)分析了薄膜的结构。采用分光光度计测量了SiC薄膜的发光性能。发现衬底加负偏压、适当增大溅射功率、降低工作气压均可以抑制SiO2和无定形碳的出现,有利于β-SiC的形成,同时增加SiC薄膜光致发光(PL)强度。
- 刘技文李娟许京军
- 关键词:SIC薄膜磁控溅射工艺参数光致发光
- 拟有界算子与有界算子、连续算子间的关系
- 2009年
- 本文在拓扑线性空间中,通过拟有界集定义了一种新的算子——拟有界算子,主要研究了拟有界算子分别与有界算子,连续算子之间的关系.并且证明了:设E,E1都是拓扑线性空间,E是局部有界或局部凸的,E1是局部凸的,T为从E到E1内的算子,那么T是有界算子的充要条件是T是拟有界算子.并且,若E满足A1公理且是局部有界或是局部凸的,E1是局部凸的,T为从E到E1内的线性算子,则T是连续算子的充要条件为T是拟有界算子.
- 智琛宋眉眉
- 关键词:局部有界局部凸拓扑线性空间
- Sm原子的偶宇称高激发态的光谱研究被引量:1
- 2012年
- 采用双色三步激发和光电离过程,对Sm原子的偶宇称高激发态的光谱进行了研究.先采用两条激发路线分别将Sm原子两步共振激发至待测的高激发态,然后利用光电离技术对其进行探测.分别将第一束激光的波长固定在627.50 nm和624.41 nm上,以便将Sm原子从亚稳态共振激发到由4f^6s6p电子组态所构成的两个原子状态上.第二束激光在440—700 nm的波段范围内扫描,不仅使Sm原子在30040—38065 cm^(-1)能域内的偶宇称高激发态上布居,也将其进一步光电离,测量了其光谱.通过光谱定标和选择定则等分析手段,不仅精确获得了136个态的能级位置.而且也唯一确定了其总角动量.并且给出了相关跃迁的相对谱线强度.
- 赵艳红戴长建野仕伟
- PVA栅绝缘层浓度对P3HT有机场效应晶体管性能的影响(英文)被引量:1
- 2014年
- 采用溶液制备法制备了用PVA作为绝缘层、P3HT作为有源层的有机场效应晶体管,研究了不同浓度PVA栅绝缘层对器件性能的影响。实验结果显示,以质量分数为8%的PVA溶液制备的栅绝缘层具有最好的性能,器件的场效应迁移率为0.31 cm2·V-1·s-1,阈值电压为-6 V。进一步分析了PVA栅绝缘层浓度对器件性能提高的原因,结果表明,对于制备溶液化的有机场效应晶体管,选取合适的PVA栅绝缘层浓度非常重要。
- 白潇程晓曼樊剑锋蒋晶郑灵程吴峰
- 关键词:有机场效应晶体管栅绝缘层PVA
- 一种简单的数据加密方法
- 2005年
- 本文描述的在图像中存储数据是一种加密方法.它不但简单,运算速度快,还可以进行多种扩展.例如使用连续加密的方式进行加密,在计算的过程中添加"雪花".另外,为了提高加密效果,还可以在加密过程中使用"替代法"、"置换法"等简单加密算法.从而可以实现比较高的安全性.
- 彭旭东
- 关键词:数据加密图像数据存储
- 温度对Er^(3+)掺杂ZBLAN透明玻璃斯塔克能级跃迁的影响被引量:1
- 2013年
- 采用熔融淬火法制备了Er3+掺杂53ZrF4-20BaF2-4LaF3-3AlF3-20NaF-2.4PbF2(ZBLAN)氟化物透明玻璃。在10K^540K温度范围内,测量了对应于Er3+斯塔克分裂能级4S3/2(1)→4I15/2和4S3/2(2)→4I15/2(对应波长分别为542nm和548nm)的变温荧光光谱,结果显示环境温度升高时,样品在两个发射位置的发光强度均快速衰减,但是衰减速率有所差异,结合位形坐标模型讨论认为,两斯塔克能级的激活能分别为!E1=0.078eV和!E2=0.049eV,其差异导致了二者热猝灭速率不同。分析了斯塔克分裂能级跃迁的荧光强度比(FIR)随温度的变化规律,结果显示在低温区域FIR随温度呈现线性增加,而高温区则趋于平缓。计算了样品的温度灵敏度随温度的变化,结果表明,在温度90K时,灵敏度达到最大为0.0011K-1。该材料对环境温度敏感性可应用于光学温度传感器。
- 冯志军张晓松周永亮凌志李梦真孙健李岚
- 关键词:激活能温度灵敏度
- 生涯教育视域下提升高校新生学业适应能力的路径研究
- 2021年
- 大学一年级是大学生成长的关键期。进入大学后学生容易出现学业规划目标模糊、专业兴趣匮乏、学业适应慢的现实问题。职业目标对学业规划能够产生直接的影响,良好的教育和职业领域内的个人规划能够有效提高学生学业适应能力,是学生高效完成学业的前提和关键所在。基于此,以某高校为例,在对其大一新生开展学业适应调查的基础上,分析其存在问题的原因,进而提出生涯视域下提升高校新生学业适应能力的对策建议。
- 陈颖
- 关键词:生涯教育高校