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济南大学材料科学与工程学院山东省高校无机功能材料重点实验室

作品数:3 被引量:17H指数:3
相关作者:韩军陈令更多>>
相关机构:中国科学院固体物理研究所更多>>
发文基金:山东省“泰山学者”建设工程项目教育部“新世纪优秀人才支持计划”国家自然科学基金更多>>
相关领域:理学化学工程更多>>

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 3篇理学
  • 2篇化学工程

主题

  • 2篇氧化锌纳米
  • 2篇纳米
  • 1篇导电性
  • 1篇电池
  • 1篇电化学
  • 1篇电化学沉积
  • 1篇形貌
  • 1篇氧化锌
  • 1篇氧化锌纳米棒
  • 1篇氧化锌纳米线
  • 1篇太阳能
  • 1篇太阳能电池
  • 1篇透光性
  • 1篇脉冲
  • 1篇脉冲激光
  • 1篇脉冲激光沉积
  • 1篇脉冲激光沉积...
  • 1篇纳米棒
  • 1篇纳米线
  • 1篇激光

机构

  • 3篇济南大学
  • 1篇中国科学院

作者

  • 3篇曹丙强
  • 2篇韩军
  • 2篇杨晓朋
  • 2篇巩海波
  • 2篇邱智文
  • 1篇李新化
  • 1篇张鹏
  • 1篇魏浩铭
  • 1篇曾雪松
  • 1篇自敏
  • 1篇陈令

传媒

  • 2篇无机材料学报
  • 1篇物理学报

年份

  • 1篇2014
  • 1篇2013
  • 1篇2012
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
生长条件对脉冲激光沉积制备ZnO:Al薄膜光电性能的影响被引量:6
2013年
本文研究了脉冲激光沉积(PLD)生长过程中,铝掺量、氧压及衬底温度等实验参数对ZnO:Al(AZO)薄膜生长的影响,并利用扫描电子显微镜、原子力显微镜、X射线衍射、霍尔效应、光透射光谱等实验手段对其透明导电性能进行了探讨.变温霍尔效应和光透射测量表明,当靶材中铝掺量大于0.5 wt%时,所制备AZO薄膜中铝施主在80 K时已完全电离,因Bernstein-Moss(BM)效应其带隙变大,均为重掺杂简并半导体.进一步系统研究了氧压和衬底温度对AZO薄膜透明导电性能的影响,实验发现当氧压为1 Pa,衬底温度为200℃时,AZO导电性能最好,其霍尔迁移率为28.8 cm2/V·s,薄膜电阻率最小可达2.7×10-4Ω·cm,且在可见光范围内光透过率超过了85%.氧压和温度的增加,都会导致薄膜电阻率变大.
韩军张鹏巩海波杨晓朋邱智文自敏曹丙强
关键词:脉冲激光沉积法ZNO:AL薄膜透光性导电性
氧化锌纳米棒形貌对ZnO/Cu2O异质结太阳能电池光伏性能的影响被引量:8
2012年
采用电化学沉积法制备了ZnO纳米棒,首先讨论了电化学沉积参数对氧化锌(ZnO)纳米棒形貌的影响,并对不同长度ZnO纳米棒的光吸收和反射等性质进行了研究.实验发现沉积时间是影响纳米棒长度、直径的重要因素,ZnO纳米棒的微观形貌对其光学性质有重要影响.然后以氧化锌纳米棒为n型材料,以氧化亚铜为p型材料,通过电化学沉积法构筑了ZnO/Cu2O异质结太阳能电池,并测试了其光伏性能,研究表明增长纳米棒阵列的长度使得开路电压、短路电流密度及光电转换效率等性能得到提升.最后,综合分析了氧化锌纳米棒形貌与所组装电池的性能之间的关系,发现调控氧化锌纳米棒的形貌是提高ZnO/Cu2O异质结太阳能电池光伏性能的有效途径.
魏浩铭陈令巩海波曹丙强
关键词:氧化锌纳米棒电化学沉积太阳能电池
高压PLD法生长p型钠掺杂氧化锌纳米线阵列被引量:3
2014年
采用高压脉冲激光沉积法(HP-PLD)研究了压强、金催化层厚度对钠掺杂氧化锌纳米线(ZnO:Na)生长的影响,并制备了ZnO:Al薄膜/ZnO:Na纳米线阵列同质pn结器件。实验发现,当金膜厚度为4.2 nm,生长压强为3.33×104 Pa,生长温度为875℃时,可在单晶Si衬底上生长c轴取向性良好的ZnO纳米线阵列。X射线衍射和X射线光电子能谱综合分析证实了Na元素成功掺入ZnO纳米线晶格中。在低温(15 K)光致发光谱中,观测到了一系列由Na掺杂ZnO产生引起的受主光谱指纹特征,如中性受主束缚激子峰(3.356 eV,A0X)、导带电子到受主峰(3.312 eV,(e,A0))和施主受主对发光峰(3.233 eV,DAP)等。通过在ZnO:Al薄膜上生长ZnO:Na纳米线阵列形成同质结,测得I-V曲线具有明显的整流特性,证实了ZnO:Na纳米线具有良好的p型导电性能。
邱智文杨晓朋韩军曾雪松李新化曹丙强
关键词:氧化锌纳米线
共1页<1>
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