天津理工大学材料物理研究所
- 作品数：41 被引量：41H指数：4
- 相关作者：李江勇董冬青牛喜平朱明雪奚群更多>>
- 相关机构：天津职业技术师范大学理学院南开大学电子信息与光学工程学院现代光学研究所南开大学电子信息与光学工程学院更多>>
- 发文基金：天津市自然科学基金国家自然科学基金天津市高等学校科技发展基金计划项目更多>>
- 相关领域：理学电子电信自动化与计算机技术一般工业技术更多>>
- 荧光光谱法研究Eu^3＋在拟薄水铝石纳米胶粒表面的吸附被引量：3
- 2009年
- 拟薄水铝石作为前驱体,加入胶溶剂HNO3调节pH 2.0得到胶粒大小-60 nm的稳定胶体。将Eu（NO3）3溶液加入拟薄水铝石胶体,Eu^3＋在静电引力作用下在拟薄水铝石胶粒表面发生化学吸附。荧光光谱检测结果表明,Eu^3＋592 nm发射峰强度I592随AlOOH∶Eu（NO3）3物质的量之比RBoe/Re的增大而降低。由发射峰强度I592计算出Eu^3＋在拟薄水铝石胶粒表面吸附率R随RBoe/Re增大而增大,当RBoe/Re=4时,吸附率可达53.0%。Eu^3＋在拟薄水铝石胶粒表面的吸附密度D也随RBoe/Re的增大呈上升趋势,且吸附曲线随RBoe/Re分为初始阶段、平缓阶段和饱和阶段。
- 蒙延双王达健武浚刘会基巨少华
- 关键词：荧光光谱
- 稀土离子共掺杂玻璃的白光发射与调制
- 孙健魏凤巍周永亮冯志军凌志张晓松李岚
- 关键词：高温固相法发光玻璃光致发光白光发光二极管
- 基于ZnS量子点与聚合物混合层的有机双稳态器件的记忆特性及其载流子传输机制(英文)
- 2012年
- 用ZnS量子点与poly-4-vinyl-phenol(PVP)复合,通过简单的旋涂法制备了结构为ITO/ZnS∶PVP/Al的一次写入多次读取(WORM)的有机双稳态器件。器件起始状态为OFF态,通过正向电压的作用,器件由OFF态转变为ON态,并且在正向或反向电压的作用下,器件始终保持在ON态,表现出良好的一次写入多次读取的存储特性。与不含ZnS量子点的器件相比,含有ZnS量子点的器件表现出明显的双稳态特性,其电流开关比达到104,这说明ZnS量子点在器件中起到存储介质的作用。通过对器件电流-电压(I-V)特性的测试,详细讨论了器件的双稳态特性以及载流子传输机制,并且用不同的传导理论模型分析了器件在ON态和OFF态的电流传导机制。器件I-t曲线表明器件在大气环境中具有良好的永久保持特性。
- 吴燕宇张晓松徐建萍牛喜平罗程远李美惠李萍石庆良李岚
- 关键词：聚乙烯基吡咯烷酮
- PbS量子点的合成及其发光特性的研究
- 由于PbS纳米晶具有与其体材料截然不同的尺寸依赖光学特性，因此被广泛应用于传感器，生物荧光，光电器件等各大领域。本文以四氯乙烯为分散剂，采用LSS法制备了PbS量子点，通过X射线衍射(XRD)谱、高分辨透射电子显微镜(H...
- 李开祥张晓松徐建平李岚
- 温度对Er^(3+)掺杂ZBLAN透明玻璃斯塔克能级跃迁的影响被引量：1
- 2013年
- 采用熔融淬火法制备了Er3+掺杂53ZrF4-20BaF2-4LaF3-3AlF3-20NaF-2.4PbF2(ZBLAN)氟化物透明玻璃。在10K^540K温度范围内,测量了对应于Er3+斯塔克分裂能级4S3/2(1)→4I15/2和4S3/2(2)→4I15/2(对应波长分别为542nm和548nm)的变温荧光光谱,结果显示环境温度升高时,样品在两个发射位置的发光强度均快速衰减,但是衰减速率有所差异,结合位形坐标模型讨论认为,两斯塔克能级的激活能分别为!E1=0.078eV和!E2=0.049eV,其差异导致了二者热猝灭速率不同。分析了斯塔克分裂能级跃迁的荧光强度比(FIR)随温度的变化规律,结果显示在低温区域FIR随温度呈现线性增加,而高温区则趋于平缓。计算了样品的温度灵敏度随温度的变化,结果表明,在温度90K时,灵敏度达到最大为0.0011K-1。该材料对环境温度敏感性可应用于光学温度传感器。
- 冯志军张晓松周永亮凌志李梦真孙健李岚
- 关键词：激活能温度灵敏度
- 前驱物[S^(2-)]/[Pb_(2+)]摩尔比对PbS纳米晶红外发光光谱的影响
- 2013年
- 采用水溶性前驱物在乙醇介质中制备了不同[S2-]/[Pb2+]摩尔比例的PbS纳米晶,利用X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)、紫外-可见吸收光谱(Abs)、光致发光谱(PL)对所制备PbS纳米晶的晶体结构、纳米晶粒径、形貌以及能带结构和发光特性进行了表征,结果表明:随着前驱物[S2-]/[Pb2+]摩尔比例的提高,PbS纳米晶颗粒尺寸从3.9 nm增大到5.9 nm,发光峰值位置从1 009 nm移动到1 486 nm。通过拟合[S2-]/[Pb2+]=0.5条件下PbS纳米晶平均粒径对时间变化曲线,发现该方法下PbS纳米晶所经历的生长机制为Ostwald成熟化。运用经典纳米晶扩散控制生长模型,解释了实验中随着[S2-]/[Pb2+]的提高对溶液中纳米晶生长速率的影响。
- 李开祥张晓松徐建萍牛喜平罗程远李波李岚
- 关键词：量子尺寸效应
- 全无机ZnO纳米棒/SiO_2电致发光器件的研究被引量：1
- 2013年
- 采用化学溶液法在氧化铟锡(ITO)衬底上合成ZnO纳米棒,以不同的速度将无定形SiO2材料旋涂于ZnO纳米棒,制备了结构为ITO/ZnO/ZnO纳米棒/SiO2/Al全无机电致发光器件。借助能谱(EDS)和吸收光谱,发现当转速从3000r/min降低到500r/min时,SiO2的附着量逐渐增多。比较了旋涂速度对器件的电致发光光谱的影响,发现对于同一旋涂速度形成的器件,紫外发光强度随电压的增大而增强,可见区的发射则逐渐减弱;而不同旋涂速度下获得的器件的紫外发光强度显示出随电压升高先增大后减小的趋势,当旋涂速度为1000r/min时,紫外发射最强,可见区发光几乎消失;I-V曲线测量显示随着转速的降低,器件的启亮电压变大,最大工作电流逐渐变小。结合光致发光(PL)图谱和能级结构图分析认为,SiO2除了能钝化ZnO纳米棒表面缺陷,还具有改善载流子在发光层的平衡和增大电子注入能量的作用,其较高的势垒对发光层内的电子具有限制作用,提高了在活性层中的电子和空穴的复合率。此外,SiO2的加速作用也有助于提高高能态缺陷能级的电子密度及复合几率。
- 葛林徐建萍张晓松罗程远王丽师李梦真任志瑞陈义鹏王有为石庆良朱明雪李岚
- 关键词：光电子学ZNO纳米棒电致发光器件
- CdSe/CdS核壳纳米晶微波水热法一步合成与发光光谱分析被引量：2
- 2014年
- 采用微波水热法一步合成了核壳结构的CdSe/CdS纳米晶,讨论了巯基丙酸中S2-的释放过程对纳米晶生长的影响。XRD和Raman光谱结果表明,140℃合成温度下获得了CdSe/CdS核壳结构的纳米晶。FTIR光谱结果表明,巯基丙酸随时间的分解有助于CdS壳层的形成。PL光谱呈现出CdSe纳米晶的带间发射和缺陷发射,随着核壳结构的形成,CdSe纳米晶的表面缺陷被抑制,相关的荧光发射减弱。
- 朱明雪徐建萍张晓松石庆良李霖霖刘晓娟石鑫王亚中魏行远李岚
- 关键词：微波水热法发光光谱
- Cu掺杂对ZnO量子点光致发光的影响被引量：7
- 2010年
- 通过溶液法合成了Cu掺杂ZnO量子点。X射线衍射(XRD)和高分辨电子透射电镜(HRTEM)图像显示Cu掺杂ZnO量子点具有六角纤锌矿结构,晶粒大小为4～5nm。Cu掺杂抑制了ZnO量子点颗粒长大。室温光致发光(PL)谱观察到紫外带边和可见区两个发射峰。随着Cu掺杂浓度的增大,紫外荧光峰位发生缓慢红移,由366nm移到370nm;可见区发射峰位发生蓝移,由525nm移到495nm;同时,两个发射峰强度降低。光谱结果表明:Cu的掺入,一方面抑制表面与O空位有关的缺陷,在495nm出现了与Cu1+有关的发射峰;另一方面,Cu离子掺入ZnO量子点引入一些非辐射中心,降低了自由激子发射。
- 徐建萍石少波张晓松李岚
- pr3+掺杂KBr发光陶瓷的制备及其发光性能的研究
- 采用高温固相法,在还原气氛下,制备出KBr：Pr陶瓷材料.XRD测试结果表明900℃灼烧后该样品已完全形成KBr结构,且实验范围内的pr3+掺杂对KBr结构基本没有影响.近红外荧光光谱分析发现,281nm波长的光激发下,...
- 魏凤巍张晓松李岚
- 关键词：发光陶瓷固相法JUDD-OFELT理论
