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国家光电子工艺中心

作品数：35 被引量：48H指数：4
相关作者：庄岩王玉田李建中徐大鹏张书明更多>>
相关机构：中国科学院北京交通大学华中理工大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家教育部博士点基金更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作机构

文献类型

  • 22篇期刊文章
  • 13篇会议论文

领域

  • 21篇电子电信
  • 3篇理学

主题

  • 12篇激光
  • 11篇激光器
  • 8篇半导体
  • 7篇光栅
  • 5篇光纤
  • 5篇DFB激光器
  • 4篇光纤光栅
  • 4篇半导体器件
  • 4篇INGAAS...
  • 3篇砷化镓
  • 3篇通信
  • 3篇刻蚀
  • 3篇光纤通信
  • 3篇半导体激光
  • 3篇半导体激光器
  • 2篇低阈值
  • 2篇电子束
  • 2篇增益耦合
  • 2篇势垒
  • 2篇双势垒

机构

  • 35篇国家光电子工...
  • 15篇中国科学院
  • 2篇北京交通大学
  • 1篇清华大学
  • 1篇华中理工大学
  • 1篇中国科学院上...

作者

  • 7篇胡雄伟
  • 6篇王圩
  • 5篇金才政
  • 4篇周增圻
  • 4篇葛璜
  • 4篇周帆
  • 4篇杨辉
  • 4篇王启明
  • 3篇陈博
  • 3篇张静媛
  • 3篇朱洪亮
  • 3篇王玉田
  • 3篇马朝华
  • 3篇王启明
  • 3篇欧海燕
  • 3篇杨沁清
  • 3篇王玉田
  • 2篇安贵仁
  • 2篇汪孝杰
  • 2篇牛智川

传媒

  • 9篇Journa...
  • 2篇物理学报
  • 2篇高技术通讯
  • 2篇铁道学报
  • 2篇第六届全国固...
  • 2篇全国第8次光...
  • 2篇全国化合物半...
  • 2篇第九届全国电...
  • 2篇第九届全国化...
  • 2篇第五届全国固...
  • 1篇中国激光
  • 1篇光学学报
  • 1篇光子学报
  • 1篇激光与红外
  • 1篇微细加工技术
  • 1篇半导体光电
  • 1篇自然科学进展...
  • 1篇第七届全国固...

年份

  • 1篇2001
  • 2篇2000
  • 1篇1999
  • 10篇1998
  • 9篇1997
  • 7篇1996
  • 2篇1995
  • 1篇1993
  • 2篇1991
共 35 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
高温连续输出AlGaAs大功率单量子阱激光器的工作特性被引量：1
1997年
本文介绍了利用MBE方法生长的大功率AlGaAs单量子阱激光器的高温工作特性．激光器的室温连续输出功率达到2W．在95℃高温连续工作状态下，其输出功率仍可达到500mW的水平．器件的特征温度高达185K（35～85℃）及163K（85～95℃）．同室温相比，器件在95℃的工作条件下，其功率输出的斜效率下降了23％．
朱东海王占国梁基本徐波朱战萍张隽龚谦金才政丛立方胡雄伟韩勤方祖捷刘斌屠玉珍
关键词：单量子阱激光器
GaN／GaAs异质结构中大密度面缺陷的分析
高分辨透射电子显微镜分析GaN／GaAs异质微观结构。观察到立方相外延层GaN中存在看大量的、不对称的面缺陷（层错和微孪晶）。并对其生成的原因进行了讨论
韩培德杨海峰杨辉
立方相GaN基LED的电化学C-V测量
作者们用电化学C-V的方法测量了MOCVD生长的双异质结结构绿光LED。采用稀盐酸腐蚀液，加正向偏压，边腐蚀边测量。实验完毕，用SEM观察表面和截面情况，发现被腐蚀区域的P-GaN/InGaN/N-GaN层已经与GaAs...
李顺峰杨辉徐大鹏张书明
关键词：LED
文献传递
硅基二氧化硅光波导器件偏振特性的理论分析被引量：6
2001年
从理论上分析了硅基二氧化硅光波导器件的芯区尺寸、相对折射率差、内应力和弯曲半径对器件偏振特性的影响 ,得出结论 :小折射率差的正方形波导的双折射系数小 ;内应力对双折射的影响比几何参数大 ;弯曲半径较小时 ,双折射系数较大 ,弯曲损耗也较大。
欧海燕雷红兵杨沁清王红杰王启明胡雄伟
关键词：偏振
量子阱激光器端面镀膜反射率的优化
介绍半导体激光器端面镀膜，端面镀膜对激光器特性的作用，并根据实验结果优选工艺。
毕可奎徐遵图
关键词：量子阱激光器光纤通信
可见光半导体激光器的端面镀膜
半导体可见光激光器端面镀膜实验，及端面镀膜对激光器特性的影响。
毕可奎郭良
关键词：半导体激光器半导体器件镀膜
氢原子辅助MBE生长对GaAs外延面形貌的影响被引量：1
1998年
本文研究了ＭＢＥ通常生长条件和氢原子辅助生长条件下（１００）、（３３１）、（２１０）、（３１１）等表面外延形貌的变化．原子力显微镜ＡＦＭ测试的结果表明：（１００）表面在氢原子辅助生长条件下外延面的岛状起伏变得更为平坦，二维生长模式得到增强；（３３１）面在两种条件下均显示出台阶积累（ｓｔｅｐｂｕｎｃｈｉｎｇ）式生长，而氢原子辅助生长则减小了台阶结构的横向周期；（２１０）面在氢原子辅助生长下也使原表面存在的岛状结构尺寸减小；在（３１１）表面氢原子诱导的作用明显地增强了台阶积累生长模式．本文认为氢原子诱导作用机制在于：外延面台阶处Ａｓ原子和Ｈ原子结合减小了表面结合能，导致Ｇａ原子表面迁移长度的减小，增强了台阶积累生长效应；而对于平坦的（１００）表面氢原子的诱导作用使得Ｇａ迁移长度增加，导致二维生长模式的进一步增强．
牛智川周增圻吴荣汉
关键词：砷化镓MBE
InGaAs/GaAs应变脊形量子线分子束外延非平面生长研究被引量：1
1997年
提出了新型ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ应变脊形量子线结构．这种应变脊形量子线结合了非平面应变外延层中沿不同晶向能带带隙的变化、非平面生长应变层Ｉｎ组分的变化，以及非平面外延层厚度的变化等三方面共同形成的横向量子限制效应的综合作用．在非平面ＧａＡｓ衬底上用分子束外延生长了侧面取向为（１１３）的脊形ＡｌＡｓ／ＩｎＧａＡｓ／ＡｌＡｓ应变量子线．用１０Ｋ光致荧光谱测试了其发光性质．用ＫｒｏｎｉｇＰｅｎｎｅｙ模型近似计算了这种应变脊形结构所具有的横向量子限制效应，发现其光致荧光谱峰位的测试结果，与计算结果相比，有１０ｍｅＶ的“蓝移”．认为这一跃迁能量的“蓝移”
牛智川周增圻林耀望李新峰张益胡雄伟吕振东袁之良徐仲英
关键词：量子线分子束外延INGAAS砷化镓
电子束直接光刻技术在HEMT器件中的应用研究
了直接光刻技术的技术要点及其在ＨＥＭＴ器件研制中的应用，采用这种技术与剥离工艺结合可产生０．１￣０．３μｍ微细金属栅电极，研制成功的ＨＥＭＴ器件跨导达３８０ｍｓ／ｍｍ，截止频率超过５０ＧＨｚ。
葛璜金才政
关键词：半导体器件电子束加工光刻技术
立方相GaN外延材料的研究
人员用MoCVD和MBE的方法生长了国际一流水平的立方相GaN，用X-光双晶衍射，PL谱，腊曼散射谱等方法对材料的相纯度，光学质量和结构性质进行了检测。X-光双晶衍射（002）衍射峰的0/20扫描FWHM为3arcmin...
杨辉郑联喜
关键词：立方相GAN
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