西安电子科技大学微电子学院
- 作品数：2,216 被引量：5,170H指数：21
- 相关作者：吴玉广任红霞彭军冯晓丽李伟华更多>>
- 相关机构：西安邮电学院计算机学院西安邮电大学电子工程学院西北大学信息科学与技术学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划中央高校基本科研业务费专项资金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术理学文化科学更多>>
- 基于UPSCodeⅡ协议的UPS监控终端设计
- 2004年
- UPS广泛应用于通讯设施、工业现场等领域用以保护设备安全运转。该文使用嵌入式处理器ATMega128 并结合 UPSCodeII 通讯协议设计了一种智能型、廉价的监控终端设备并成功应用在多种 UPS 系统中,极大地提高了配电中心的事故预警和故障响应能力。
- 吴勇张艳红
- 关键词：UPS监控终端嵌入式系统开发
- 基于context模型的contourlet域图像去噪被引量：5
- 2012年
- 在分析contourlet域系数分布特征的基础上提出了一种基于context模型的contourlet域图像去噪算法。算法的关键点在于:基于contourlet变换系数的分布特性,确定合适的去噪门限;利用context模型建立图像contourlet变换后的系数分类模型并根据分类使用不同的门限去噪。实验表明,本方法能较好地去除图像噪声,在提高去噪图像PSNR值和改善主观视觉效果方面都表现出了良好的性能。
- 刘镇弢李涛杜慧敏韩俊刚
- 关键词：CONTOURLET变换图像去噪
- 一种针对MCM互连的10 Gbit·s^(-1)自适应收发器
- 2013年
- 均衡和预加重方法是实现MCM高性能收发器的关键。文中采用MCM互连的四端口S参数传输线模型获得了信号衰减分布规律。在此基础上,采用0.13μm CMOS工艺,设计了一种基于MCM互连的高速收发器:发送端采用二阶预加重技术提高了信号高频分量的增益,并通过高速CML驱动电路发送数据;接收端采用连续时间线性均衡器和基于LMS算法的自适应均衡器。仿真结果表明,该结构的MCM收发器完成了对10 Gbit.s-1随机信号的收发,补偿了高达-30 dB的互连损耗,并消除了码间干扰(ISI),总功耗仅为23.3 mW。
- 戈勇莫巍宁永成王增福
- 关键词：MCMCML
- SiGe HBT传输电流模型研究被引量：2
- 2006年
- 基于SiGe异质结双极晶体管(HBT)大信号等效电路模型,建立了SiGeHBT传输电流模型.重点考虑发射结能带的不连续对载流子输运产生的影响,通过求解流过发射结界面的载流子密度,建立了SiGeHBT传输电流模型.该模型物理意义清晰,拓扑结构简单.对该模型进行了模拟,模拟结果与文献报道的结果符合得较好.将该模型嵌入PSPICE软件中,实现了对SiGeHBT器件与电路的模拟分析,并对器件进行了直流分析,分析结果与文献报道的结果符合得较好.
- 胡辉勇张鹤鸣戴显英宣荣喜崔晓英王青姜涛
- 关键词：SIGE异质结双极晶体管PSPICE软件
- 无数据缓存的容错环形NoC被引量：2
- 2009年
- 提出一种分层双组双环NoC拓扑结构,该结构中链路分为两组环网,其中有一组环网为主环,另一组为备用环网,用于NoC网络的容错。每组环网中包含一个控制环和一个数据环,控制环采用包的形式交换结点之间路由、链路错误和差错控制信息,数据环用电路交换方式进行数据通信。针对以上NoC拓扑结构,提出交换结点无需缓冲区的三级流水线结构,使得各个IP之间的数据通信延时最小。环网中采用时分复用和优先级相结合的机制,实现了公平路由和带宽的空分复用。仿真结果表明,该结构可以有效避免拥塞、死锁和饥饿,保证带宽充分利用,与理论分析一致。
- 张丽果杜慧敏韩俊刚
- 关键词：片上网络时分复用空分复用环网容错
- n-SiC欧姆接触的研究进展
- 在比较已报道的n型SiC欧姆接触数据的基础上,着重介绍了Ni接触的反应机理及其在包装中存在的问题。此后又介绍了一些其他金属与n-SiC形成的欧姆接触,反映了n型SiC欧姆接触发展现状,多种不同的表面处理、掺杂方式和金属结...
- 张娟柴常春杨银堂贾户军
- 关键词：金属结构掺杂
- 文献传递
- 一款基于0.13μm CMOS工艺,0.1GHz～18GHz采用双反馈和噪声消除技术的低噪声放大器设计(英文)被引量：1
- 2012年
- 介绍一款1.2 V 0.1 GHz～18GHz超带宽级联型低噪声放大器。该LNA采用反馈网络来简化超宽带匹配并且不导致振荡。引入反相器结构作为第二级从而实现噪声消除。同时采用了感性尖峰技术来拓展带宽,所采用电感占用较小面积。带内噪声指数小于4 dB,输入输出反射系数均优于-10 dB。最大,最小正向增益分别为15.34 dB,14.54 dB,带内平稳增益得以实现。9GHz得到的IIP3和1dB增益压缩点分别为-4 dBm及-24 dbm。总功耗为30 mW。
- 梁元张弘
- 关键词：级联结构
- 增强型4H-SiC埋沟MOSFET的工作机理
- 2004年
- 本文对一种新型增强型4H-SiC埋沟MOSFET结构的工作机理进行了研究。通过对不同偏压下电荷分 布和电势分布的分析,分别总结了线性区和饱和区所包含的工作模式。
- 赵艳英杨晓菲
- 关键词：4H-SICMOSFET增强型电荷分布电势分布
- 多岛单电子晶体管的实现及其源漏特性分析被引量：7
- 2005年
- 在淀积有纳米间隙栅电极、源电极和漏电极的衬底上生长量子点 ,制作出多岛结构的单电子晶体管 .在 77K温度下对源漏特性进行了测试 ,得到了库仑阻塞特性 .并且成功抑制了单岛单电子晶体管中易出现的共隧穿效应 ,观察到较大的库仑阈值电压 .对试验数据进行了分析 ,阐明了岛的不同结构组态产生的不同输运效果 .
- 郭荣辉赵正平郝跃刘玉贵武一宾吕苗
- 关键词：量子点库仑阻塞
- 一种结构简单的曲率补偿CMOS带隙基准源被引量：6
- 2008年
- 提出了一种结构简单新颖的高性能曲率补偿带隙电压基准源.电路设计中没有采用典型结构中的差分放大器,而是采用负反馈技术实现电压箝位,简化了电路结构;输出部分采用调节型共源共栅结构,保证了高的电源抑制比.整个电路采用SMIC 0.18μm标准CMOS工艺实现,并用HSPICE进行仿真,结果表明所设计的电路在-45℃-125℃范围内的温度系数为12.9×10^-6/℃,频率为10 Hz时的电源抑制比为67.2 dB.该结构可应用于高速模数转换器的设计中.
- 曹寒梅杨银堂蔡伟陆铁军王宗民
- 关键词：带隙电压基准源
