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北京航空航天大学物理科学与核能工程学院

作品数:759 被引量:1,507H指数:15
相关作者:竺礼华张高龙江兴流熊常健乐小云更多>>
相关机构:北京大学物理学院北京大学物理学院核物理与核技术国家重点实验室北京林业大学理学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:理学一般工业技术机械工程电子电信更多>>

文献类型

  • 528篇期刊文章
  • 215篇会议论文

领域

  • 373篇理学
  • 95篇一般工业技术
  • 92篇机械工程
  • 67篇电子电信
  • 49篇文化科学
  • 46篇自动化与计算...
  • 36篇金属学及工艺
  • 31篇化学工程
  • 25篇电气工程
  • 20篇核科学技术
  • 11篇航空宇航科学...
  • 11篇医药卫生
  • 10篇天文地球
  • 7篇建筑科学
  • 5篇经济管理
  • 4篇动力工程及工...
  • 4篇交通运输工程
  • 4篇环境科学与工...
  • 4篇社会学
  • 3篇生物学

主题

  • 39篇教学
  • 37篇量子
  • 33篇纳米
  • 31篇激光
  • 27篇原子
  • 27篇复合材料
  • 27篇复合材
  • 23篇光学
  • 22篇溅射
  • 21篇磁控
  • 20篇子核
  • 20篇磁控溅射
  • 19篇原子核
  • 19篇原子力显微镜
  • 18篇光电
  • 16篇大学物理
  • 14篇衰变
  • 13篇性能研究
  • 13篇光催化
  • 12篇第一性原理

机构

  • 743篇北京航空航天...
  • 45篇北京大学
  • 37篇中国科学院
  • 19篇中国原子能科...
  • 15篇中国科学院大...
  • 14篇中国科学院力...
  • 12篇中国科学院近...
  • 10篇北京林业大学
  • 10篇北京工业大学
  • 8篇兰州大学
  • 8篇清华大学
  • 8篇中国科学技术...
  • 7篇深圳大学
  • 7篇教育部
  • 7篇燕山大学
  • 7篇中国科学院长...
  • 6篇西南大学
  • 5篇安徽大学
  • 5篇吉林大学
  • 5篇中国工程物理...

作者

  • 45篇李华
  • 38篇张高龙
  • 37篇黄安平
  • 36篇张国锋
  • 36篇钱建强
  • 34篇罗瑞盈
  • 29篇肖志松
  • 28篇唐芳
  • 26篇李朝荣
  • 25篇王玫
  • 25篇陈子瑜
  • 24篇王金良
  • 22篇乐小云
  • 21篇熊畅
  • 19篇王聪
  • 19篇李英姿
  • 18篇王三胜
  • 18篇吕广宏
  • 17篇金硕
  • 17篇郝维昌

传媒

  • 73篇大学物理
  • 54篇物理学报
  • 37篇物理与工程
  • 21篇物理实验
  • 15篇物理
  • 12篇原子核物理评...
  • 8篇功能材料
  • 8篇材料导报
  • 8篇电子显微学报
  • 8篇炭素技术
  • 7篇新型炭材料
  • 7篇核技术
  • 7篇北京航空航天...
  • 6篇低温与超导
  • 6篇激光与光电子...
  • 6篇河南科学
  • 6篇人工晶体学报
  • 6篇实验室研究与...
  • 5篇物理通报
  • 5篇科学通报

年份

  • 1篇2024
  • 16篇2023
  • 18篇2022
  • 25篇2021
  • 33篇2020
  • 35篇2019
  • 52篇2018
  • 66篇2017
  • 68篇2016
  • 45篇2015
  • 49篇2014
  • 48篇2013
  • 51篇2012
  • 68篇2011
  • 60篇2010
  • 28篇2009
  • 7篇2008
  • 14篇2007
  • 13篇2006
  • 14篇2005
759 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
稀土离子掺杂氟碲钨酸盐玻璃制备及发光性质
采用传统的高温熔融法,制备了一系列不同掺杂浓度的Ho,Yb共掺杂氟硫酸盐玻璃样品。样品中各组分的摩尔百分比分别为(69-x)TeO-20BaF10NaF-1HoOYbF3(X=1.0,1.5,2.0,2.5,3.0)。应...
刘佳铭黄馨肖志松
关键词:光致发光
文献传递
高k介质在新型半导体器件中的应用被引量:4
2012年
当CMOS器件特征尺寸缩小到45 nm以下,SiO_2作为栅介质材料已经无法满足性能和功耗的需要,用高k材料替代SiO_2是必然选择.然而,由于高k材料自身存在局限性,且与器件其他部分的兼容性差,产生了很多新的问题如界面特性差、阈值电压增大、迁移率降低等.本文简要回顾了高k栅介质在平面型硅基器件中应用存在的问题以及从材料、结构和工艺等方面采取的解决措施,重点介绍了高k材料在新型半导体器件中的应用,并展望了未来的发展趋势.
黄力黄安平郑晓虎肖志松王玫
关键词:高K材料FINFET
近质子滴线核^(28)S的β延迟γ衰变研究
2021年
在兰州重离子研究装置上,依托兰州放射性束流线,产生、分离和鉴别了同位旋第三分量TZ=−2的近质子滴线核^(28)S,并通过使用包括双面硅条探测器和高纯锗探测器在内的探测阵列,开展了^(28)S的β延迟γ衰变测量。实验准确测量了^(28)S衰变中的5条β延迟γ射线,得到了子核^(28)P相应能级的能量。首次提取出了β衰变布居到^(28)P低激发态的衰变分支比,并构筑了^(28)S的全新部分衰变纲图。本工作为将来进一步比较^(28)S和^(28)Mg间的镜像不对称性提供了精确的实验数据。
高祺锐徐新星周小红周小红梁鹏飞刘嘉健孙立杰李晓菁李智焕林承键杨彦云王建松李智焕蓝乙华杨彦云王建松高志浩王东玺白真马朋段芳芳钟福鹏武晨光胡强白真马军兵王建国李忍马南茹马维虎石国柱余功明DPatel金树亚马南茹马维虎周清武石国柱胡力元王翔臧宏亮李朋杰朱浩钒林喆阳赵青青杨磊温培威杨峰贾会明张高龙潘敏汪小雨杨磊胡正国杨峰贾会明张高龙
关键词:Β衰变
单壁碳纳米管中光学特性的研究
2017年
利用紧束缚模型中的激子波函数计算激子束缚能,并讨论了激子在单壁碳纳米管中的分布情况。详细解释了激子在碳纳米管手性角上的分布方向的依赖性,以及沿碳纳米管管轴方向上的局域性和沿管圆周方向的震荡特性。我们发现在半导体单壁碳纳米管中激子尺寸的大小总是稍大于碳纳米管的直径,并且和激子束缚能一样显示出两种依赖于螺旋角的关系。
王宝斌董全林李文萍
关键词:激子碳纳米管
利用示踪^(252)Cf中子源的材料鉴别技术
2011年
本文叙述了利用252 Cf裂变中子源结合飞行时间技术对包裹进行无损检测的可行性研究,通过联合测量中子和伽玛射线的吸收谱确定样品的平均原子序数,完成被测材料的鉴定。实验采用自发裂变的252 Cf中子源作为白中子源和伽马射线源,用塑料闪烁探测器探测中子和伽马射线。通过LabVIEW程序控制步进电机运动并整合获取的实验数据,实现了待测样品断层扫描数据采集工作的自动化。在对闪烁探测器进行能量和时间刻度后,对几种典型材料组成的样品进行实验分析,采集数据重建其分布图像,确认了用这项技术对材料无损检测的可行性。
郝昕竺礼华L.StevanatoD.FabrisM.LunardonS.MorettoG.NebbiaS.PesenteG.ViestiL.Sajo-Bohus
关键词:中子源无损检测
反钙钛矿Mn3XN化合物反常热膨胀与压磁效应研究
<正>近年来,反钙钛矿Mn3XN(X=Zn,Cu,Ga等)化合物由于具有负(近零)热膨胀、巨磁致伸缩、压磁、磁热、近零电阻温度系数等物性,引起国内外学者的广泛关注。'反钙钛矿'结构中非金属原子N占据体心位置,金属原子Mn...
孙莹史可文邓司浩王蕾卢会清黄清镇王聪
文献传递
“一制二式”物理实验教学模式的探索与实践被引量:8
2013年
"一制二式"物理实验教学模式是一种全新的教学模式,它包括"积分制"课程管理模式、"专题式"实验教学体系、"目标式"质量管理体系三部分。其中"积分制"是对传统"学时制"的重大突破,通过积分的杠杆作用,配合"专题式"实验和"目标式"管理,可以对学生进行个性化的严格培养,达到既强化实验基础又突出自主创新的效果。
李朝荣李华陈强张淼陈彦
关键词:物理实验教学模式积分制
相对论动尺动钟效应举例(摘要)
2014年
在相对论教学中,通过牛郎织女的故事,从各个角度来说明相对论的动尺变短效应和动钟变慢效应.这个例子将有助于同学们加深对相对论的理解,并且掌握动尺变短效应和动钟变慢效应.
张道一熊畅张玉洁
关键词:相对论场论
氧化锌中中性氮杂质第一性原理研究被引量:6
2012年
以第一性原理计算为基础,研究了氧化锌中中性氮杂质的原子和电子结构、缺陷形成能等.根据计算结果,氮杂质为深受主,因此对氧化锌的P型导电性没有贡献.在各种中性氮杂质中,替代氧位的氮有最低的形成能和最浅的受主能级,在富氧条件下替代锌位的氮的形成能次之.氮间隙在四面体位置不稳定,会自动弛豫到kick-out结构.尽管氮可能会占据八面体问隙位置,但由于形成能过高因此其浓度会较低.同时还讨论了各种掺杂情形下的电荷密度分布,得到了自洽的结果.
李平邓胜华李义宝张莉刘果红黄静
g-C3N4发光性能优化及应用探索
石墨相碳氮化合物g-C3N4具有特殊的电子结构和光学性质,提高性能并获得具有良好分散性的量子点对于促进其研究进展具有重要意义。我们利用热酸处理的方法将g-C3N4剥离成约15nm的纳米颗粒,获得发光性能显著提高的蓝色发光...
张俊英
关键词:发光抗癌光动力
文献传递
共75页<12345678910>
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