国家自然科学基金(50802038)
- 作品数：7 被引量：11H指数：2
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- 相关机构：聊城大学中国科学院中国船舶重工集团公司第726研究所更多>>
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- 复合法制备的(K_(0.48)Na_(0.52))_(1-x)(LiSb)_xNb_(1-x)O_3无铅压电陶瓷性能研究
- 2011年
- 采用传统的固相反应法和普通的烧结工艺,分别制备了(K0.48Na0.52)1-x(LiSb)xNb1-xO3(x=0.055,0.060,0.065)和x=0.055,x=0.065按摩尔比1:1复合的无铅压电陶瓷样品(55-65),并对样品的压电、介电等性能进行了测试研究.实验结果表明:55-65不等同于x=0.060的组分,其压电性能远低于x=0.060的样品,进一步研究表明,相同烧结温度下,55-65样品的损耗较高,晶粒难以生长,相对较小,较小的晶粒可能在样品形变时产生的应力较大,这可能是55-65样品压电性能较低的原因.
- 刘燕燕臧国忠郭晴王燕
- 关键词：无铅压电陶瓷KNN温度稳定性压电常数
- Bi改性铌酸钾钠基无铅压电陶瓷的温度稳定性被引量：1
- 2009年
- 铌酸钾钠基压电陶瓷(Na0.53K0.41Li0.06)Nb0.955Sb0.045O3的正交–四方多型相变在室温附近,具有良好的压电性能,但其温度稳定性很差。通过掺杂Bi2O3,使该陶瓷的正交–四方多型相变温度tO-T从15℃降低到了–9℃,同时保持了较高的居里温度tC(368℃),从而显著改善了其压电性能的温度稳定性。由于Bi3+施主掺杂作用和Sb5+较强的电负性,改性后的陶瓷保持了优良的电学性能:d33=213pC/N,kp=0.441,ε3T3=1319,tanδ=0.016。
- 吴清早王矜奉郑立梅臧国忠赵明磊
- 关键词：铌酸钾钠温度稳定性无铅压电陶瓷
- 光束干扰下多源遥感图像拼接缝阴影消除方法被引量：2
- 2020年
- 为解决多源遥感图像拼接边界处受光束干扰出现阴影区域影响拼接效果的问题,通过Retinex理论对多源遥感图像进行预处理,消除多源遥感图像的光束干扰;运用灰度直方图法对多源遥感图像拼接缝阴影进行判定;采用邻域对比法消除图像拼接缝阴影等方法研究了光束干扰下多源遥感图像拼接缝阴影消除方法。结果表明,所提方法可以对拼接缝进行准确的判断,且拼接图像的拼接处平滑、无重叠,具有较好的阴影消除效果,以及较高的实际应用价值。
- 王运成
- 关键词：多源遥感图像图像处理
- Sb对Li掺杂的KNN无铅压电陶瓷性质的影响被引量：5
- 2009年
- 采用传统工艺制备了无铅压电陶瓷(Na_(0.5)K_(0.45)Li_(0.05))Sb_xNb_(1-x)O_3,研究了Sb掺杂对其压电、铁电、介电等性质的影响.实验结果表明,样品的居里点(T_C)、正交-四方相变温度(T_(T-O))均随Sb含量的增加而降低,掺杂7 mol%Sb时,样品的居里点从454℃降至345℃,T_(T-O)从100℃降至室温以下.Sb^(5+)的引入限制了晶粒的生长,但提高了样品的致密度,从而提高了样品的压电、铁电性能.组分为(Na_(0.5) K_(0.45)Li_(0.05))Sb_(0.05)Nb_(0.95)O_3的样品具有较为优异的性能:d_(33)=241 pC/N,Q_m=50,k_p=38.3%,d_(31)=-83 pC/N,g_(31)1=-0.08 Vm/N,P_r=17μC/cm^2,同时,该组分样品表现最"软",具有相对最高的弹性柔顺常数S_(11)~E=14.2.
- 臧国忠孙洪元孙天华王文文
- 关键词：无机非金属材料无铅压电陶瓷KNN居里温度
- CuO掺杂的(Na_(0.66)K_(0.34))NbO_3无铅压电陶瓷性能研究
- 2011年
- 采用传统工艺制备了CuO掺杂的无铅压电陶瓷(Na0.66K0.34)NbO3,研究了CuO掺杂对其压电、介电、铁电等性质的影响。实验结果显示,CuO掺杂促进了晶粒生长,降低了样品的烧结温度,适量掺杂能够显著提高陶瓷样品的密度。当掺杂量为0.5%(摩尔分数)时,样品的密度为4.26g/cm3,品质因子Qm提高到400,介电损耗tanδ降低至0.8%。实验结果还显示,CuO掺杂使得陶瓷变"硬",起到硬性添加剂的作用。随着CuO掺杂量的增加,样品的居里点(TC)、正交-四方相变温度(TT-O)、压电常数d33以及机电耦合系数kp均明显降低,而矫顽场显著增加。对于不掺杂的(Na0.66K0.34)NbO3陶瓷,其d33高达107pC/N,该陶瓷优异的压电性能表明,除了具有准同型相界结构的(Na0.5K0.5)NbO3外,(Na0.66K0.34)NbO3也是一种具有研究潜力的无铅压电陶瓷组分。
- 臧国忠门秀婷郭晴刘燕燕王燕
- 关键词：无铅压电陶瓷KNN铁电性能居里温度
- 铌镁酸铅(PMN)基压电陶瓷制备进展被引量：2
- 2012年
- 铌镁酸铅(PMN)基陶瓷具有较高的介电常数和机电转化效率,在传感器、驱动器等方面具有广泛的应用。但在制备PMN基陶瓷过程中容易形成稳定的烧绿石结构相,降低了其介电性能与机电转化效率。综述了制备纯钙钛矿结构PMN基压电陶瓷的研究进展,分析了各种制备方法的优劣。
- 李艳初瑞清李国荣李伟付鹏徐志军
- 钠过量对铌酸钾钠基陶瓷结构及性能的影响被引量：1
- 2009年
- 用常规氧化物固溶法制备了(Na0.520+xK0.480)0.915Li0.085NbO3(x=0～0.025)无铅压电陶瓷,研究了过量Na的掺杂量对其烧结温度、微观结构及压电性能的影响。结果表明,过量Na掺杂在烧结过程中促进液相的产生,导致样品烧结温度显著降低。室温下样品均为四方结构。随x的增加,样品的斜方-四方相变温度tO-T趋向低温。当x从0.010增大到0.025时,Qm从131提高到238,tanδ和d33分别从0.034和125pC/N下降至0.012和105pC/N,表明过量Na实际上起到了"硬性掺杂"的作用。
- 臧国忠孙天华王文文孙洪元仪修杰
- 关键词：无机非金属材料无铅压电陶瓷铌酸钾钠居里温度
