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国家自然科学基金(Y107055)

作品数：2 被引量：2H指数：1
相关作者：韩雁董树荣刘俊杰崔强斯瑞珺更多>>
相关机构：浙江大学中佛罗里达大学中国电子科技集团第五十八研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金浙江省科技厅新苗人才计划更多>>
相关领域：电子电信更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 1篇电路
  • 1篇信号
  • 1篇英文
  • 1篇静电放电
  • 1篇混合信号
  • 1篇二次击穿
  • 1篇MOS
  • 1篇MOS器件

机构

  • 2篇浙江大学
  • 1篇江南大学
  • 1篇中国电子科技...
  • 1篇中佛罗里达大...

作者

  • 2篇董树荣
  • 2篇韩雁
  • 1篇于宗光
  • 1篇朱科翰
  • 1篇斯瑞珺
  • 1篇崔强
  • 1篇刘俊杰

传媒

  • 1篇Journa...
  • 1篇传感技术学报

年份

  • 2篇2008
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
MOS器件二次击穿行为的电路级宏模块建模被引量：1
2008年
采用一种利用TCAD仿真提取MOS器件在静电放电现象瞬间大电流情况下的电学参数,对MOS器件二次击穿行为进行电路级宏模块建模。MOS器件是一种重要的静电放电防护器件,被广泛地应用为集成电路输入输出口的静电保护器件。用TCAD仿真工具对MOS器件的二次击穿进行宏模块建模,该模型能够正确反映MOS器件二次击穿的深刻机理,具有良好的精确性和收敛性,这对在电路级以及系统级层面上仿真静电放电防护网络的抗静电冲击能力有重要意义。
崔强韩雁董树荣刘俊杰斯瑞珺
关键词：MOS二次击穿
0.18μm混合信号RFCMOS工艺中新型低触发电压双向SCR静电防护器件的设计(英文)被引量：1
2008年
提出了一类新型片上SCR静电放电防护器件,此类器件用于保护芯片双向抗击静电应力.比较和分析了四种双向SCR器件的触发电压.其中采用嵌入pMOS管或nMOS管的双向SCR器件结构具有可调触发电压,低漏电流（μpA）和开启速度快的骤回I-V特性,并且没有闩锁问题.该器件的抗ESD能力可达～94V/μm.此类新型ESD防护器件具有面积小、寄生效应小的特点.
朱科翰于宗光董树荣韩雁
关键词：静电放电
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