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国家重点实验室开放基金(SKL200810SIC)

作品数：2 被引量：3H指数：1
相关作者：张静玉黄维施尔畏陈之战陈博源更多>>
相关机构：中国科学院中国科学院研究生院更多>>
发文基金：中国科学院知识创新工程国家重点实验室开放基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇欧姆接触
  • 2篇NI
  • 2篇SIC
  • 1篇碳化硅
  • 1篇肖特基
  • 1篇肖特基接触
  • 1篇膜厚
  • 1篇互扩散
  • 1篇6H-SIC

机构

  • 2篇中国科学院
  • 2篇中国科学院研...

作者

  • 2篇陈之战
  • 2篇施尔畏
  • 2篇黄维
  • 2篇张静玉
  • 1篇严成锋
  • 1篇肖兵
  • 1篇刘庆峰
  • 1篇陈义
  • 1篇刘茜
  • 1篇陈博源

传媒

  • 2篇物理学报

年份

  • 1篇2010
  • 1篇2009
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
氢氟酸刻蚀对Ni/6H-SiC接触性质的作用被引量：2
2009年
采用浓度为10%的氢氟酸(HF)刻蚀6H-SiC单晶片,研究了HF刻蚀时间对Ni/6H-SiC接触性质的影响.经24h刻蚀的SiC基片在溅射Ni层后,其接触表现良好线性的电流-电压(I-V)曲线.低于这个腐蚀时间的接触具有明显的势垒,但在大于1000℃快速退火后,也得到了良好线性的I-V曲线.X射线衍射(XRD)和俄歇能谱(AES)深度元素分析表明Ni2Si和C是快速退火后的主要产物.XRD和低能反射电子能量损失谱表明表层的C元素是以非晶态存在.通过研究高温快速退火下元素的互扩散及HF与SiC表层反应机理,发现SiC表面富碳层是这两种方法形成欧姆接触的关键因素.
黄维陈之战陈博源张静玉严成锋肖兵施尔畏
关键词：欧姆接触SIC互扩散
组合材料方法研究膜厚对Ni/SiC电极接触性质的影响被引量：1
2010年
采用组合材料方法研究了金属Ni膜厚对Ni/SiC接触性质的影响.16个膜厚均为18nm的Ni/SiC电极具有较为一致的肖特基接触性质;膜厚从10nm增加到160nm,肖特基接触的电流-电压(I-V)曲线随膜厚发生显著变化.分析表明这种变化源于膜厚对理想因子n和有效势垒高度ФB的影响.1000℃快速退火后,这些肖特基接触都转变为欧姆接触,Ni2Si是主要的生成物.I-V曲线测试表明,Ni膜厚为30至70nm范围时能稳定得到性质较好的欧姆接触.证实了之前认为Ni/SiC高温退火后富碳层存在一个合适范围以形成良好欧姆接触的结论.
黄维陈之战陈义施尔畏张静玉刘庆峰刘茜
关键词：碳化硅肖特基接触欧姆接触
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