国家自然科学基金(60706001)
- 作品数：3 被引量：2H指数：1
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- 相关机构：北京有色金属研究总院更多>>
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- 相关领域：电子电信理学更多>>
- Si_(0.2)Ge_(0.8)/Ge异质结的离子束辅助固相外延生长
- 2011年
- 采用离子束辅助固相外延技术,在Ge基片上制备了SiGe/Ge异质结。利用高分辨透射电镜(HRTEM)、能量散射谱(EDX)、喇曼散射谱对SiGe/Ge异质结的形貌、成分和结构等物理性质进行了表征。还利用上述分析手段研究了固相外延温度对SiGe/Ge异质结中SiGe外延层生长的影响。结果表明,低能条件下(30keV)离子注入有利于形成SiGe外延层;通过对SiGe外延层高分辨晶格像的傅立叶分析得出,900℃下进行固相外延能够有效抑制SiGe外延层中点缺陷的生成;而且利用该技术外延生长的SiGe层完全弛豫。
- 徐文婷肖清华常青屠海令
- 关键词：异质结离子注入固相外延
- 卢瑟福背散射谱和红外干涉反射谱研究冷注入锗离子对单晶硅的损伤
- 2009年
- 主要研究锗离子在77 K温度下的冷注入对单晶硅片表面的预非晶化效果,并与室温注入情形予以对比。卢瑟福背散射谱(RBS)和红外干涉反射谱被用于对非晶层的研究。实验表明,冷注入要比室温注入的退沟道效应更为显著,反射率降低更为明显,意味着引入的损伤更为严重,更容易使硅单晶非晶化。而且,冷注入产生的最大损伤峰比室温注入的位于更深的位置,相应的非晶层/硅单晶衬底界面有更深的推入。结果还表明,同样的注入温度下,剂量越大,损伤越严重。
- 肖清华王敬欣
- 关键词：硅锗
- 黑硅制备技术及其应用的研究进展被引量：2
- 2010年
- 基于黑硅材料的发展,讨论了国内外在黑硅制备技术方面的研究进展,包括反应离子刻蚀法、飞秒激光脉冲法、电化学刻蚀法及金属辅助刻蚀法,总结了各种工艺在应用上的特点,对黑硅材料当前取得的应用及发展进行了综述。结果表明:黑硅材料的特殊结构能够极大降低硅表面光反射,有效提高硅太阳能电池转换效率;其特殊光敏性可应用于光波探测器;表面各向异性的黑硅在红外吸收中可以产生太赫兹辐射。当前飞秒激光脉冲法制备的黑硅材料体现了很好的光敏性,并且有望直接嵌入目前半导体制造工艺,因此备受青睐,然则其制备成本较高;相比之下,电化学刻蚀法则设备简单、成本较低,亦颇具研究前景。最后,展望了国内黑硅材料的发展趋势。
- 徐文婷屠海令常青肖清华
- 关键词：微结构反射率
