航天支撑技术基金(2009613305)
- 作品数：9 被引量：15H指数：2
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- 相关领域：理学一般工业技术化学工程电气工程更多>>
- SrTiO_3薄膜的制备及其性能表征被引量：1
- 2013年
- 以Sr(OOCCH3)2·H2O,Ti(OC4H9)4为原料,用溶胶-凝胶工艺成功地进行了STO薄膜的制备,溶胶薄膜经过575℃-725℃/60 min退火形成立方钙钛矿结构。用XRD、SEM等进行了结构和形貌表征,证明了该薄膜是纳米晶体结构,制定了SrTiO3薄膜的最佳退火工艺。STO薄膜的介电特性分析:在100 kHz下,室温时,STO薄膜的介电常数为475而介电损耗为0.050。
- 常亮亮
- 关键词：SRTIO3薄膜溶胶-凝胶法介电常数
- 湿化学工艺导电性LaNiO_3薄膜的制备表征及应用被引量：2
- 2011年
- 为改进以醇盐为原料溶胶-凝胶制备LaNiO3(LNO)薄膜工艺中存在的诸多苛刻因素,本文以无机盐为原料,利用湿化学工艺在硅衬底上制备了LNO薄膜,La(NO3)3.6H2O和Ni(NO3)2.6H2O冰醋酸溶液通过配体交换形成金属醋酸盐的冰醋酸溶液,回流时用乙酸酐(CH3 CO)2 O除硝酸根和结晶水,而乙酰丙酮(AcAc)部分取代醋酸盐分子中的醋酸根而形成的M(OAc)n-x(AcAc)x(M=La3+或Ni2+)能部分水解形成M(OH)n-x(AcAc)x。该羟基金属离子通过羟基聚合并与甲基纤维素(MCL)形成线状结构LNO溶胶,易于成膜。LNO薄膜经过550-850℃/60min退火形成多晶膺立方钙钛矿结构,其晶格参数a=3.84。四引线法测定厚度0.6μmLNO薄膜电阻率与温度的变化在-163-150℃之间能符合ρ=ρ0+AT2关系式。在1KHz测试频率下,测得Pb(Zr0.52Ti0.48)O3(PZT)(52/48)薄膜剩余极化强度Pr在LNO/Pt/Ti/SiO2/Si衬底和Pt/Ti/SiO2/Si衬底上分别为19.6和23.5μC.cm-2,矫顽场分别为76.1和85.1 kV.cm-1。
- 彭焕英殷明志杨亮亮蒋迪波
- 关键词：溶胶-凝胶工艺
- La_(1-x)Sr_xMnO_3薄膜的制备、微观结构及电性能
- 2012年
- 以无机盐为原料,采用溶胶-凝胶法在Si衬底上制备了La1-xSrxMnO3(LSMO)薄膜。XRD和TEM测试表明LSMO薄膜呈现纳米多晶菱形钙钛矿结构,薄膜的(012)、(110)晶面间距分别为0.38nm、0.28nm。SEM分析表明LSMO薄膜表面平整、光滑致密。电学测试La1-xSrxMnO3/Si异质结的I-V特性曲线表明,随着Sr掺杂量的增加,同一偏压下的开启电压变小,当电压大于10V时,La1-xSrxMnO3/Si异质结的电流迅速增大,呈现传统的p-n结特征。
- 高文娟殷明志徐驰彭焕英
- 关键词：溶胶-凝胶法异质结P-N结
- 溶胶-凝胶法SrIn_xTi_(1-x)O_3薄膜的制备及表征被引量：1
- 2011年
- 以Sr（OOCCH3）2·H2O,In（NO3）3.41/2H2O及Ti（OC4H9）4为原料,用溶胶-凝胶工艺制备了SrInx-Ti1-xO3（SITO）薄膜。SITO凝胶薄膜经过575~725℃/60 min退火形成立方钙钛矿结构。用XRD、SEM对薄膜结构和形貌表征。霍尔测定表明In-STO薄膜属于空穴导电的p-型半导体。SITO薄膜形貌与溶胶的陈化时间有关,最佳陈化时间为5~20 h。
- 常亮亮殷明志
- 关键词：溶胶-凝胶法
- 锆钛酸铅(PZT)薄膜的制备及其改性研究
- 2013年
- 文章综述了锆钛酸铅(PZT)薄膜的主要制备方法,其中包括射频磁控溅射法、脉冲激光沉积法、溶胶-凝胶法和金属有机化学气相沉积法。讨论了不同工艺参数对于PZT薄膜的结构和性能的影响,并针对PZT薄膜出现的疲劳现象进行掺杂改性,探讨提高其抗疲劳性能的途径。
- 高文娟殷明志徐驰
- 关键词：PZT薄膜掺杂
- La_(1-x)Sr_xMnO_3薄膜的制备、结构及电磁特性被引量：5
- 2012年
- 以无机盐为原料,采用溶胶-凝胶工艺在Si衬底上制备La1-xSrxMnO3(LSMO)薄膜,XRD和TEM分析表明LSMO薄膜呈现纳米晶菱形钙钛矿结构,SEM分析表明LSMO薄膜表面平整、光滑致密。磁学测试结果表明:在0T、0.4T和0.8T时薄膜的Tp分别为220K、224K和229K,随着磁场的增大Tp移向高温的同时峰值电阻降低,这与铁磁相变及磁场对DE作用的影响有关。MR极值在250K左右达18.4%。
- 徐驰殷明志高文娟彭焕英
- 关键词：溶胶-凝胶工艺磁阻
- LaNiO_3导电氧化物薄膜的制备及应用研究
- 2012年
- 综述了退火温度、气氛和衬底对LNO薄膜结构和电性能的影响,详细介绍了LNO薄膜作底电极或过渡层在钙钛矿结构的PLT、PZT、BST铁电和BFO铁磁电薄膜生长过程中对其铁电性能和疲劳性能的影响。
- 彭焕英殷明志蒋迪波
- 关键词：LANIO3
