国家重点实验室开放基金(9140C0903050605)
- 作品数：1 被引量：1H指数：1
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- 高散热变k介质埋层SOI高压功率器件被引量：1
- 2006年
- 针对常规SOI器件纵向耐压低和自热效应两个主要问题,提出了变k介质埋层SOI(variablekdielectricburiedlayerSOI,VkDSOI)高压功率器件新结构.该结构在高电场的漏端采用低k介质以增强埋层电场,在高电流密度的源端附近采用高热导率的氮化硅埋层,从而器件兼具耐高压和降低自热效应的优点.结果表明,对于k1=2,k2=7·5(Si3N4),漂移区厚2μm,埋层厚1μm的器件,埋层电场和器件耐压分别达212V/μm和255V,比相同厚度的常规SOI器件的埋层电场和耐压分别提高66%和43%,最高温度降低52%.
- 罗小蓉李肇基张波
- 关键词：SOI纵向电场击穿电压自热效应
