河北省教育厅科研基金(Z2007222)
- 作品数：5 被引量：10H指数：2
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- 相关领域：理学金属学及工艺电子电信更多>>
- 外加气流对脉冲激光烧蚀制备纳米Si晶粒尺寸分布的影响被引量：2
- 2010年
- 提出一种控制脉冲激光烧蚀制备纳米Si晶粒尺寸分布的新方法。在10Pa的Ar环境中,采用脉冲激光烧蚀高阻抗单晶硅靶沉积制备了纳米Si晶薄膜。在羽辉正上方2.0cm,距靶0.3～3.0cm范围内的不同位置引入氩气流,在烧蚀点正下方2.0cm处水平放置单晶Si(111)衬底来收集制备的纳米Si晶粒。利用扫描电子显微镜观察样品表面形貌,并对衬底不同位置上纳米Si晶粒进行统计。结果表明:在不引入气流时,晶粒的尺寸随靶衬间距的增加先增大后减小,晶粒尺寸峰值出现在距靶1.7cm处;引入气流后,晶粒尺寸分布发生变化,在距靶1.7cm引入气流时晶粒尺寸峰值最大,在距靶3.0cm引入气流时晶粒尺寸峰值最小,且出现晶粒尺寸峰值的位置随着引入气流位置的增加而增大。
- 王英龙罗青山邓泽超褚立志丁学成梁伟华陈超傅广生
- 关键词：纳米SI晶粒脉冲激光烧蚀环境气体气流
- 激光烧蚀制备纳米Si晶粒的激光能量密度阈值被引量：2
- 2009年
- 在10Pa的Ar环境气氛下，采用脉冲激光烧蚀方法在玻璃或单晶Si（111）衬底上制备了纳米Si晶薄膜。为了确定能够形成纳米Si晶粒的激光能量密度阈值，在0.40-1.05J／cm^2内实验研究了激光能量密度对纳米Si晶粒形成的影响。扫描电子显微镜（SEM）测量证实，随着激光能量密度的减小，所形成的纳米Si晶粒数目逐渐减少。当激光能量密度低于0.43J／cm^2时，衬底表面不再有纳米Si晶粒形成。从激光烧蚀动力学角度出发，对实验结果进行了定性分析。
- 褚立志邓泽超丁学成卢丽芳王英龙
- 关键词：激光烧蚀
- 初始溅射烧蚀粒子总数对其传输中的密度和速度分布的影响被引量：2
- 2010年
- 采用蒙特卡罗(Monte Carlo)模拟方法,研究了初始烧蚀粒子总数对其传输中的密度和速度及环境气体密度分布的影响。结果表明,随着烧蚀粒子总数增加,烧蚀粒子高密度峰离开靶的最大距离增大,到距靶最大距离处所用时间,出现先增大后减小的变化,烧蚀Si粒子的速度分布随粒子总数增多而变宽,当粒子总数为1.01×10^(15)和1.01×10^(16)时,出现速度劈裂现象。
- 丁学成傅广生梁伟华褚立志邓泽超王英龙
- 关键词：激光技术密度分布蒙特卡罗模拟
- 激光退火能量对非晶Si薄膜晶化的影响被引量：3
- 2008年
- 采用XeCl准分子脉冲激光,在真空环境中烧蚀单晶Si靶,在Si(111)和石英衬底上沉积生成非晶Si薄膜.在同样的环境下,用激光对非晶Si薄膜进行退火,通过扫描电子显微镜和拉曼光谱仪对退火后的样品进行分析比较.结果表明,激光能量对非晶薄膜的晶化和纳米晶粒尺寸有重要影响.
- 邓泽超马娜褚立志王英龙
- 关键词：激光退火脉冲激光烧蚀纳米晶粒晶化
- 激光脉冲波形对烧蚀Si靶表面温度的影响被引量：1
- 2010年
- 利用双温方程对激光烧蚀Si靶的过程进行了数值模拟,并结合合适的初始条件和边界条件,研究了在飞秒、皮秒激光作用下,脉冲波形(矩形、梯形、三角形和高斯形)对Si靶表面载流子和晶格温度分布的影响。结果表明:激光功率密度是影响载流子温升的主要因素,矩形脉冲激光烧蚀Si靶表面载流子的峰值温度最高,而高斯分布的脉冲引起靶面载流子峰值温度最低。可见,激光脉冲波形对Si靶表面载流子的温度分布具有重要影响。所得结果可为制备高质量的薄膜提供理论依据。
- 王世俊王英龙丁学成梁伟华邓泽超褚立志傅广生
- 关键词：激光烧蚀脉冲波形载流子
