国家高技术研究发展计划(2007AA804406)
- 作品数：2 被引量：4H指数：1
- 相关作者：廖志君伍登学范强杨水长刘振良更多>>
- 相关机构：四川大学中国科学院更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- 碳化硼薄膜制备的研究进展(英文)被引量：1
- 2008年
- 综述了碳化硼材料的主要性能和制备碳化硼薄膜的主要方法,讨论了包括磁控溅射、离子束沉积和化学气相沉积等制备方法的优点及重要工艺参数,并就各方法指出了提高薄膜性能的主要措施,指出制备出更均匀、致密的碳化硼薄膜,提高薄膜与基体间的结合力,降低薄膜应力仍是今后研究的重点。
- 范强廖志君伍登学
- 关键词：碳化硼
- 基片温度对电子束蒸发沉积碳化硼薄膜性能的影响被引量：3
- 2009年
- 在不同基片温度下,采用电子束蒸发法在Si(100)衬底上制备了碳化硼薄膜,研究了基片温度对薄膜性能的影响。采用X射线光电子能谱仪(XPS)分析了薄膜成分,薄膜的表面形貌用原子力显微镜(AFM)进行表征,采用台阶仪和椭偏测厚仪测量了薄膜厚度和折射率。结果表明基片温度对薄膜成分影响不大;随着基片温度的升高,薄膜表面粗糙度逐渐增大,均方根粗糙度由0.394 nm增至0.504 nm;而沉积速率先增大后减小,在300℃时达到最大值7.47 nm/min;其折射率由2.06渐增至2.41,表明薄膜致密性逐渐提高。
- 范强廖志君杨水长刘振良伍登学卢铁城
- 关键词：电子束蒸发基片温度粗糙度
