您的位置: 专家智库 > >

国家自然科学基金(60976017)

作品数:3 被引量:12H指数:1
相关作者:王磊高超群惠瑜景玉鹏更多>>
相关机构:中国科学院微电子研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 1篇硅片
  • 1篇硅片清洗
  • 1篇PROCES...
  • 1篇RCA清洗
  • 1篇RELEAS...
  • 1篇SPRAY
  • 1篇STICKI...
  • 1篇EFFECT
  • 1篇MEMS
  • 1篇超临界
  • 1篇超临界二氧化...
  • 1篇超临界流体
  • 1篇STRIPP...
  • 1篇ASH
  • 1篇MIXTUR...
  • 1篇WET
  • 1篇RELEAS...
  • 1篇PHOTOR...

机构

  • 1篇中国科学院微...

作者

  • 1篇景玉鹏
  • 1篇惠瑜
  • 1篇高超群
  • 1篇王磊

传媒

  • 2篇Journa...
  • 1篇微纳电子技术

年份

  • 1篇2011
  • 2篇2010
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
Novel photoresist stripping technology using steam-water mixture
2011年
A novel wet vapor photoresist stripping technology is developed as an alternative to dry plasma ashing and wet stripping. Experiments using this technology to strip hard baked SU-8 photoresist, aurum and chromium film are carried out. Then the images of stripping results are shown and the mechanism is analyzed and discussed. The most striking result of this experiment is that the spraying mixture of steam and water droplets can strip pho- toresist and even metal film with ease.
王磊惠瑜高超群景玉鹏
超临界二氧化碳(SCCO_2)无损伤清洗被引量:12
2010年
简要回顾了传统RCA清洗工艺的历史背景和清洗原理,介绍了RCA清洗随着工艺节点减小存在的局限性。在此基础上,阐述了以超临界二氧化碳(SCCO2)为媒质的新型清洗工艺,该工艺流程可以同时实现超临界流体清洗和干燥。结合自主研发的绿色环保二氧化碳超临界半导体清洗设备,论述了利用SCCO2对Si片进行无损伤清洗的工艺原理和工艺流程。分析了近年来国内外对SCCO2清洗的研究进展,展示了其在清洗方面的巨大潜力以及在微电子行业应用中的有效性和优越性,其研究成果有利于推动下一代清洗工艺的发展。
王磊惠瑜高超群景玉鹏
关键词:RCA清洗硅片清洗超临界二氧化碳超临界流体
Supercritical carbon dioxide process for releasing stuck cantilever beams
2010年
The multi-SCCO2 (supercritical carbon dioxide) release and dry process based on our specialized SCCO2 semiconductor process equipment is investigated and the releasing mechanism is discussed. The experiment results show that stuck cantilever beams were held up again under SCCO2 high pressure treatment and the repeatability of this process is nearly 100%.
惠瑜高超群王磊景玉鹏
关键词:RELEASEMEMS
共1页<1>
聚类工具0