国家高技术研究发展计划(2002AA404470)
- 作品数：6 被引量：29H指数：4
- 相关作者：王权丁建宁蒋庄德赵立波赵玉龙更多>>
- 相关机构：江苏大学西安交通大学中国科学院更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划浙江省科技攻关计划更多>>
- 相关领域：自动化与计算机技术更多>>
- 通用型耐高温微型压力传感器封装工艺研究被引量：4
- 2005年
- 针对通用型高温微型压力传感器的测量要求,采用SIMOX(separationbyimplantedoxygen)技术SOI(silicononinsulator)晶片4层结构Pt5Si2-Ti-Pt-Au合金化引线系统,解决了高温压力传感器引线的难点。制作了静电键合实验装置,完成了硅/玻璃环静电键合,制作了压焊工作台,选用退火后的金丝,金金连接完成内引线键合。自制了耐高温覆铜传引板,定制了含Ag的高温焊锡丝,选用了耐高温导线作为外导线,完成了耐高温封装的关键部分。研制了高精度、稳定性的压阻式压力传感器。
- 王权丁建宁王文襄
- 关键词：高温压力传感器引线
- 通用型高温压阻式压力传感器研究被引量：6
- 2005年
- 针对石油化工等领域高温下压力测量的要求,设计了压阻式压力传感器硅芯片,采用SIMOX技术SOI晶片,在微加工平台上制作了硅芯片。对不同的用户工况设计了装配结构,采用耐高温封装工艺,研究了耐高温微型压力传感器封装材料匹配与热应力消除技术,解决了内外引线的技术难点。从低成本、易操作性出发,设计了温度系数补偿电路,研制了精度高、稳定性佳的耐高温通用压力传感器。
- 王权丁建宁王文襄薛伟
- 关键词：高温压力传感器SIMOX补偿电路
- 高温压力传感器温度漂移补偿研究被引量：12
- 2005年
- 针对高温压力传感器耐高温和高压的测量的要求,设计了压阻式压力传感器硅杯式芯片版图,采用SIMOX(separationbyimplantedoxygen)技术SOI(silicononinsulator)晶片,在微加工平台上制作了该芯片,获得了差动等臂等应变的惠斯登检测电桥。对采用耐高温封装后的传感器的热零点漂移、热灵敏度漂移和零位输出的补偿作了研究,设计了补偿电路,推导了热灵敏度漂移补偿的计算公式,在通用型高温压力传感器的研发中证明其可行性和实用性,并总结出了经验公式。
- 王权丁建宁王文襄范真
- 关键词：高温压力传感器惠斯登电桥恒流源
- 基于SIMOX的耐高温压力传感器芯片制作被引量：3
- 2005年
- 针对石油化工等领域中高温下较高压力测量的要求，设计了压阻式压力传感器敏感芯片，采用SIMOX技术的SOI晶片，在微加工平台上通过低压化学气相淀积法（LPCVD）均相外延硅测量层、浓硼离子注入、热氧化、光刻、电感耦合等离子体（ICP）深刻蚀、多层合金化等工艺流程制作了该芯片，将其封装后，研制出了高精度稳定性佳的耐高温压阻式压力传感器．封装工艺进一步改善后，该芯片工作温区有望拓宽到300～350℃．
- 王权丁建宁王文襄熊斌
- 关键词：高温压力传感器SIMOX低压化学气相淀积
- 高温压力传感器技术研究被引量：2
- 2002年
- 提出的基于MEMS技术的耐高温压力传感器,采用耐高温SOI力敏元件以及梁膜组合设计,保证传感器有较高频响的同时,具有耐平衡高温和瞬时超高温的能力。研制的耐高温压力传感器可以用于0～220℃恶劣环境条件下的压力测量,并能解决1000℃的瞬时冲击。给出了传感器的结构模型和实测数据,得到比较满意结果。
- 赵玉龙赵立波蒋庄德
- 关键词：高温压力传感器
- 基于SIMOX技术的高温压力传感器研制被引量：4
- 2004年
- 应用氧离子注入 (Separation by Implantation of Oxygen) SIMOX技术 ,制作适合于高温环境条件下的固态压阻式硅隔离 (SOI)压力敏感元件。采用了一种新型梁膜结合封装工艺 ,有效地解决了被测压力高温冲击问题 ,可应用于航空、航天发动机等恶劣环境下的压力测量。
- 赵玉龙赵立波蒋庄德
- 关键词：高温压力传感器封装
