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教育部科学技术研究重点项目(107078)

作品数：1 被引量：5H指数：1
相关作者：干福熹刘启明何漩钱士雄更多>>
相关机构：武汉理工大学复旦大学中国科学院上海光学精密机械研究所更多>>
发文基金：教育部“新世纪优秀人才支持计划”教育部科学技术研究重点项目国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学机械工程更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇机械工程
  • 1篇理学

主题

  • 1篇三阶非线性
  • 1篇全光
  • 1篇全光开关
  • 1篇外差
  • 1篇激光
  • 1篇光开关
  • 1篇非线性
  • 1篇飞秒
  • 1篇飞秒激光
  • 1篇KERR效应
  • 1篇超外差
  • 1篇KERR

机构

  • 1篇复旦大学
  • 1篇武汉理工大学
  • 1篇中国科学院上...

作者

  • 1篇钱士雄
  • 1篇何漩
  • 1篇刘启明
  • 1篇干福熹

传媒

  • 1篇物理学报

年份

  • 1篇2009
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
硫系非晶半导体薄膜中的超快光Kerr效应被引量：5
2009年
利用飞秒激光超外差光Kerr(OHD-OKE)技术研究了As2S3,As2Se3,GeS2,GeSe2,Ge20 As25S55,Ge20 As25Se55,Ge10 As40S20Se30七个体系硫系非晶态半导体薄膜的三阶非线性性能,结果表明硫系非晶态半导体薄膜具有较大的三阶非线性极化率χ(3)值(达10-12esu),非线性响应时间很快(小于200fs).并根据测量结果计算出了薄膜的非线性折射率和吸收.硫系非晶半导体薄膜中较大的非线性极化率值的出现是由于核外电子轨道的非线性扭曲所致.
刘启明何漩干福熹钱士雄
关键词：全光开关三阶非线性
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共1页<1>
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