国家高技术研究发展计划(2001AA312010)
- 作品数：13 被引量：25H指数：3
- 相关作者：冯军王志功王骏峰袁晟熊明珍更多>>
- 相关机构：东南大学更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 10Gb/s 0.18μmCMOS预处理芯片
- 2004年
- 介绍采用0.18μm CMOS工艺设计并实现的光纤通信接收机时钟恢复电路预处理器。核心电路采用乘法器加LC选频器的结构。测试结果表明,该电路可工作在10Gb/s 的输入速率上。
- 袁晟冯军王骏峰熊明珍王志功
- 关键词：预处理CMOS乘法器
- 高速电路设计与库模型应用的研究
- 2005年
- 通过对TSMC0.18μmCMOS工艺库模型的分析,电路仿真结果比较以及实际限幅放大器电路流片测试结果的验证比较,提出在深亚微米工艺中,大信号高速电路的设计适宜选用混合信号管进行。
- 冯军金杰
- 关键词：高速电路
- 10Gb/s 0.18μm CMOS注入式时钟恢复电路
- 2003年
- 介绍了一种利用0.18μm CMOS工艺实现,用于SDH系统STM-64级别(10GHz)的时钟恢复电路。该电路采用注入式振荡器辅助锁相环的锁定。文中分析该电路的系统结构、单元电路结构和环路设计,并给出了模拟结果和版图。
- 王骏峰袁晟冯军王志功
- 关键词：CMOS工艺环路设计系统结构光纤通信
- 10 Gb/s 0.18μm CMOS光发射机芯片被引量：1
- 2005年
- 介绍了基于0.18μm CMOS工艺设计的10 Gb/s光发射机电路,包括复接器和激光驱动器两部分。仿真结果表明,在1.8 V电源电压作用下该电路可工作在10 Gb/s速率以上,输入四路单端峰峰值为0.2 V的信号时,在单端50Ω负载上的复接输出电压摆幅可达到1.4 V以上,电路功耗约为230 mW。芯片面积为1.77 mm×0.94 mm。
- 雷恺缪瑜冯军王志功
- 关键词：激光驱动器复接器锁存器CMOS
- 10Gbit/s 0.18μm CMOS激光驱动器的集成电路被引量：1
- 2005年
- 为了得到低电压、低功耗、高速率的激光驱动器电路,采用0.18μmCMOS工艺设计了10Gbit/s的激光驱动器集成芯片.电路的核心单元为两级直接耦合的差分放大器和电流输出电路.为扩展带宽、降低功耗,电路中采用了并联峰化技术和放大级直接耦合技术,整个芯片面积为0.94mm×1.25mm.经测试,该芯片在1.7V电源电压时,最高可工作在11Gbit/s的速率上;当输入10Gbit/s、单端峰峰值为0.3V的信号时,在50Ω负载上的输出电压摆幅超过1.7V,电路功耗约为77.4mW.进一步优化后,该电路可适用于STM64系统.
- 雷恺冯军黄璐王志功
- 关键词：激光驱动器CMOS
- 2.5Gb/s混合集成光发射机被引量：3
- 2006年
- 介绍了适用于光纤通信系统且具有完全自主知识产权的混合集成光发射机的研制.该发射机采用薄膜电路和激光焊接耦合技术将高速集成电路和光电子器件进行混合集成,其中高速集成电路是采用0.35μm硅CMOS工艺实现的单片4∶1复接器加激光驱动器芯片,光电子器件是采用湿法腐蚀、聚合物平坦和lift-off等技术实现的激光器芯片,最终混合集成模块采用蝶形管壳进行封装,体积小、性能优良.该发射机工作速率为2.5Gb/s,波长为1550nm,输出光功率为5.5dBm,消光比为9.4dB.
- 冯军时伟缪瑜李连鸣张军王志功江山
- 关键词：光纤通信光发射机复接器激光驱动器
- 超高速激光驱动器电路设计与研制被引量：5
- 2005年
- 分别利用0 35μm CMOS工艺和0 2μm GaAs PHEMT(pseudomorphic high electron mobility transistor)工艺实现了激光驱动器集成电路,其工作速率分别为2 5Gb/s和 10Gb/s,可应用于光纤通信 SDH(synchronous dig ital hierarchy)传输系统.
- 黄颋王志功李连鸣
- 关键词：激光驱动器CMOSPHEMTSDH
- 10Gb/s 0.18μm CMOS光接收机前端放大电路被引量：3
- 2003年
- 介绍了利用TSMC 0.18μm CMON工艺设计的应用于SDH STM-64速率级(10Gb/s)光接收机前端放大电路。该电路由前置放大器和作为主放大器的限幅放大器构成,其中前置放大器采用RGC形式的互阻放大器实现,限幅放大器采用改进的Cherry—Hooper结构。模拟结果表明该电路可以工作在10Gb/s速率上。
- 金杰冯军王志功
- 关键词：光接收机前置放大器限幅放大器CMOS放大电路光纤通信系统
- 7.3GHz 0.18μm CMOS注入式锁相环电路
- 2004年
- 给出一种利用 0 .18μm CMOS工艺实现的注入式振荡器辅助锁相环 .在 1.8V电源电压下 ,电路工作频率为7.3GHz,功耗为 15 7m W,跟踪范围为 15 0 MHz,锁定时在 1‰ (7.3MHz)频率偏移量下的相位噪声为 - 97.36 d
- 王骏峰冯军袁晟熊明珍王志功
- 关键词：注入式锁相环CMOS工艺
- 2.5 Gb/s 0.35 μm CMOS光接收机前置放大器设计被引量：8
- 2004年
- 采用0.35μm CMOS工艺设计并实现了用于SDH系统STM-16(2.5 Gb/s)速率级光接收机前置放大器。此放大嚣采用+5V电源电压,中频增益为73dBΩ,3dB带宽为2.2GHz。核面积为0.15mm×0.20mm。
- 张敬伟冯军刘欢艳
- 关键词：光接收机前置放大器跨阻放大器CMOS工艺
