公共文化服务平台

溶胶-凝胶法制备无机纳米材料的研究现状被引量：22: 2005年; 简述了溶胶鄄凝胶法制备无机纳米材料的工艺过程以及溶胶鄄凝胶法在无机纳米材料制备中的应用,尤其是在纳米微粒、纳米薄膜的制备及粉体的表面包覆等方面的应用。分析了溶胶鄄凝胶工艺中的各种影响因素,并指出了今后溶胶鄄凝胶法的研究方向。; 赵婧李怀祥; 关键词：溶胶-凝胶法纳米材料表面包覆

退火温度对碳注入外延硅蓝光发射特性的影响: 2004年; 获得了不同退火温度注碳外延硅的蓝光发射谱,分析了退火温度对其蓝光发射特性的影响,发现退火温度为 1 000℃样品具有最强的发射强度。认为经碳注入所引入的杂质C = O 复合体是发光的重要因素;经碳注入氮气氛中退火及电化学腐蚀处理形成纳米硅镶嵌结构,因量子限制效应–表面复合效应而发光。; 李忠赵显李玉国薛成山; 关键词：蓝光发射

Theoretical Studies on the Coplanar Dicage Pentaprismane C_(16)H_(12): 2004年; A coplanar dicage pentaprismane molecule C16H12 has been studied by using DFT at B3LYP/D95* level and ab initio method at MP2/D95* level, and the vibrational frequencies of the molecule have been calculated at B3LYP/D95* level too. The results show that the molecule is thermodynamically stable. Some physico-chemical properties, such as geometry, simulated IR spectrum and heat of formation, have been reported.; 刘奉岭于淑媛王海燕李怀祥; 关键词：GEOMETRY

CaSiO_3:Pb,Mn荧光粉的ZnO:Al包覆研究被引量：4: 2006年; 以Zn(NO3)·26H2O和AlCl3·6H2O为原料,借助CO(NH2)2的水解反应,采用化学均相共沉淀方法和热处理工艺,在自制CaSiO3∶Pb,Mn红色荧光粉表面包覆ZnO∶Al,形成透明导电层.运用数字万用表和自制测量盒对粉体的电阻率进行测量,比较了包覆率n(Zn)/n(Ca)、n(Al)/n(Zn),热处理温度和热处理时间对粉体电阻率的影响;优化出包覆条件和热处理条件:n(Zn)/n(Ca)=10%,n(Al)/n(Zn)=5%,75℃水解1.5h,500℃热处理45min.对包覆样品进行了室温光致荧光(PL)测量,X射线衍射(XRD)结构分析和透射电子显微镜(TEM)形貌观察.结果显示,当n(Zn)/n(Ca)=10%时,在CaSiO3∶Pb,Mn荧光粉表面形成了连续的ZnO∶Al敷膜,荧光粉的电阻率明显降低,并且保持了良好的光致发光性质.; 赵婧李怀祥王安河周宏伟左相青; 关键词：表面包覆光致发光荧光粉

氨化硅基Ga_2O_3/Al_2O_3制备GaN薄膜性质研究被引量：2: 2005年; 研究了Ga2O3/Al2O3膜反应自组装制备GaN薄膜。首先利用磁控溅射法在硅衬底上制备Ga2O3/Al2O3膜,再将Ga2O3/Al2O3膜在高纯氨气气氛中氨化反应得到GaN薄膜。用傅里叶红外谱仪(FTIR),X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)对试样进行结构、组分和形貌分析。通过分析薄膜各方面的性质,得出了用此方法制备氮化镓薄膜的Al2O3缓冲层最佳的厚度为15nm左右,最佳氨化条件是在900℃下氨化15min。; 魏芹芹薛成山孙振翠庄惠照王书运; 关键词：GAN 氨化磁控溅射

Si(111)衬底上生长GaN晶绳的研究被引量：1: 2003年; 利用热壁化学气相沉积在Si(111)衬底上获得GaN晶绳,采用傅里叶红外吸收谱(FTIR)、扫描电子显微镜(SEM)、选区电子衍射(SAED)。X射线衍射(XRD)和光致发光谱(PL)对晶绳进行组成、结构、形貌和光学特性分析。初步结果证明:在Si(111)衬底上获得择优生长的六方纤锌矿结构的GaN晶绳。SEM显示在均匀的薄膜上出现φ6μm的晶绳,FTIR显示GaN薄膜的主要成分为GaN同时含有少量的C污染,由XRD和SAED的综合分析得出晶绳呈六方纤锌矿单晶结构,PL测试表明晶绳呈现不同于GaN薄膜的发光特性。; 曹文田孙振翠魏芹芹薛成山王强; 关键词：氮化镓 SEM SAED XRD 光致发光谱

ZnO∶Al包覆CaSiO_3∶(Pb,Mn)荧光粉(英文): 2006年; 利用溶液中的共沉淀反应制备了CaSiO3∶(Pb,Mn)红色光致荧光粉。以Zn(NO3)2·6H2O和AlCl3·6H2O为原料,借助CO(NH2)2水解反应,用化学均相共沉淀法和热处理工艺在荧光粉表面包覆一层ZnO∶Al透明导电薄膜。对包覆前后的样品进行了X射线衍射结构分析、光致荧光分析、透射电镜形貌观察及电阻测量。结果显示:包覆后荧光粉的电导率显著提高,但光致荧光峰的位置和强度无明显变化。综合考虑包覆对荧光粉电阻率和荧光性质的影响,优化包覆条件和热处理条件为:n(Zn)/n(Ca)=10%,n(Al)/n(Zn)=5%,75℃水解1.5h;包覆后的样品在500℃热处理45min。; 赵婧李怀祥王安河左相青周宏伟; 关键词：表面包覆光致荧光

氮化时间对扩镓硅基GaN晶体膜质量的影响被引量：1: 2004年; 采用射频磁控溅射在扩镓硅基上溅射Ga2O3薄膜,然后氮化反应组装GaN晶体膜,并研究氮化时间对薄膜晶体质量的影响。测试结果表明:采用两步法生长得到六方纤锌矿结构的GaN多晶膜,扩镓硅层有效的抑制了硅衬底的氮化和弛豫了GaN与Si衬底的热失配。同时显示:在相同的氮化温度下,晶粒尺寸随氮化时间的增加而增大,薄膜的晶化程度相应的得到提高。; 曹文田孙振翠魏芹芹薛成山庄惠照高海永; 关键词：射频磁控溅射半导体

氮化镓薄膜研究进展被引量：6: 2003年; 介绍了GaN薄膜材料的主要性质 ,制备工艺 ,掺杂 ,衬底和缓冲层等相关问题 ,并概述了GaN基器件的研究现状 ,提出了目前GaN研究中所面临的主要问题 .; 杨利魏芹芹孙振翠薛成山; 关键词：氮化镓薄膜半导体光电子材料

富硅二氧化硅薄膜的蓝色荧光特性研究: 用射频磁控溅射法制备了富硅二氧化硅薄膜。红外(IR)透射光谱表明退火过程中化学反应2SiO→xSiO+(2-x)Si发生。SiO与纳米晶硅(nc-Si)界面上与氧有关的缺陷(NBOHC)是蓝光发射(2.8eV)的主要原因...; 肖淑娟贺月娇庄惠照李怀祥薛成山; 关键词：蓝光发射; 文献传递

渝B2-20050021-1　渝公网安备 50019002500403号　违法和不良信息举报中心　互联网出版许可证　新出网证(渝)字10号

国家自然科学基金(60071006)