江苏高校省级重点实验室开放课题(kjsmcx04005)
- 作品数：4 被引量：9H指数：2
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- 相关领域：一般工业技术金属学及工艺更多>>
- 射频磁控溅射法制备氮化硼薄膜被引量：1
- 2006年
- 采用射频磁控溅射方法在T10钢表面获得了氮化硼薄膜。借助光学显微镜、摩擦磨损试验仪和划痕试验仪等研究了溅射时间、溅射功率以及中间层对薄膜性能的影响。结果表明:氮化硼薄膜的摩擦因数约为钢基材料的一半,中间层镍磷合金的加入使薄膜结合力显著提高。
- 李宁邵红红
- 关键词：射频磁控溅射氮化硼薄膜结合力
- 退火温度对SiC薄膜表面形貌和结构的影响被引量：1
- 2009年
- 采用射频磁控溅射法在单晶Si(100)表面制备了非晶态SiC薄膜,并于真空热处理炉中进行(800～1200)℃×1h退火处理。通过X射线衍射、扫描电镜以及摩擦磨损试验研究了退火温度对薄膜结构、表面形貌以及性能的影响。结果表明,退火温度在800℃以上薄膜结构开始发生明显的晶态转变,在1000℃时薄膜主要结构为3C-SiC,且薄膜表面晶粒细小、致密,摩擦系数约为0.2。在1200℃退火时,薄膜为混晶结构,且薄膜晶粒明显粗化。
- 邵红红张亮高建昌苏波
- 关键词：SIC薄膜磁控溅射退火温度
- 钢基耐磨SiC薄膜制备研究被引量：2
- 2007年
- 用磁控溅射的方法在40Cr钢的表面制得了SiC薄膜。通过X射线衍射、傅里叶红外光谱分析、摩擦磨损以及划痕试验研究了工艺参数、溅射方式对薄膜性能的影响。结果表明:室温下,用磁控溅射法制备的SiC薄膜具有非晶态结构;傅立叶红外光谱证实了薄膜中除了Si—C键的存在外还有大量的Si—Si键;在相同的工艺参数下用射频溅射法制备的薄膜表面更为光滑致密,与基体结合更好;采用射频溅射法,在功率200W,时间为2h,工作气压为0.1Pa条件下制备的SiC薄膜性能最佳。
- 邵红红张晔高建昌
- 关键词：SIC薄膜磁控溅射结合力40CR钢
- 碳钢基体磁控溅射SiC薄膜结合力研究被引量：5
- 2007年
- 采用磁控溅射法在T10钢表面获得了SiC薄膜,并研究了溅射方式、工艺参数以及中间层对薄膜结合性能的影响。试验结果表明,采用功率为200 W射频法和时间为2 h的SiC/N i-P双层薄膜结合力最好。
- 邵红红张晔高建昌华戟云
- 关键词：磁控溅射SIC薄膜结合力
