模拟集成电路国家重点实验室开放基金(51439030105DZ1504)
- 作品数：2 被引量：1H指数：1
- 相关作者：章晓文恩云飞林晓玲孔学东姚若河更多>>
- 相关机构：信息产业部电子第五研究所华南理工大学更多>>
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- SiGe HBT器件的可靠性技术被引量：1
- 2007年
- 介绍了SiGe异质结双极晶体管的特点,对SiGe异质结双极晶体管的物理机理进行了讨论,进而分析了影响其可靠性的各种可能因素,总结了目前SiGe HBT可靠性加速寿命试验方法,并进行了比较。
- 林晓玲孔学东姚若河恩云飞章晓文
- 关键词：SIGE异质结双极晶体管加速寿命试验可靠性
- SiGe HBT的热载流子效应评价
- 2009年
- 电压加速退化试验方法(OCSAM;EB结反偏)常用于评价硅锗异质结晶体管(SiGe HBT)的热载流子效应,但晶体管在高电压、低电压分别作用下所产生的的失效机理并不相同,且耗时长.文中采用电流加速应力试验方法(FCSAM;EB结反偏、CB结正偏),评价SiGe HBT在热载流子效应作用下的可靠性,研究施加应力前后SiGe HBT器件电特性的变化,分析了电特性退化的原因.结果表明:随应力施加时间的增加,SiGe HBT的电流放大系数逐步退化;与传统的电压加速退化试验方法相比,FCSAM显著缩短了试验时间,能对SiGe HBT的长期可靠性进行有效预测.
- 林晓玲孔学东恩云飞章晓文姚若河
- 关键词：可靠性热载流子效应
