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国家自然科学基金(11304092)

作品数:5 被引量:1H指数:1
相关作者:徐进霞周远明梅菲张冉刘凌云更多>>
相关机构:湖北工业大学电子科技大学中国科学技术大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金湖北省教育厅科学技术研究项目湖北省自然科学基金更多>>
相关领域:理学电子电信机械工程更多>>

文献类型

  • 5篇中文期刊文章

领域

  • 5篇理学
  • 2篇电子电信
  • 1篇机械工程

主题

  • 2篇异质结
  • 2篇二维电子
  • 2篇二维电子气
  • 2篇ZN
  • 1篇调制掺杂
  • 1篇行波管
  • 1篇阵列
  • 1篇退相干
  • 1篇自旋
  • 1篇自旋电子学
  • 1篇拓扑绝缘体
  • 1篇微加工
  • 1篇相干
  • 1篇慢波
  • 1篇慢波结构
  • 1篇纳米
  • 1篇纳米线
  • 1篇局域
  • 1篇局域效应
  • 1篇绝缘体

机构

  • 4篇湖北工业大学
  • 1篇电子科技大学
  • 1篇中国科学院
  • 1篇中国科学技术...

作者

  • 4篇梅菲
  • 4篇周远明
  • 4篇徐进霞
  • 3篇王远
  • 3篇刘凌云
  • 3篇张冉
  • 2篇田锋
  • 2篇钟才
  • 1篇魏来明
  • 1篇俞国林
  • 1篇胡玉禄
  • 1篇李斌
  • 1篇李建清
  • 1篇胡权
  • 1篇吴麟章
  • 1篇朱小芳
  • 1篇康亭亭
  • 1篇张小强
  • 1篇蒋妍

传媒

  • 3篇材料导报
  • 2篇红外与毫米波...

年份

  • 1篇2021
  • 1篇2017
  • 1篇2015
  • 2篇2014
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
多注集成阵列梳齿型行波管模拟与冷测研究
2021年
多电子注集成实现微波放大是毫米波行波管获得大功率微波的一种实用化途径,研究了一种多注集成阵列梳齿型慢波结构(MCW)。该慢波结构具有天然的电子注通道,同时耦合阻抗明显高于单注的梳齿型慢波结构(DCW)。为了验证该特性,使用Ka波段三注集成阵列梳齿型互作用回路进行了仿真和实验研究。互作用电路的材料选取高电导率无氧铜,通过CNC铣削的工艺进行加工。冷测实验发现仿真和测试的结果具有很好的一致性,且在32~39 GHz的带宽内,S11小于-15 dB。在仿真软件CST PIC工作室中,50个周期的慢波结构与三个电子注(每个电子注的电压为12.9kV,电流为67mA)进行注波互作用模拟仿真。仿真表明,MCW在32~36 GHz的带宽内比DCW具有更高的输出功率,增益和电子效率。该器件的最大输出功率约为132.8 W,相应的电子效率为5.12%,增益为41.2 dB,大于DCW的1.2%和25 dB。MCW行波管的高功率和高效率特性,使其在基于点对多点传输的毫米波无线系统中具有潜在的应用价值。
高鸾凤胡玉禄朱小芳胡权李建清李斌
关键词:多注微加工行波管
Te元素掺杂Bi_2Se_3拓扑绝缘体纳米线的反弱局域效应(英文)
2017年
采用Au催化的固-液-气(VLS)方法制备了单晶Bi_2Se_3和Bi_2(Te_xSe_(1-x))_3纳米线,研究了单根纳米线器件的输运性质.在对单根Bi_2(Te_xSe_(1-x))3(x=0.26)纳米线的低温磁输运测试中观察到反弱局域效应,说明样品中存在较强的自旋-轨道耦合.结果表明,Te掺杂可以有效抑制体电导对输运过程的影响.通过对不同温度下的磁电导曲线进行拟合,得到了电子的退相干长度l_φ,l_φ从1.5 K时的389 nm减小至20 K时的39 nm,遵循l_φ∝T^(-0.96)指数变化规律.分析表明,在Te掺杂样品的输运过程中,电子-电子散射和电子-声子散射均起到了十分重要的作用.
田锋周远明张小强魏来明梅菲徐进霞蒋妍吴麟章康亭亭俞国林
关键词:拓扑绝缘体
调制掺杂ZnMgO/ZnO异质结构中的二维电子气
2014年
基于调制掺杂的ZnMgO/ZnO异质结构模型,通过自洽求解一维泊松-薛定谔方程,研究了掺杂浓度、空间层厚度对ZnMgO/ZnO异质界面处二维电子气(2DEG)的分布、面密度等性质的影响。结果表明:ZnO沟道中的二维电子气主要来源于极化效应诱生的电子和掺杂层转移的电子,通过改变掺杂浓度和空间层厚度可以有效地调控异质结中的二维电子气。采取的研究方法和所得结果可以为ZnO基异质结构及相关器件的构筑提供基础。
周远明钟才梅菲刘凌云徐进霞王远张冉
关键词:二维电子气调制掺杂
ZnMgO/ZnO异质结构中极化对二维电子气的影响
2015年
基于ZnMgO/ZnO异质结构模型,从压电极化对应变弛豫度的依赖关系出发,通过自洽求解一维泊松-薛定谔方程,研究了ZnMgO势垒层的厚度、Mg组分和应变弛豫度对ZnMgO/ZnO异质界面处二维电子气(2DEG)的分布、面密度等性质的影响,并结合极化和能带偏移对计算结果进行了分析讨论。结果表明通过改变Mg组分和应变弛豫度可以调节异质界面两边的极化强度不连续性,进而有效地调控异质结中的二维电子气。
周远明田锋钟才梅菲刘凌云徐进霞王远张冉
关键词:二维电子气极化
In_(0.53)Ga_(0.47)As/InP量子阱中的Rashba自旋-轨道耦合被引量:1
2014年
利用k·p方法研究了In0.53Ga0.47As/InP窄禁带半导体量子阱结构中的Rashba自旋-轨道效应及其栅电压调控规律。随着栅电压Vg从-0.35V增加到0V,电子浓度ne从0.99×1011cm-2线性增大至9.20×1011cm-2,Rashba自旋-轨道耦合参数α从2.38×10-11eV·m减小到0.19×10-11eV·m,零场自旋分裂能Δ0高达4.63meV。结果表明通过栅电压可以有效调控样品中的自旋-轨道耦合强度,证明该结构是制备自旋场效应晶体管(SpinFET)的理想材料。
周远明舒承志梅菲刘凌云徐进霞王远张冉
关键词:自旋电子学
共1页<1>
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