高等学校骨干教师资助计划(K001804A) 作品数:6 被引量:1 H指数:1 相关作者: 杨渭 王军 陈文娟 梁雪飞 更多>> 相关机构: 中国石油大学(华东) 山东胜利职业学院 更多>> 发文基金: 高等学校骨干教师资助计划 更多>> 相关领域: 电子电信 理学 一般工业技术 机械工程 更多>>
非磁金属中间层对磁性隧道结磁电阻效应的影响 2003年 用自由电子近似方法对具有非磁金属中间层的磁性隧道结的磁电阻进行了研究,从理论上讨论了非磁金属中间层对磁电阻的影响。数值计算结果表明,当外加偏压不同时非磁金属中间层的作用是不同的。在外加电压使电子从非磁金属中间层穿过势垒的情况下,非磁金属中间层的变厚可以增强隧穿磁电阻效应。这一性质可以用于磁性隧道结的优化。 梁雪飞 杨渭关键词:磁性隧道结 磁电阻效应 自旋极化 偏置电压 辐射对GaAs霍尔器件电磁参数的影响 被引量:1 2007年 为了深入揭示γ和β射线辐照对GaAs霍尔器件的影响规律,在无源、无磁场作用时的辐照研究基础上,又用低剂量率γ和β射线对恒流激励、无磁场和有确定磁场作用的器件进行非永久辐照,考察了输入端电阻及霍尔输出电压的变化。结果表明,无磁场作用时,γ和β射线辐照均导致器件输入端电阻增加,而且与辐照时间近似成正比;有确定磁场作用时,输入端电阻与霍尔输出电压也因辐照发生变化,但与辐照时间没有确定关系,而且变化量较小。所有变化均不因辐照停止而消失,反应了常温退火过程对辐射损伤的不可恢复性。上述结果不仅从一定程度上证实了辐射损伤理论,而且对相应的辐射防护研究具有重要的参考价值。 王军 杨渭辐射对InSb霍尔器件电磁参数的影响 2007年 系统研究了低剂量率γ和β射线辐照对不同工作状态下的InSb霍尔器件输入电阻、输出电阻、磁电阻及霍尔灵敏度等电磁参数的影响,结果表明,γ和β粒子通过电离、位移效应与器件相互作用,导致器件的宏观电磁参数发生复杂变化。这些变化不因辐照停止而消失,反映了常温退火过程对辐射损伤的不可恢复性。恒流激励、无磁场作用时,所进行的辐照均使器件的输入电阻增加,并与辐照时间成正比。恒流激励、有确定磁场作用时,输入电阻、霍尔输出电压也因γ射线辐照而增加,但由于磁场的影响,增加量较小,且与辐照时间不成正比。无源、无磁场作用时,虽然输入、输出电阻因辐照而增加,但磁电阻和霍尔灵敏度却可能增加,也可能减小。所有这些结论对相应的辐射防护研究具有重要的参考价值。 王军 杨渭关键词:电磁参数 机械合金化Fe_(40)Ni_(40)Si_(20)纳米晶固溶体 2005年 机械合金化方法制备了Fe—Ni—Si三元系合金,利用X射线衍射仪研究了合金化过程中的 相变行为,计算了晶粒尺寸及微观应变。结果表明,经36小时球磨可形成α-Fe(bcc)和γ-Fe(fcc) 两相混合纳米晶固溶体;继续球磨,过饱和α相逐渐分解并向γ相转化,72小时后可得单相γ-Fe纳 米晶固溶体。球磨晶粒尺寸可达12 nm,微观应变随球磨时间先增加后减小。 陈文娟 杨渭关键词:机械合金化 物相变化 辐射对半导体霍尔器件输入电阻的影响 2007年 用60Co、137Cs、90Sr-90Y放射源低剂量率对恒流激励、无磁场作用时的InSb、GaAs、Si、Ge等半导体霍尔器件进行短时辐照,测量了辐照过程中各器件输入电阻的变化。结果表明:因为位移效应所引起的辐射缺陷,三种辐照均导致各器件输入电阻增加,并与辐照时间成正比。比较相同射线、相同时间辐照所引起的输入电阻变化量,可以判定Ge器件的抗辐射能力最强,Si器件次之,InSb、GaAs器件最差。 王军 杨渭关键词:辐照 输入电阻 机械合金化Fe_(40)M(M=Ni,Co)_(40)Si_(20)过饱和固溶体的物相分析 2006年 采用机械合金化方法制备了Fe i Si,Fe Co Si三元系合金,利用X射线衍射仪研究了合金化过程中的相变行为.结果表明,Fe40Ni40Si20经36h球磨可形成αFe(bcc)和γFe(fcc)两相混合固溶体,继续球磨,过饱和α相逐渐分解并向γ相转化,72h后可得单相γFe过饱和固溶体.Fe40Co40Si20经36h可得αFe过饱和固溶体,继续球磨未发现新相生成. 陈文娟 杨渭关键词:机械合金化 物相变化 固溶体