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国家自然科学基金(20171046)

作品数：10 被引量：75H指数：5
相关作者：苏锵郭崇峰张新民徐剑张剑辉更多>>
相关机构：中山大学中国科学院中南林业科技大学更多>>
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相关领域：理学电子电信更多>>

文献类型

  • 10篇中文期刊文章

领域

  • 10篇理学
  • 1篇电子电信

主题

  • 7篇发光
  • 6篇荧光粉
  • 5篇EU
  • 4篇铕
  • 2篇光学
  • 2篇发光学
  • 2篇EU^2+
  • 2篇GA
  • 2篇LED
  • 1篇余辉
  • 1篇谱性质
  • 1篇热释光
  • 1篇稳定性
  • 1篇磷光
  • 1篇磷光体
  • 1篇铝酸锶
  • 1篇绿光
  • 1篇绿光LED
  • 1篇光材料
  • 1篇光强

机构

  • 9篇中山大学
  • 2篇中国科学院
  • 2篇中南林业科技...
  • 1篇华中科技大学
  • 1篇华南理工大学

作者

  • 9篇苏锵
  • 6篇郭崇峰
  • 5篇张新民
  • 3篇张剑辉
  • 3篇徐剑
  • 2篇吴昊
  • 2篇吕玉华
  • 1篇梁宏斌
  • 1篇余瑞金
  • 1篇唐强
  • 1篇曾和平
  • 1篇初本莉
  • 1篇张纯祥
  • 1篇黄德修
  • 1篇田梓峰

传媒

  • 3篇中山大学学报...
  • 2篇中国稀土学报
  • 1篇无机化学学报
  • 1篇功能材料
  • 1篇发光学报
  • 1篇光谱学与光谱...
  • 1篇Journa...

年份

  • 2篇2008
  • 2篇2007
  • 1篇2006
  • 3篇2004
  • 2篇2003
共 10 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
Luminescent Properties of SrGa_2S_4:Eu^(2+) and Its Application in Green-LEDs被引量：2
2007年
Phosphor SrGa2S4:Eu2+ was synthesized with a high temperature solid state reaction. Its absorption spectrum, photoluminescence spectra, and fluorescence lifetime were studied in details. The excitation spectrum extended from UV to visible light region, and matched the emission of GaN chip. (Sr1-xEux)Ga2S4 emits strong green light and the concentration quenching did not occur; while the thermal quenching was evident. The emission peak shifted to long wavelength with increasing Eu2+ concentration because of the changing of the crystal field strength. The lifetime of Eu2+ ion was in the order of microsecond, which was reasonable for d→f transition. The electroluminescence spectrum of as-fabricated PC-LED at IF=20 mA was measured and most of the blue light of blue-LED chip at 460 nm was absorbed by the phosphor and simultaneously down-converted into an intensive green light at 540 nm. The color coordinate was (0.32, 0.63). SrGa2S4:Eu2+ was a promising phosphor for GaN-based green LEDs.
张新民吴昊曾和平苏锵
关键词：磷光体
Eu^(2+)激活的Ga_2S_3-CaS体系的发光性能研究被引量：4
2006年
采用高温固相法合成了Eu2+激活的不同镓含量的CaS-Ga2S3系列荧光粉。随镓含量的增加荧光粉的体色由红色过渡到黄色,其发射光谱由红光到黄光。通过XRD和漫反射谱测试得到,当Ga/Ca值<2时,其成份为CaS与CaGa2S4的混合物;当Ga/Ca值>2时,其成份为CaGa2S4与Ga2S3的混合物。当Ga/Ca值>0.5时红光已基本上测不到,且Ga适当的过量可使CaGa2S4∶Eu2+在可见光区的激发和发光效率提高。
郭崇峰张剑辉黄德修苏锵
关键词：发光镓铕
一种黄绿光LED用荧光粉:Ga_2S_3∶Eu^(2+)被引量：5
2007年
用GaN基发光二极管（light—emitting diode．LED）与稀土发光材料组成的固体照明光源具有节能、寿命长、光效高、工作电压低、耗电量小、体积小、可平面封装、易于开发轻薄型产品等特点，被认为是21世纪的光源；另外，LED光源本身不含汞、铅等有害物质．无红外线和紫外线污染，不会在生产和使用中产生对外界的污染．是一种环境友好的光源。随着GaN基LED的发射波长向短波扩展，研究开发与GaN基管芯匹配的稀土发光材料受到广泛关注．
张新民吴昊曾和平苏锵
关键词：LED荧光粉铕
MGa_2S_4:Eu^(2+)(M=Ca、Sr、Ba)和EuGa_2S_4系列荧光粉的合成和发光性能研究被引量：14
2004年
采用高温固相法合成了MGa2S4:Eu2+(M=Ca、Sr、Ba)系列荧光粉,观察到各自的发光;同时观察到EuGa2S4具有发光,发射峰靠近544nm,Eu在其中既是基质离子,也是激活剂离子,并没有出现浓度淬灭现象;并对两种不同碱土离子M,M′(M,M′=Ca、Sr、Ba)混掺对(M0 96-xM′x)Ga2S4:Eu2+0 04发光的影响做了研究,发现混掺可使Eu2+的发射波长在500～553nm之间移动;同时研究了(Sr1-xEux)Ga2S4体系中不同x值对发光的影响,发现随着Eu浓度的逐渐加大,发射峰先出现发光强度的增大,然后出现发射波长的移动。
徐剑张新民张剑辉郭崇峰苏锵
关键词：发光
一种新型发红光材料SrGdGa3O7：Eu^3＋及其性质研究被引量：2
2008年
采用高温固相法合成了发红光的荧光粉SrGdGa3O7:Eu3+。漫反射光谱和激发光谱中Eu3+的电荷迁移带、Eu3+离子f→f跃迁以及Gd3+离子8S7/2→6I7/2的跃迁相互吻合;监测Eu3+离子的特征发射,激发谱中有Gd3+离子的激发线表明存在Gd3+→Eu3+的能量传递。发射光谱中以5D0→7F2跃迁为主,表明Eu3+离子所占据的晶体学格位没有对称中心的Cs格位。根据低温下的发射光谱计算了7F1和7F2能级完全解除简并后的每个分裂能级的位置。Eu3+的发射发生明显的温度猝灭现象,同时发射谱线的分辨率也逐渐降低。Eu3+离子的5D0→7F2跃迁在不同温度下的荧光衰减曲线相似;随着温度的升高,荧光发射强度衰减越快,但是仍然处于毫秒数量级;5D0→7F2跃迁是宇称和自旋禁阻的跃迁,所以荧光衰减时间比较长。
张新民梁宏斌余瑞金田梓峰苏锵
关键词：发光荧光粉
LED用荧光粉Sr(S1-xSex)：Eu^2＋的合成和光谱性质研究被引量：1
2008年
采用高温固相法合成了Sr(S1-xSex)系列硫属化合物掺Eu2+荧光粉。XRD表明荧光粉的组成为单相,而且体系Sr(S1-xSex)∶0.005Eu2+中晶胞参数随着组成的变化呈现良好的线性关系,遵守韦加定律。漫反射光谱与激发光谱吻合,说明荧光粉吸收的能量能够有效地激发发光中心而发光,激发光谱中较低能量区域覆盖了400~500nm的光谱范围,与蓝光LED芯片的发射光匹配。发射光谱呈现的是Eu2+离子的5d→4f特征跃迁发射带,当x由0增加到1.0的过程中,发射峰值波长由617nm逐渐蓝移到571nm。不同基质中掺杂的Eu2+离子的荧光寿命均为微秒数量级,与Eu2+离子的4f65d1→4f7跃迁相符合。将荧光粉封装在发蓝色光(λ=460nm)的GaN芯片上制作了LED器件,测量了器件的发光强度、色纯度和色坐标等参数。Sr(S1-xSex)∶Eu2+系列硫属化合物掺铕荧光粉能够有效地被GaN芯片发出的蓝色光激发,发出从橙色到红色的可见光,是一类较好的LED用荧光粉。
张新民吴昊苏锵
关键词：LED荧光粉铕光致发光
氧化物膜包覆碱土硫化物荧光粉的研究被引量：29
2004年
采用湿法在碱土硫化物为基质的红色长余辉发光材料Ca0 .8Sr0 .2 S∶Eu2 + ,Tm3 + 表面包覆一层惰性的氧化物膜 ,使其与外界的环境相隔离 ,从而提高其化学稳定性。用XRD、SEM及能谱表征了氧化物惰性膜的存在 ,讨论了核 壳结构间的键合作用 ;
郭崇峰初本莉徐剑苏锵
关键词：荧光粉稳定性表面包覆
长余辉发光材料SrAl_2O_4:Eu^(2+),Dy^(3+)的稳定性研究被引量：18
2003年
Eu2+和Dy3+激活的铝酸盐是典型的长余辉发光材料,吸引了广大科研工作者进行研究,且已广泛用于人们的日常生活中。但是,这类长余辉发光材料在水溶液中极易水解,抗湿性差,严重制约了其应用,为此采用了在其表面包覆抗湿性能较好的无机膜来提高其耐水性,采用XRD、SEM等方法来表征其膜的存在,且对荧光粉包膜前后的发光性能及耐水性进行了详尽的研究。结果表明包膜并没有对荧光粉的发光性能有太大的影响,却使其耐水性有了较大的改善。
郭崇峰吕玉华苏锵
关键词：长余辉发光材料包膜铝酸锶EU^2+DY^3+
Ho^(3+)对CaGa_2S_4:Eu^(2+)发光性能的影响被引量：2
2004年
研究了二价铕离子与三价钬离子共同掺杂的荧光体CaGa2S4∶Eu2+(0.5%),Ho3+(1 0%)的荧光、三维热释发光及其长余辉发光特性。作为对比,同时研究了CaGa2S4∶Eu2+(0.5%)及CaGa2S4∶Ho3+(1 0%)的荧光和三维热释发光性质,发现CaGa2S4∶Eu2+(0.5%),Ho3+(1 0%)的发射波长为552nm的黄绿色余辉长达40min,CaGa2S4∶Eu2+(0.5%)不具有长余辉,而CaGa2S4∶Ho3+(1.0%)具有很弱的余辉。热释光及其三维图谱的研究表明,由于Ho3+的引入而产生了一个新的陷阱能级,从而使CaGa2S4∶Eu2+(0.5%),Ho3+(1.0%)具有长余辉的发光特性。
郭崇峰张纯祥吕玉华唐强苏锵
关键词：发光学余辉铕钬热释光
Ga_2S_3∶Eu^(2+)和SrGa^(2+x)S_(4+y)∶Eu^(2+)系列荧光粉的发光性能研究被引量：10
2003年
采用高温固相法合成了Ga2S3∶Eu2+和SrGa2S4∶Eu2+系列荧光粉。发现Ga2S3∶Eu2+的发射峰位于570nm附近,SrGa2S4∶Eu2+的发射峰位于535nm附近。同时进一步探讨了SrGa2+xS4+y∶Eu2+体系中,过量的Ga对发光的影响,通过漫反射光谱和XRD谱确定过量的Ga是以Ga2S3的形式存在于SrGa2S4相中;通过荧光光谱发现过量的Ga并不引起SrGa2S4∶Eu2+发射峰的位移,而是增强其在400～520nm处激发峰的强度,从而增强Eu2+在535nm处的发光强度。
徐剑张剑辉张新民郭崇峰苏锵
关键词：发光学荧光粉发光性能发光强度
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