广东省自然科学基金(5001807)
- 作品数：4 被引量：13H指数：2
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- 相关机构：广东工业大学青岛农业大学更多>>
- 发文基金：广东省科技计划工业攻关项目广东省自然科学基金更多>>
- 相关领域：金属学及工艺电子电信更多>>
- 游离磨料线锯硅晶体表面质量和加工精度实验研究
- 2014年
- 通过进行游离磨料线切割硅晶体的正交试验,分析了各工艺参数对加工表面粗糙度和总厚度偏差的影响趋势。通过对试验结果进行了方差和显著性分析,找出了这些工艺参数对表面粗糙度和总厚度偏差影响权重大小,并得到一组最优的参数组合。结果表明:表面粗糙度随着走丝速度、初始张紧力、切割液浓度的增大而减小,随着进给速度的增大而增大。走丝速度、切割液浓度、进给速度对总厚度偏差的影响与对表面粗糙度的影响趋势基本一致,而随着初始张紧力的增大,总厚度偏差先减小后增大,且这些参数中,进给速度对表面粗糙度影响最大,而初始张紧力对总厚度偏差影响最大。
- 史越魏昕谢小柱胡伟任庆磊
- 关键词：线切割正交试验硅片加工
- 单晶硅游离磨粒线切割技术研究被引量：10
- 2009年
- 游离磨料多线切割技术具有切割效率高、切口材料损耗小、表面损伤程度浅、切割噪声小等优点,能满足晶圆大直径化发展的加工需求。但游离磨料线切割技术发展历史短,目前还缺乏对游离磨料线切割过程材料的去除本征规律的充分认识和系统研究。本文介绍了游离磨料线切割方法的工作原理,综合分析了游离磨料线切割硅片的材料去除机理、切割线振动模型、切割温度及其影响因素等方面的研究结果,以期为游离磨料多线切割技术的深入研究和推广应用提供基础。
- 舒继千魏昕袁艳蕊
- 关键词：单晶硅
- LiTaO3晶片CMP过程的化学去除机理研究被引量：1
- 2008年
- 通过化学腐蚀方法研究了LiTaO3(LT)晶片的化学机械抛光的化学腐蚀机理,研究了LiTaO3单晶的化学机械抛光过程腐蚀作用的主要影响因素及其影响规律,获得了LiTaO3晶片CMP过程有效的氧化剂和稳定剂。采用X衍射测量抛光表面的结构变化,分析了晶片表面在不同抛光液条件下发生的变化。研究结果为优化LiTaO3CMP工艺参数,进一步探讨化学机械抛光机理提供了依据。
- 杜宏伟魏昕林悦香潘志国江景涛
- 关键词：钽酸锂化学机械抛光化学腐蚀抛光液
- 硅晶体线切割加工过程中切割线振动的研究被引量：2
- 2007年
- 硅晶体线切割的加工过程中,切割线振动的产生严重影响着晶体工件的加工精度和质量以及切割线的寿命。本文介绍了当前研究切割线振动的主要方法及主要成果,并建立了切割线的运动方程,分析了磨粒对切割线的激励,通过模态分析得出系统的响应函数。
- 林建荣魏昕舒继千
- 关键词：线切割振动
