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MgO(111)衬底MgB_2超薄膜的制备和性质研究被引量：2: 2013年; 利用混合物理化学气相沉积法(HPCVD)在MgO(111)衬底上制备了干净的MgB2超导超薄膜.在背景气体压强、载气氢气流量以及沉积时间一定的情况下,改变B2H6的流量,制备得到不同厚度的系列MgB2超导薄膜样品,并测量了其超导转变温度Tc,临界电流密度Jc等临界参量.该系列超导薄膜沿c轴外延生长,表面具有良好的连接性,且有很高的超导转变温度Tc(0)≈35—38K和很小的剩余电阻率ρ(42K)≈1.8—20.3μ.cm.随着膜厚的减小,临界温度变低,而剩余电阻率变大.其中20nm的样品在零磁场,5K时的临界电流密度Jc≈2.3×107A/cm2.表明了利用HPCVD在MgO(111)衬底上制备的MgB2超薄膜有很好的性能,预示了其在超导电子器件中广阔的应用前景.; 潘杰云张辰何法冯庆荣

^(238)U(n,f)短寿命产物核累积产额的评价(英文): 2009年; 为满足堆内或核爆中链式反应过程的燃耗值的计算需要,对裂变谱中子和14 MeV中子诱发238U裂变的短寿命产物核的累积产额进行了评价。评价利用了所有可利用的实验数据,经物理分析后,使用AVERAGE程序加权平均,用ZOTT程序进行同时评价,给出了所要求能点的唯一最佳推荐数据,并将评价结果与ENDF/B-VII ,JEF-2 .2 ,JENDL-3 .2和CENDL-2的推荐数据进行了比较。评价结果将用于CENDL-2的更新与升级。; 郑娜陈忠靖孙吉宁刘廷进陈金象樊铁栓

硅烷的GW准粒子能带修正和BSE光吸收谱的计算: 2013年; 利用基于GW近似和Bethe-Salpeter方程(BSE)的第一性原理多体微扰方法,计算了二维间接带隙半导体材料椅形硅烷(chairlike silicane)能带的准粒子修正以及光吸收谱。椅形硅烷的电子间强的相互作用显著影响着电子结构,其间接带隙从2.08 eV修正到3.53 eV,直接带隙从2.44 eV修正到3.85 eV。通过比较GW和BSE的光学吸收谱,发现椅形硅烷的束缚激子的束缚能可以达到0.40 eV,远大于硅体材料的15 meV激子束缚能。椅形硅烷的显著激子效应对于硅烯纳米材料的光电子器件应用有重要意义。; 费瑞翔罗光富高政祥吕劲; 关键词：GW BSE

MgB2超薄膜的制备和性质研究被引量：2: 2011年; 利用混合物理化学气相沉积法在6H-SiC(001)衬底上制备干净的MgB2超导超薄膜.在本底气体压强、载气氢气流量等条件一定的情况下,改变B2H6流量及沉积时间,制备得到不同厚度的系列MgB2超薄膜样品,并研究了超导转变温度Tc、剩余电阻率ρ(42K)、上临界磁场Hc2等与膜厚的关系.该系列超薄膜沿c轴外延生长,随膜厚度的变小,Tc(0)降低,ρ(42K)升高.膜在衬底上的生长遵循Volmer-Weber岛状生长模式.对于厚度为7.5nm的MgB2超薄膜,Tc(0)=32.8K,ρ(42K)=118μΩcm,是迄今为止所观测到的厚度为7.5nm的MgB2超薄膜最高的Tc值;对于厚度为10nm的MgB2膜,Tc(0)=35.5K,ρ(42K)=17.7μΩcm,上临界磁场μ0Hc2估算为12T左右,零磁场、4K时的临界电流密度Jc=1.0×107A/cm2,是迄今为止10nm厚MgB2超薄膜的最高Jc值,且其表面连接性良好,均方根粗糙度为0.731nm.这预示MgB2超薄膜在超导纳米器件上具有广阔的应用前景.; 孙玄黄煦王亚洲冯庆荣; 关键词：薄膜生长

二次曲面线圈中的均匀磁场被引量：1: 2008年; 基于对旋转椭球内部磁场的讨论,采用Matlab数值计算的方法计算了旋转椭球的内部磁场.对于旋转抛物球和双曲球面,用相同方法绕制线圈也能得到均匀的磁场.印证了内部磁场计算的公式,并提出了一种产生大范围均匀磁场的方法.; 张定; 关键词：均匀磁场

MgB2超导膜的厚度与其Jc(5K，0T)的关系: 2013年; 通过混合物理化学气相沉积法(hybrid physical-chemical vapor deposition,HPCVD),在(000l)SiC衬底上制得一系列从10 nm到8μm的MgB2超导膜样品,并对它们的形貌、超导转变温度Tc和临界电流密度Jc与膜厚度的关系进行了研究.观察到Tc随膜厚度增加上升到最大值后,尽管膜继续增厚,但Tc值保持近乎平稳,而Jc则先随膜厚度增加上升到最高值后,继而则随膜的厚度的增加而下降.MgB2膜的Tc(0)和Tc(onset)值与膜厚的关系基本一致,Tc(0)在膜厚为230 nm处达到最大值Tc(0)=41.4 K,而Jc(5K,0T)在膜厚为100 nm时达到最大值,Jc(5 K,0 T)=2.3×108A·cm-2,这也说明了我们能用HPCVD方法制备出高质量干净MgB2超导膜.本文研究的超导膜厚度变化跨度非常大,从10 nm级的超薄膜到100 nm级的薄膜,再到几微米的厚膜,如此Tc和Jc对膜厚度变化的依赖就有了较完整、成体系的研究.并且本文的工作对MgB2超导薄膜制备的厚度选取具有实际应用意义.; 陈艺灵张辰何法王达王越冯庆荣; 关键词：厚度临界电流密度

钛离子辐照对MgB_2超导薄膜的载流能力和磁通钉扎能力的影响被引量：1: 2012年; 利用混合物理化学气相沉积法(hybrid physical-chemical vapor deposition,HPCVD)可以制备出高性能的MgB2超导薄膜,再对薄膜进行钛(Ti)离子辐照处理.经过辐照处理后的样品被掺入了Ti元素,与未处理的干净MgB2样品相比,其超导转变温度没有出现大幅度的下降,而在外加磁场下的临界电流密度得到了明显的提高,同时样品的上临界磁场也得到了提高.在温度5 K,外加垂直磁场为4 T的情况下,Ti离子辐照剂量为1×10^(13)/cm^2的样品的临界电流密度达到了1.72×10~5A/cm^2,比干净的MgB_2要高出许多,而其超导转变温度仍能维持在39.9 K的较高水平.; 王银博薛驰冯庆荣; 关键词：MGB2超导薄膜

混合物理化学气相沉积法制备MgB_2单晶纳米晶片的研究: 2014年; 利用混合物理化学气相沉积法在石墨衬底上制备出了晶形为六角结构、厚度不同、径向尺寸不一的Mg B2单晶纳米晶片.利用纳米定向转移技术将此晶片转移到了碳支持膜铜网上,以便对其精细结构等物性进行表征.电输运测量和磁性测量结果都表明晶片具有超导电性:T c onset=38K,T c(0)=33K.扫描电子显微镜图像表明,晶片表面平整、厚度分布在几个纳米到200 nm之间,宽度从几微米到上百微米;高分辨透射电镜图像显示出晶片具有周期性晶格条纹.选区电子衍射数据与Mg B2已有的单晶衍射数据相符.这些测量结果证实了其确为高质量单晶Mg B2超导纳米晶片.本文不仅提出了一种全新的制备单晶Mg B2的方法,也观察到了纳米尺度Mg B2单晶的零电阻现象,为后续的磁通钉扎、纳米力学性能等领域的深入研究提供了合适的素材.; 张焱王越马平冯庆荣; 关键词：B2 零电阻

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国家基础科学人才培养基金(J0630311)