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江苏省普通高校研究生科研创新计划项目(XM04-30)
作品数:
2
被引量:1
H指数:1
相关作者:
陆生礼
易扬波
孙伟锋
俞军军
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相关机构:
东南大学
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发文基金:
江苏省普通高校研究生科研创新计划项目
国家高技术研究发展计划
东南大学优秀博士学位论文基金
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相关领域:
电子电信
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固体电子学研...
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微电子学
年份
2篇
2006
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高压SOI-LDMOS截止频率研究
2006年
建立了高压SOI-LDMOS截止频率ft的提取方法,并借助半导体器件专业软件Tsu-prem-4和Medici,对截止频率ft与栅源电压Vgs和漏源电压Vds的关系进行了分析;研究了栅氧化层厚度、漂移区注入剂量、SOI层厚度和场极板长度等四个关键参数对截止频率的影响;最后,提出了提高SOI-LDMOS截止频率的方法。
孙伟锋
俞军军
易扬波
陆生礼
关键词:
SOI-LDMOS
截止频率
栅氧化层
漂移区
场极板
多场极板LEDMOS表面电场和导通电阻研究
被引量:1
2006年
研究了常规LEDM O S,带有两块多晶硅场极板LEDM O S以及带有两块多晶硅场极板和一块铝场极板的LEDM O S表面电场分布情况,重点研究了多块场极板在不同的外加电压下,三种LEDM O S的表面峰值电场和导通电阻的变化情况。模拟结果和流水实验结果都表明:多块场极板是提高LEDM O S击穿电压的一种有效方法,而且场极板对导通电阻的影响很小。研究结果还表明:由于金属铝引线下面的氧化层很厚,所以铝引线几乎不会影响到LEDM O S的击穿特性。
孙伟锋
易扬波
陆生礼
关键词:
表面电场
导通电阻
击穿电压
场极板
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